顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料以及有机发光二极管组件制造技术

本发明专利技术提供顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料以及有机发光二极管组件，该顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料具有通式(1)的结构，R’为烷基或具有通式(2)的结构，X表示CR36R37或NR38，R36具有通式(3)的结构，R37具有通式(4)的结构，R38具有通式(5)的结构，R1至R4、R6至R18及R39至R53选自于分别独立的氢原子、卤素原子、氰基、烷基、环烷基、烷氧基、胺基、卤烷基、硫烷基、硅烷基及烯基的其中之一，R5为氢原子、叔丁基或萘基，n为0或1。本发明专利技术顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料具有良好的光学、光电效应、良好的热稳定性以及成膜性。

CIS two styrene / Fluorene Derivatives and organic light-emitting diode assemblies

The invention provides a cis-stilbene/fluorene spiral derivative material and an organic light-emitting diode assembly. The cis-stilbene/fluorene spiral derivative material has a structure of general formula (1), R'is an alkyl or has a structure of general formula (2), X denotes CR36R37 or NR38, R36 has a structure of general formula (3), and R37 has a structure of general formula (4). R38 has a structure of general formula (5). R1 to R4, R6 to R18, and R39 to R53 are selected from one of the independent hydrogen atoms, halogen atoms, cyanogen, alkyl, cycloalkyl, alkoxy, amino, halogenated, thioalkyl, silyl, and olefin groups, R5 being hydrogen, tert-butyl or naphthalene, n being 0 or 1. The cis-stilbene/fluorene spirochete derivative material of the invention has good optical, photoelectric effect, good thermal stability and film forming property.

【技术实现步骤摘要】
顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料以及有机发光二极管组件
本专利技术关于一种材料及发光组件，特别关于一种顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料以及有机发光二极管组件。
技术介绍
随着电子科技的进步，重量轻、效率高的平面显示设备亦随之蓬勃发展。有机电激发光装置以其自发光、无视角限制、省电、工艺容易、成本低、高应答速度以及全彩化等优点，使其可望成为下一代平面显示设备的主流。一般来说，有机电激发光装置包括阳极、有机发光层以及阴极。当施以直流电流于有机电激发光装置时，电洞与电子分别由阳极与阴极注入有机发光层，由于外加电场所造成的电位差，使得载子在有机发光层中移动、相遇而产生再结合，而由电子与电洞结合所产生的激子(exciton)能够激发有机发光层中的发光分子，然后激发态的发光分子以光的形式释放出能量。现今有机电激发光装置多采用主客发光二体系统，其中有机发光层包括主体(host)材料以及客体(guest)材料，电洞与电子主要是传递至主体材料中进行结合以产生能量，此能量将转移至客体材料中以产生光线。其中客体材料可分为荧光发光材料与磷光发光材料，选用适当的荧光发光材料，理论上可以使得内部量子效率达25％，与磷光发光材料相比，荧光发光材料的寿命较长且成本较低。另外，有机发光层的材料选择除了能阶的匹配之外，还需要具有高热裂解温度，以避免高温而产生热裂解，进而导致稳定度下降。因此，本领域亟需开发一种同时具有良好的光学、光电效应及良好的热稳定性和成膜性的有机发光层的材料。
技术实现思路
有鉴于上述课题，本专利技术的目的为提供一种具有良好的光学、光电效应以及良好的热稳定性和成膜性的顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料以及有机发光二极管组件。为达上述目的，本专利技术提供一种顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料，其具有下列通式(1)的结构：其中，R’为烷基或具有下列通式(2)的结构，X表示CR36R37或NR38，R36具有下列通式(3)的结构，R37具有下列通式(4)的结构，R38具有下列通式(5)的结构，其中，R1至R4、R6至R18及R39至R53选自于分别独立的氢原子、卤素原子、氰基、烷基、环烷基、烷氧基、胺基、卤烷基、硫烷基、硅烷基及烯基的其中之一，R5为氢原子、叔丁基或萘基，n为0或1。在一实施例中，烷基为碳数1～6的取代的直链烷基、碳数1～6的不取代的直链烷基、碳数3～6的取代的支链烷基、碳数3～6的不取代的支链烷基，环烷基为碳数3～6的取代的环烷基、碳数3～6的不取代的环烷基，烷氧基为碳数1～6的取代的直链烷氧基、碳数1～6的不取代的直链烷氧基、碳数3～6的取代的支链烷氧基、碳数3～6的不取代的支链烷氧基，胺基为二级胺或三级胺，二级胺为具有1个芳香环取代基的胺基或具有1个碳数1～6的直链、支链或非芳香环烃取代基的胺基，三级胺为具有2个分别独立的芳香环取代基的胺基或具有2个分别独立的碳数1～6的直链、支链或非芳香环烃取代基的胺基，卤烷基为碳数1～6的取代的直链卤烷基、碳数1～6的不取代的直链卤烷基、碳数3～6的取代的支链卤烷基、碳数3～6的不取代的支链卤烷基，硫烷基为碳数1～6的取代的直链硫烷基、碳数1～6的不取代的直链硫烷基、碳数3～6的取代的支链硫烷基、碳数3～6的不取代的支链硫烷基，硅烷基为碳数1～6的取代的直链硅烷基、碳数1～6的不取代的直链硅烷基、碳数3～6的取代的支链硅烷基、碳数3～6的不取代的支链硅烷基，烯基为碳数2～6的取代的直链烯基、碳数2～6的不取代的直链烯基、碳数3～6的取代的支链烯基或碳数3～6的不取代的支链烯基。在一实施例中，顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料具有下列化学式(1)或化学式(2)的结构：在一实施例中，顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料的玻璃转换温度介于136℃至148℃之间。在一实施例中，顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料的热裂解温度介于414℃至475℃之间。在一实施例中，顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料的氧化电位介于0.63V与0.72V之间，且其还原电位介于-2.04V与-2.22V之间。在一实施例中，顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料的最高占有分子轨道能阶(EHOMO)介于-5.43eV与-5.52eV之间，且其最低未占有分子轨道能阶(ELUMO)介于-2.57eV与-2.76eV之间。为达上述目的，本专利技术提供一种有机发光二极管组件，其包括：第一电极层、第二电极层以及有机发光单元，有机发光单元配置于第一电极层与第二电极层之间，有机发光单元包含如通式(1)所示的顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料，其中，R’为烷基或具有下列通式(2)的结构，X表示CR36R37或NR38，R36具有下列通式(3)的结构，R37具有下列通式(4)的结构，R38具有下列通式(5)的结构，其中，R1至R4、R6至R18及R39至R53选自于分别独立的氢原子、卤素原子、氰基、烷基、环烷基、烷氧基、胺基、卤烷基、硫烷基、硅烷基及烯基的其中之一，R5为氢原子、叔丁基或萘基，n为0或1。在一实施例中，烷基为碳数1～6的取代的直链烷基、碳数1～6的不取代的直链烷基、碳数3～6的取代的支链烷基、碳数3～6的不取代的支链烷基，环烷基为碳数3～6的取代的环烷基、碳数3～6的不取代的环烷基，烷氧基为碳数1～6的取代的直链烷氧基、碳数1～6的不取代的直链烷氧基、碳数3～6的取代的支链烷氧基、碳数3～6的不取代的支链烷氧基，胺基为二级胺或三级胺，二级胺为具有1个芳香环取代基的胺基或具有1个碳数1～6的直链、支链或非芳香环烃取代基的胺基，三级胺为具有2个分别独立的芳香环取代基的胺基或具有2个分别独立的碳数1～6的直链、支链或非芳香环烃取代基的胺基，卤烷基为碳数1～6的取代的直链卤烷基、碳数1～6的不取代的直链卤烷基、碳数3～6的取代的支链卤烷基、碳数3～6的不取代的支链卤烷基，硫烷基为碳数1～6的取代的直链硫烷基、碳数1～6的不取代的直链硫烷基、碳数3～6的取代的支链硫烷基、碳数3～6的不取代的支链硫烷基，硅烷基为碳数1～6的取代的直链硅烷基、碳数1～6的不取代的直链硅烷基、碳数3～6的取代的支链硅烷基、碳数3～6的不取代的支链硅烷基，烯基为碳数2～6的取代的直链烯基、碳数2～6的不取代的直链烯基、碳数3～6的取代的支链烯基或碳数3～6的不取代的支链烯基。在一实施例中，顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料具有下列化学式(1)或化学式(2)的结构：在一实施例中，有机发光单元包括有机发光层。在一实施例中，有机发光单元更包括电洞传输层及电子传输层，其中有机发光层配置于电洞传输层与电子传输层之间。在一实施例中，有机发光单元更包括电洞注入层、电洞传输层、电子传输层及电子注入层，其中电洞注入层至电子注入层之间依序配置电洞传输层、有机发光层及电子传输层。在一实施例中，有机发光层包含顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料。在一实施例中，有机发光层包括主体材料及客体材料，客体材料包含顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料。在一实施例中，客体材料于有机发光层的含量介3％重量百分比至15％重量百分比之间。承上所述，本专利技术的顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料以及有机发光二极管组件是以顺式二苯乙烯/芴螺旋体系统为核心模板，混成双茚或吡咯并环。其中，具有几何刚性的顺式苯乙烯，有高共轭性和高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料，其具有下列通式(1)的结构：

【技术特征摘要】
2017.03.24 TW 1061100321.一种顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料，其具有下列通式(1)的结构：其中，R’为烷基或具有下列通式(2)的结构，X表示CR36R37或NR38，R36具有下列通式(3)的结构，R37具有下列通式(4)的结构，R38具有下列通式(5)的结构，其中，R1至R4、R6至R18及R39至R53选自于分别独立的氢原子、卤素原子、氰基、烷基、环烷基、烷氧基、胺基、卤烷基、硫烷基、硅烷基及烯基的其中之一，R5为氢原子、叔丁基或萘基，n为0或1。2.根据权利要求1所述的顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料，其中烷基为碳数1～6的取代的直链烷基、碳数1～6的不取代的直链烷基、碳数3～6的取代的支链烷基、碳数3～6的不取代的支链烷基，环烷基为碳数3～6的取代的环烷基、碳数3～6的不取代的环烷基，烷氧基为碳数1～6的取代的直链烷氧基、碳数1～6的不取代的直链烷氧基、碳数3～6的取代的支链烷氧基、碳数3～6的不取代的支链烷氧基，胺基为二级胺或三级胺，二级胺为具有1个芳香环取代基的胺基或具有1个碳数1～6的直链、支链或非芳香环烃取代基的胺基，三级胺为具有2个分别独立的芳香环取代基的胺基或具有2个分别独立的碳数1～6的直链、支链或非芳香环烃取代基的胺基，烷基为碳数1～6的取代的直链卤烷基、碳数1～6的不取代的直链卤烷基、碳数3～6的取代的支链卤烷基、碳数3～6的不取代的支链卤烷基，硫烷基为碳数1～6的取代的直链硫烷基、碳数1～6的不取代的直链硫烷基、碳数3～6的取代的支链硫烷基、碳数3～6的不取代的支链硫烷基，硅烷基为碳数1～6的取代的直链硅烷基、碳数1～6的不取代的直链硅烷基、碳数3～6的取代的支链硅烷基、碳数3～6的不取代的支链硅烷基，烯基为碳数2～6的取代的直链烯基、碳数2～6的不取代的直链烯基、碳数3～6的取代的支链烯基或碳数3～6的不取代的支链烯基。3.根据权利要求1所述的顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料，其具有下列化学式(1)或化学式(2)的结构：4.根据权利要求1所述的顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料，其玻璃转换温度介于136℃至148℃之间。5.根据权利要求1所述的顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料，其热裂解温度介于414℃至475℃之间。6.根据权利要求1所述的顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料，其氧化电位介于0.63V与0.72V之间，且其还原电位介于-2.04V与-2.22V之间。7.根据权利要求1所述的顺式二苯乙烯/芴螺旋体衍生物材料，其最高占有分子轨道能阶(EHOMO)介于-5.43eV与-5.52eV之间，且其最低未占有分子轨道能阶(ELUMO)介于-2.57eV与-2.76eV之间。8.一种有机发光二极管组件，其包括：第一电极层；第二电极层；以及有机发光单元，其配置于所述第一电极层与所述第二电极层之间，所述有机发光单元包含如通式(1)所示的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李真成，
申请(专利权)人：杰秀有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71