一种阵列基板及制备方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及制备方法，所述方法包括以下步骤：先提供一基板，在所述基板上依次制备缓冲层、多晶硅层以及第一栅绝缘层；然后在所述第一栅绝缘层上制备一层第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层上制备一层第一防光阻不黏金属膜，曝光显影后形成图案化的栅极和位于所述栅极表面的第一防光阻不黏金属图案；以此保护所述栅极不被环境腐蚀和氧化从而避免出现断线现象。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及制备方法
本专利技术涉及显示制造
，尤其涉及一种阵列基板及制备方法。
技术介绍
在AMOLED显示屏生产制程中，首先会在玻璃基板上进行一层PlasticFilm(目前工艺材料是聚酰亚胺，Polyimide)的涂布，作为阵列基板制程的基底，之后会在基底上进行阵列基板制作工艺，经过11道mask(光罩)工艺制作形成TFT阵列基板，部分结构如图1所示，其在制备Gate(栅极)工艺时，先在前一层工艺(多晶硅层101)基础上镀一层第一栅绝缘层102，在形成该第一栅绝缘层102的基础上进行镀第一栅极金属膜(材料mo，钼)，随后进行所述第一栅极金属膜黄光工艺，刻蚀形成栅极图案103，在所述栅极图案103形成后再镀一层第二栅绝缘层104，之后再镀上一层第二栅极金属膜(材料mo，钼)，再进行黄光工艺，刻蚀形成栅极电容106，之后在所述栅极电容106上制备一层间绝缘层105。在进行上述第一栅极金属膜与第二栅极金属膜黄光工艺中，因为mo金属很容易发生氧化，同时洁净室环境存在有机溶剂，容易附着在mo表面对光阻的粘附性造成下降，导致黄光曝光后有因光阻不粘导致栅极断线不良产生，从而影响显示器件的导电性能。因此，有必要提供一种阵列基板及制备方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及制备方法，能够保护用于制备栅极及栅极电容的钼金属不被环境腐蚀和氧化，保证黄光光阻的粘附性，使得栅极在黄光工艺时不会发生断线问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次制备缓冲层、多晶硅层以及第一栅绝缘层；步骤S2、在所述第一栅绝缘层上制备一层第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层上制备一层第一防光阻不黏金属膜，曝光显影后形成图案化的栅极和位于所述栅极表面的第一防光阻不黏金属图案；其中，所述第一防光阻不黏金属图案与所述栅极经由同一道光罩制成。根据本专利技术一优选实施例，所述方法还包括以下步骤：步骤S3、在所述第一防光阻不黏金属图案上依次制备第二栅绝缘层、第二栅极金属层以及第二防光阻不黏金属膜，曝光显影后形成图案化的栅极电容和位于所述栅极电容上的第二防光阻不黏金属图案；其中，所述第二防光阻不黏金属图案与所述栅极电容经由同一道光罩制成。根据本专利技术一优选实施例，所述方法还包括以下步骤：步骤S4、在所述第二防光阻不黏金属图案上制备一层间绝缘层，图案化后形成对应所述多晶硅层的源极区域与漏极区域且贯穿所述间绝缘层、所述第二栅绝缘层以及所述第一栅绝缘层的过孔；步骤S5、在所述间绝缘层上制备一层源漏极金属层，图案化后形成与所述源极区域电性连接的源极，以及与所述漏极区域电性连接的漏极。根据本专利技术一优选实施例，所述第一栅极金属层与所述第二栅极金属层的材料为钼。根据本专利技术一优选实施例，所述第一栅极金属层与所述第二栅极金属层的厚度为2500A。根据本专利技术一优选实施例，所述第一防光阻不黏金属膜与所述第二防光阻不黏金属膜的材料为钛。根据本专利技术一优选实施例，所述第一防光阻不黏金属膜与所述第二防光阻不黏金属膜的厚度为500A。根据本专利技术一优选实施例，所述第一防光阻不黏金属膜与所述第二防光阻不黏金属膜的制备方法包括采用真空溅射镀膜机进行镀膜。本专利技术还提供一种阵列基板，包括：基板；缓冲层，制备于所述基板上；多晶硅层，制备于所述缓冲层上；第一栅绝缘层，制备于所述多晶硅层上；栅极，对应所述多晶硅层制备于所述第一栅绝缘层上；第一防光阻不黏金属层，制备于所述栅极表面；其中，所述第一防光阻不黏金属层在所述基板上的投影区域与所述栅极在所述基板上的投影区域重叠。根据本专利技术一优选实施例，所述阵列基板还包括：第二栅绝缘层，制备于所述第一防光阻不黏金属层上；栅极电容，对应所述栅极制备于所述第二栅绝缘层上；第二防光阻不黏金属层，制备于所述栅极电容表面；其中，所述第二防光阻不黏金属层在所述基板上的投影区域与所述栅极电容在所述基板上的投影区域重叠。本专利技术的有益效果为：本专利技术的阵列基板及制备方法，通过在栅极以及栅极电容的金属钼材料上镀一层防光阻不黏金属膜(比如Ti)，起到保护金属钼不被氧化的目的，同时因防光阻不黏金属膜的耐腐蚀性强，不容易被环境有机溶剂污染，从而起到保护黄光光阻粘附性的作用，避免了光阻的粘附性降低问题，制程简单，降低成本，在不增加光罩的情况下减少黄光工艺中栅极光阻粘附性下降引起的断线问题。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法流程图；图3A～3L为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术针对现有技术的阵列基板，在栅极黄光工艺中因钼金属容易发生氧化，同时环境中的有机溶剂容易附着在钼表面对光阻的粘附性造成下降，导致黄光曝光后因光阻不粘导致断线不良的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。参阅图2，为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法流程图。所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次制备缓冲层、多晶硅层以及第一栅绝缘层；如图3A所示，提供一衬底基板301，所述衬底基板301包括显示区域与非显示区域，在所述衬底基板301上制备一层缓冲层302，在所述缓冲层302对应所述显示区域制备图案化的多晶硅层303，其中所述多晶硅层303包括位于两端的源极区域与漏极区域，并用清洁装置304清理所述多晶硅层303表面。如图3B所示，在所述多晶硅层303表面制备一层第一栅绝缘层305，所述第一栅绝缘层305的材料为SiO2等非金属材料，所述第一栅绝缘层305的厚度约1300A。并采用所述清洁装置304清理所述第一栅绝缘层305表面，如图3C所示。步骤S2、在所述第一栅绝缘层上制备一层第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层上制备一层第一防光阻不黏金属膜，曝光显影后形成图案化的栅极和位于所述栅极表面的第一防光阻不黏金属图案；如图3D所示，在所述第一栅绝缘层305表面制备一层第一栅极金属层306。优选的，所述第一栅极金属层306的材料为金属钼。优选的，所述第一栅极金属层306的厚度约为2500A。该金属钼材料极易与空气中的一些物质发生氧化，容易被环境中的有机溶剂污染易造成断线等不良现象，但其导电性能优良，用于显示器件中则需解决上述问题才能更好的保证显示器件良好的性能。如图3E所示，接着在所述第一栅极金属层306上制备一层第一防光阻不黏金属膜307。所述第一防光阻不黏金属膜307的制备方法可采用真空溅射镀膜机进行镀膜。该第一防光阻不黏金属膜307具备良好的抗氧化性及耐腐蚀性，可以起到保护金属钼材料不被氧化，以及能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次制备缓冲层、多晶硅层以及第一栅绝缘层；步骤S2、在所述第一栅绝缘层上制备一层第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层上制备一层第一防光阻不黏金属膜，曝光显影后形成图案化的栅极和位于所述栅极表面的第一防光阻不黏金属图案；其中，所述第一防光阻不黏金属图案与所述栅极经由同一道光罩制成。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次制备缓冲层、多晶硅层以及第一栅绝缘层；步骤S2、在所述第一栅绝缘层上制备一层第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层上制备一层第一防光阻不黏金属膜，曝光显影后形成图案化的栅极和位于所述栅极表面的第一防光阻不黏金属图案；其中，所述第一防光阻不黏金属图案与所述栅极经由同一道光罩制成。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：步骤S3、在所述第一防光阻不黏金属图案上依次制备第二栅绝缘层、第二栅极金属层以及第二防光阻不黏金属膜，曝光显影后形成图案化的栅极电容和位于所述栅极电容上的第二防光阻不黏金属图案；其中，所述第二防光阻不黏金属图案与所述栅极电容经由同一道光罩制成。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：步骤S4、在所述第二防光阻不黏金属图案上制备一层间绝缘层，图案化后形成对应所述多晶硅层的源极区域与漏极区域且贯穿所述间绝缘层、所述第二栅绝缘层以及所述第一栅绝缘层的过孔；步骤S5、在所述间绝缘层上制备一层源漏极金属层，图案化后形成与所述源极区域电性连接的源极，以及与所述漏极区域电性连接的漏极。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一栅极金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：李朝，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42