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本实用新型提供了一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板，属于氧化稼单晶生长技术领域。本实用新型的半封闭式导模板，在导模板主体的出料端设有向下凹陷的顶端V型槽，在导模板主体的左右两端分别设有侧面V型槽；顶端V型槽和侧面V型槽均为钝角开口。同...
该专利属于陈闯所有，仅供学习研究参考，未经过陈闯授权不得商用。

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