一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置，其包括气源、供气管路、吹扫管路和脉冲反吹管路；脉冲反吹管路，包括依次连接反吹头和第四截止阀，第四截止阀连接调压阀前端；反吹头包括壳体，壳体呈漏斗形，漏斗形大端的端部有凹槽，凹槽内安装卡盘，同时漏斗形大端安装端盖，端盖卡住卡盘起限位作用，端盖设有出口作为第二接头；卡盘中心开有中心孔，中心孔安装阀杆；漏斗形小端是用于连接压缩气体的第一接头；壳体内部有凸起；阀杆顶端有阀杆头，阀杆安装有弹簧，阀杆头在弹簧作用下顶住凸起在壳体内部截断成两个空间。本发明专利技术的有益效果是，脉冲反吹杜绝二氧化硅粉末对管路阀门的破坏。

A pulse reverse blow device for high purity silane gas supply

The invention discloses a pulse back blowing device for high purity silane gas supply, which comprises a gas source, a gas supply pipeline, a purging pipeline and a pulse back blowing pipeline; a pulse back blowing pipeline comprises a reverse blowing head and a fourth globe valve connected sequentially; a fourth globe valve is connected with a pressure regulating valve front end; a back blowing head comprises a shell with a funnel-shaped shell and a funnel. The end of the large end of the bucket is provided with a groove, and the chuck is installed in the groove, and the end cover is installed with the chuck as the limit, and the end cover is clamped with the chuck as the second joint; the center hole of the chuck is provided with a central hole and the valve stem is installed with the center hole; the small end of the funnel is the first joint used to connect the compressed gas inside the shell; The top of the stem is provided with a stem head, and the stem is provided with a spring. Under the action of the spring, the stem head is held up against the bulge and cut into two spaces in the shell. The beneficial effect of the invention is that the pulse reverse blow eliminates the damage of the silicon dioxide powder to the pipeline valve.

【技术实现步骤摘要】
一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置
本专利技术涉及气体供应领域，尤其是涉及一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置。
技术介绍
硅烷是半导体生成常用的气体，它性质是易燃易爆气体，它和空气中的氧气反应生成二氧化硅粉末。对于高纯管道而言，二氧化硅粉末滞留在管道中会产生负面影响，尤其是如果二氧化硅粉末在阀门的密封面，长期而言会对精密阀门的密封面造成磨损，形成内漏，也就是阀门无法有截止作用；所以要定期对高纯硅烷供应管路进行脉冲反吹，尤其是气源更换后，残留硅烷和断开气源进入的空气可能形成二氧化硅粉末，但是普通的气流吹扫是无法清洗完全的，因为气流比较平缓。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提出了一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置，其包括：气源，以及供气管路，供气管路有两路，供气管路包括依次连接的第一截止阀，调压阀和第二截止阀；两路供气管路汇成一路作为供气端；吹扫管路，包括文丘里，文丘里侧吸口分两路分别安装第三截止阀，第三截止阀连接到调压阀后端；脉冲反吹管路，包括依次连接反吹头和第四截止阀，第四截止阀连接调压阀前端；反吹头包括壳体，壳体呈漏斗形，漏斗形大端的端部有凹槽，凹槽内安装卡盘，同时漏斗形大端安装端盖，端盖卡住卡盘起限位作用，端盖设有出口作为第二接头；卡盘中心开有中心孔，中心孔安装阀杆；漏斗形小端是用于连接压缩气体的第一接头；壳体内部有凸起；阀杆顶端有阀杆头，阀杆安装有弹簧，阀杆头在弹簧作用下顶住凸起在壳体内部截断成两个空间。进一步地，所述端盖和壳体通过螺纹连接。进一步地，所述文丘里入口和反吹头连接接压缩高纯氮气。进一步地，所述文丘里出口连接燃烧塔。进一步地，所述第一接头和第二接头是VCR接头。进一步地，所述阀杆、壳体、卡盘和端盖同心。进一步地，所述供气管路两路之间装有第五截止阀。与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：该装置可以实现对硅烷供应管路进行脉冲反吹，杜绝二氧化硅粉末对管路阀门的破坏。附图说明图1为本专利技术的示意图；图2为本专利技术的反吹头示意图；附图标记说明：1-气源；2-总阀；3-第五截止阀；4、8-第一截止阀；5、11-调压阀；6、16-第三截止阀；7、17-第二截止阀；；9、13-反吹头；901-第二接头；902-端盖；904-卡盘；905-气孔；906-阀杆；907-阀杆头；908-弹簧；909-凹槽；910-壳体；911-凸起；912-第一接头；10、12-第四截止阀；14-第六截止阀；15-文丘里；18-供气管路；19-脉冲反吹管路；20-吹扫管路；21-供气端。具体实施方式为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图说明本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围不局限于以下所述。如图1和图2所示，本专利技术提供了一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置，其包括气源1、供气管路18、吹扫管路20和脉冲反吹管路19，其中：气源1，气源1出口有总阀2；供气管路18，供气管路18有两路，供气管路18包括依次连接的第一截止阀4、8，调压阀5、11和第二截止阀7、17；两路供气管路18汇成一路作为供气端21；吹扫管路20，包括文丘里15，文丘里15侧吸口分两路分别安装第三截止阀6、16，第三截止阀6、16连接到调压阀5、11后端；脉冲反吹管路19，包括依次连接反吹头9、13和第四截止阀10、12，第四截止阀10、12连接调压阀5、11前端；反吹头9、13包括壳体910，壳体910呈漏斗形，漏斗形大端的端部有凹槽909，凹槽909内安装卡盘904，同时漏斗形大端安装端盖902，端盖902卡住卡盘904起限位作用，端盖902设有出口作为第二接头901；卡盘904中心开有中心孔，中心孔安装阀杆906；漏斗形小端是用于连接压缩气体的第一接头912；壳体910内部有凸起911；阀杆906顶端有阀杆头907，阀杆907安装有弹簧908，阀杆头907在弹簧作用下顶住凸起911在壳体910内部截断成两个空间。优选地，所述端盖902和壳体910通过螺纹连接，必要的话为了密封效果还需要在端盖902和壳体910密封面加垫片，垫片可以选择镍垫片。优选地，所述文丘里15入口和反吹头9、13连接接压缩高纯氮气，高纯氮气的压力控制在90psi作用即可。优选地，所述文丘里15出口连接燃烧塔，根据硅烷性质是遇空气自燃，所以燃烧塔是不断向外鼓风，稀释残留硅烷废气，防止集中燃烧爆炸。优选地，所述第一接头912和第二接头901是VCR接头，VCR接头最早用于宇航工业，目前在半导体光电制造行业普遍使用；VCR接头洁净度高、密封性好，特别适用于要求无泄漏的超高纯净系统、超高真空系统及高压系统；VCR接头便于安装，具有最小拆卸间隙，可以反复拆装，只需重新更换新垫片即可。优选地，所述阀杆906、壳体910、卡盘904和端盖902同心。优选地，所述供气管路18两路之间装有第五截止阀3，使用时，一路作为备用，在脉冲反吹时也可对单路进行吹扫。操作步骤：吹扫管路20对整个供气管路吹扫过后，管路的硅烷已经下降到很低的浓度，拆开气源1，保持反吹气，此时总阀2、第五截止阀3、第一截止阀4、8也是打开的，其他阀门关闭；打开第四截止阀10、12，压缩氮气冲击阀杆头907形成憋压，待憋压压力超过弹簧908的弹力后，憋压冲开阀杆头907，高压气流进入管路；压力释放后，阀杆头907由于弹簧908作用归位堵住凸起911；如此一堵一放，形成脉冲气流清洗管道的二氧化硅从断开后的气源出口出去。可以得出的是，该装置可以实现对硅烷供应管路进行脉冲反吹，杜绝二氧化硅粉末对管路阀门的破坏。以上揭露的仅为本专利技术的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本专利技术之权利范围，因此依本专利技术权利要求所作地等同变化，仍属本专利技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置，其包括：气源（1），以及供气管路（18），供气管路（18）有两路，供气管路（18）包括依次连接的第一截止阀（4、8），调压阀（5、11）和第二截止阀（7、17）；两路供气管路（18）汇成一路作为供气端（21）；吹扫管路（20），包括文丘里（15），文丘里（15）侧吸口分两路分别安装第三截止阀（6、16），第三截止阀（6、16）连接到调压阀（5、11）后端；脉冲反吹管路（19），包括依次连接反吹头（9、13）和第四截止阀（10、12），第四截止阀（10、12）连接调压阀（5、11）前端；其特征在于，反吹头（9、13）包括壳体（910），壳体（910）呈漏斗形，漏斗形大端的端部有凹槽（909），凹槽（909）内安装卡盘（904），同时漏斗形大端安装端盖（902），端盖（902）卡住卡盘（904）起限位作用，端盖（902）设有出口作为第二接头（901）；卡盘（904）中心开有中心孔，中心孔安装阀杆（906）；漏斗形小端是用于连接压缩气体的第一接头（912）；壳体（910）内部有凸起（911）；阀杆（906）顶端有阀杆头（907），阀杆（907）安装有弹簧（908），阀杆头（907）在弹簧作用下顶住凸起（911）在壳体（910）内部截断成两个空间。...

【技术特征摘要】
1.一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置，其包括：气源（1），以及供气管路（18），供气管路（18）有两路，供气管路（18）包括依次连接的第一截止阀（4、8），调压阀（5、11）和第二截止阀（7、17）；两路供气管路（18）汇成一路作为供气端（21）；吹扫管路（20），包括文丘里（15），文丘里（15）侧吸口分两路分别安装第三截止阀（6、16），第三截止阀（6、16）连接到调压阀（5、11）后端；脉冲反吹管路（19），包括依次连接反吹头（9、13）和第四截止阀（10、12），第四截止阀（10、12）连接调压阀（5、11）前端；其特征在于，反吹头（9、13）包括壳体（910），壳体（910）呈漏斗形，漏斗形大端的端部有凹槽（909），凹槽（909）内安装卡盘（904），同时漏斗形大端安装端盖（902），端盖（902）卡住卡盘（904）起限位作用，端盖（902）设有出口作为第二接头（901）；卡盘（904）中心开有中心孔，中心孔安装阀杆（906）；漏斗形小端是用于连接压缩气体的第一接头（912）；壳体（910）...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立新，
申请(专利权)人：成都市美铭环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51