有机电子元件用化合物、利用该化合物的有机电子元件及其电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高元件的发光效率、稳定性以及寿命的新的化合物以及利用该化合物的有机电子元件、其电子装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电子元件用化合物、利用该化合物的有机电子元件及其电子装置
本专利技术涉及有机电子元件用化合物、利用该化合物的有机电子元件及其电子装置。
技术介绍
本专利技术涉及具有低驱动电压特性的空穴注入层、空穴输送层、发光辅助层材料以及包括这些层的有机电子元件。最近，平板显示元件正在起到以体现快速增长趋势的网络为中心支撑高度视觉信息化社会的作用。尤其是，作为自发光型可低电压驱动的有机电子发光元件(有机EL元件)相比于作为平板显示元件的主流液晶显示(liquidcrystaldisplay,LCD)可视角度以及对比度等优秀，而且无需背光，因此能够实现轻量以及超薄型，并且在功耗方面也具有优势。再则，响应速度块，显色范围广，因此该自发光型有机电子发光元件(有机EL元件)作为下一代显示元件而受到瞩目。一般，有机EL元件按照由透明电极构成的阳极(anode)、包括发光区域的有机薄膜以及金属电极(cathode)的顺序形成在玻璃基板上。此时，有机薄膜除了发光层以外，还可包括：空穴注入层(holeinjectionlayer,HIL)、空穴传输层(holetransportlayer,HTL)、电子传输层(transportlayer,ETL)或者电子注入层(electroninjectionlayer,EIL)；在关于发光层的发光特性方面，还可包括：电子阻挡层(electronblockinglayer,EBL)、空穴阻挡层(holeblockinglayer,HBL)或者发光辅助层。若对这种结构的有机EL元件施加电场，则从阳极注入空穴，从阴极注入电子，注入的空穴与电子分别经过空穴传输层与电子传输层在发光层重组(recombination)形成发光激子(exitons)。形成的发光激子转变为基态(groundstates)的同时发光，此时为了提高发光状态的效率与稳定性，也将发光着色剂(客体)掺杂在发光层(主体)中。为了将该有机电子元件灵活应用于各种显示媒体，元件的寿命比什么都重要，因此现在正在进行增加有机电子元件的寿命的各种研究。尤其是，为了实现有机电子元件优秀的寿命特性，对插入于诸如空穴传输层或者发光辅助层的缓冲层(bufferlayer)的有机物质正在进行各种研究，为此正在要求赋予从阳极至有机层的高空穴转移特性，同时通过在沉积之后形成薄膜时具有高均匀度和低结晶度的空穴注入层以及空穴传输层材料。要求开发如下的空穴注入层以及空穴传输层材料：延迟作为缩短有机电子元件寿命的原因之一的从阳极电极(ITO)向有机层渗透金属氧化物，并且对于在元件驱动时产生的焦热(Jouleheating)具有稳定的特性。另外，已报告了空穴传输层材料的低玻璃化转变温度极大地影响元件的寿命，并且这取决于被破坏的薄膜表面的均匀性的特性。另外，在形成OLED元件的过程中，主要使用蒸镀方法，因此需要开发能够长时间承受该沉积方法的材料，即耐热性优秀的材料。尤其是，有机发光元件的主要克服的问题是随着移动电话或者平板PC等的面板尺寸大型化，急需克服与耗电以及寿命相关的问题。但是，作为空穴传输层材料很难同时克服驱动电压与寿命问题。而具有高空穴迁移率的材料大部分具有富含电子的平面结构。例如，萘、芴和菲。但是对空穴传输材料导入上述结构额化合物作为取代基时，虽然空穴迁移率增加到一定次数，对寿命也有很好的影响。但是如果为了达到在当今工业所要求的低电压驱动目标而增加分子数，则可实现降低驱动电压的同时能够低电压驱动，但是显示寿命特性急剧变差的结果。其原因在于，在导入过量富含电子的平面结构的分子的情况，在评价元件寿命时持续供应预定电流，此时在板状结构之间孔被捕集而稳定化，据此降低空穴迁移率，体现出元件寿命急剧变差的结构。这由以下等式表示。J＝空间电荷限制电流ε＝介电常数μ＝迁移率系数θ＝电荷陷阱系数(自由电荷/总电荷)V＝电压d＝厚度作为陷阱(Trap)现象，若自由电荷(FreeCarrier)的数量减少，则θ值变小，据此在需要预定电流(current)的电流驱动方式的有机电子发光元件中驱动电压上升，进而可给寿命带来非常致命的结果。据此，引入超过一定数量的能够增加空穴迁移率的富电子板状结构，给寿命带来非常不好的影响，利用这一现象可降低驱动电压的可能性非常低。据此，为了解决上述的现有技术的问题并达成本专利技术的目的，在本专利技术中提出了一下的方法：作为得到高寿命的方法，使用以适当比例取代重氢的方法，进而具有长寿命。参考专利文献可以是KR1020130076842A。
技术实现思路
(要解决的问题)本专利技术的目的如下：为了实现作为有机电子元件要求特性的低电压驱动与高寿命元件，在由芴取代的胺系化合物中取代重氢来完成低电压驱动以及高寿命元件。(解决问题的手段)本专利技术提供一种有机电子元件，其特征在于，包括：由化学式1表示的化合物以及包含该化合物的有机电子元件。化学式1(专利技术的效果)利用本专利技术的化合物，进而能够达成元件的高发光效率、低驱动电压、高耐热性，并且能大幅度提高元件的色纯度以及寿命。附图说明图1是本专利技术的一种有机电致发光元件的示例图。(附图标记说明)100:有机电子元件110:基板120:第一电极(阳极)130:空穴注入层140:空穴传输层141:缓冲层150:发光层151:发光辅助层160:电子传输层170:电子注入层180:第二电极(阴极)具体实施方式对于由重氢取代的化合物，与未取代的化合物进行比较，可确认到体现出更多的热力学运动。在这种热力学特性中，可以确认到当铱化合物被重氢取代的情况下，其特性根据碳、氢以及碳、重氢结合长度的不同而变化。由重氢构成的化合物相比于未被重氢取代的化合物，随着结合长度缩短而发生分子间的范德华力的弱化，因此可具有更高的发光效率。另外，由重氢取代的情况下，零点能量(ZeroPointEnergy)，即基态能量降低，并且重氢-碳的结合长度小于氢-碳的结合长度，据此缩小分子核心体积(Molecularhardcorevolume)，进而可以减少电子极化率(Electroicalpolarizability)。对此，一般为了提高OLED寿命和驱动特性，在实现必要的非晶态是非常有效的。但是，对于由重氢取代来降低驱动电压、即提高空穴传输物质的空穴传输程度(Mobility)的方法现在尚未进行大量的研究，而在本研究中为了确认这一特性，利用各种化合物进行了大量的实验。另外，在用由重氢替换的化合物形成膜时，由可极大地影响薄膜的空穴迁移率的非晶玻璃(Amorphousglass)形成薄膜，该非晶玻璃通过各向同性(Isotropic)与均质(Homogeneous)性减少晶界(Grainboundary)，进而可以加速电荷流动，即空穴迁移率。更加详细说明本专利技术，被芴取代的胺系化合物具有缩短寿命的缺点。但是，在现有的技术中并未证实对该部分的改善效果，尤其是还未曾有过在特定位置通过重氢取代改善寿命特性的现有技术的报告。通过本专利技术人的研究开发结果，提供包含由重氢取代的芴系化合物的胺系化合物，以保持上述有机电子元件的有机物层的优秀的特性的同时还能够符合有机材料的要求特性。以下，参照实施例详细说明本专利技术的实施例。在说明本专利技术的过程中，对于相关的公知结构或者功能的具体说明使本专利技术的要点不清楚的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，由以下化学式1表示:化学式1

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.13 KR 10-2016-00043411.一种化合物，由以下化学式1表示:化学式1在所述化学式(1)中，1)Ar1是从由C6-C60的芳基、在O、N、S、Si及P中至少含一个杂原子的C2-C60的杂环基、C3-C60的脂环和C6-C60的芳香环的混合环基、C1-C50的烷基、C2-C30的烯基、C2-C30的炔基、C1-C30的烷氧基、C6-C30的芳氧基以及-L'-N(Ra)(Rb)组成的群组中选出；2)R1以及R2：a)相互独立地从由氢、重氢、C1-C50的烷基、C2-C30的烯基、C2-C30的炔基、C1-C30的烷氧基、C6-C60的芳氧基、C1-C30的甲硅烷基、C6-C60的芳基、在O、N、S、Si及P中至少含一个杂原子的C2-C60的杂环基以及芴基组成的群组中选出；或者b)R1以及R2相互结合，与结合的碳或者Si一同形成螺旋化合物；3)R4、R5、R6、R7以及R8：a)，相互独立地从由氢、重氢、C1-C50的烷基、C2-C30的烯基、C2-C30的炔基、C1-C30的烷氧基、C6-C60的芳氧基、C1-C30的甲硅烷基、C6-C60的芳基、在O、N、S、Si及P中至少含一个杂原子的C2-C60的杂环基、芴基以及-L'-N(Ra)(Rb)组成的群组中选出；或者b)，相邻的R4、R5、R6、R7、R8同类相互结合形成至少一个环；4)但是R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8中的至少一个必须被重氢取代；5)L1以及L2相互独立地从由单键、C6-C60的芳基、芴基以及包含O、N、S、Si及P中的至少一种杂原子的C2-C60的杂环基、C3-C60的脂环和C6-C60的芳香环的混合环基组成的群组中选出；6)a以及d分别独立地表示0至3的整数；b、c、e、f分别独立地表示0至4的整数；7)所述L’从由C6-C60的芳基、芴基、C3-C60的脂环和C6-C60的芳香环的混合环基以及C2-C60的杂环基组成的群组的选出；所述Ra以及Rb相互独立地从由C6-C60的芳基、芴基、C3-C60的脂环和C6-C60的芳香环的混合环基以及包含O、N、S、Si及P中的至少一种杂原子的C2-C60的杂环基组成的群组的选出；其中，所述芳基、杂芳基、芴基、亚芳基、杂环基、稠合环基、芴基还可被从由重氢、卤素、硅烷基、硅氧烷基、硼基、锗基、氰基、硝基、-L'-N(Ra)(Rb)、C1-C20的烷硫基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李们在，金璱起，文成允，李善希，崔莲姬，吕承垣，
申请(专利权)人：德山新勒克斯有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR