阵列基板及其制造方法、显示面板、电子装置制造方法及图纸

一种阵列基板及其制造方法、显示面板、电子装置，该阵列基板包括显示区域和周边区域，显示区域包括像素区域，像素区域包括第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源层；周边区域包括第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管包括第二有源层，且第一有源层的材料包括氧化物半导体，第二有源层的材料包括多晶硅半导体。该阵列基板可用于显示面板，可以提高显示面板的对比度，节省掩模工艺，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板、电子装置
本专利技术的实施例涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、电子装置。
技术介绍
在有源矩阵显示领域，薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)为该领域核心技术之一。薄膜晶体管例如包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极等结构。薄膜晶体管作为像素开关元件或驱动电路元件广泛应用于各种显示装置中，这些显示装置例如为液晶显示器、有机发光二极管显示器、电子纸显示器等。显示装置的像素阵列通常由多行栅线和与之交错的多列数据线限定形成。在子像素单元中，薄膜晶体管作为开关元件，在栅极控制下，外部数据信号可以通过薄膜晶体管向子像素单元中的像素电极写入，实施充电和放电。通常，对栅线的驱动可以通过邦定在阵列基板上的集成驱动电路(IC芯片)实现。近几年随着非晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管制备工艺的不断发展，也可以将栅极驱动电路直接制备集成在阵列基板上构成GOA(GatedriverOnArray)栅极驱动电路来对栅线进行驱动。例如，可以采用由多个级联的移位寄存器单元构成的GOA栅极驱动电路，为像素阵列的多行栅线提供开关态电压信号，例如控制多行栅线依序打开。GOA技术有助于实现显示装置的窄边框，并且可以降低生产成本。
技术实现思路
本专利技术至少一个实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括显示区域和周边区域，所述显示区域包括像素区域，所述像素区域包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层；所述周边区域包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第一有源层的材料包括氧化物半导体，所述第二有源层的材料包括多晶硅半导体。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板还包括衬底基板和层叠在所述衬底基板上的层间绝缘层，其中，相对于所述衬底基板，所述第一薄膜晶体管的第一栅极和所述第一有源层均形成在所述层间绝缘层上；所述第二薄膜晶体管的第二栅极和所述第二有源层均形成在所述层间绝缘层和所述衬底基板之间。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板还包括层叠在所述层间绝缘层上的第一钝化层以及层叠在所述第一钝化层上的第二钝化层，其中，所述像素区域还包括像素电极和公共电极，所述公共电极形成在所述第一钝化层上且所述第二钝化层覆盖所述公共电极；所述像素电极形成在所述第二钝化层上，且通过所述第一钝化层和所述第二钝化层中的第一过孔与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接。例如，在本专利技术一实施例提供的阵列基板中，所述显示区域还包括触控引线，所述触控引线与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极或与所述第二薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极形成在同一层，且所述触控引线与所述公共电极电连接。例如，在本专利技术一实施例提供的阵列基板中，所述显示区域还包括第一连接电极，所述第一连接电极与所述像素电极形成在同一层，且所述第一连接电极通过所述第一钝化层和所述第二钝化层中的第二过孔以及所述第二钝化层中的第三过孔将所述触控引线与所述公共电极电连接。例如，在本专利技术一实施例提供的阵列基板中，所述周边区域至少包括GOA栅极驱动电路，所述GOA栅极驱动电路包括所述第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的第二源漏极通过栅线与所述第一薄膜晶体管的第一栅极电连接，且所述第二薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极与所述第一栅极形成在同一层，所述栅线与所述第二薄膜晶体管的第二栅极形成在同一层。例如，在本专利技术一实施例提供的阵列基板中，所述周边区域还包括连接区，所述连接区包括第一电极、第二电极、第二连接电极，其中，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极同层；所述第二电极与所述第二薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极同层；所述第二连接电极与所述像素电极同层，且所述第二连接电极通过所述第一钝化层和所述第二钝化层中的第四过孔和第五过孔将所述第一电极与所述第二电极电连接。例如，在本专利技术一实施例提供的阵列基板中，所述周边区域还包括邦定区，所述邦定区包括第四电极、第五电极、第三连接电极，其中，所述第四电极与所述第二薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极同层；所述第五电极与所述第二薄膜晶体管的第二栅极同层；所述第三连接电极与所述像素电极同层，且所述第四电极、第五电极、第三连接电极通过所述第二钝化层和所述层间绝缘层中的第六过孔彼此电连接。本专利技术至少一实施例提供一种显示面板，该显示面板包括本专利技术任一实施例的阵列基板。本专利技术至少一实施例提供一种电子装置，该电子装置包括本专利技术任一实施例的显示面板。本专利技术至少一实施例提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括显示区域和周边区域，该制造方法包括：在所述显示区域形成像素区域，其中，所述像素区域包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层；在所述周边区域形成第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层。所述第一有源层的材料包括氧化物半导体，所述第二有源层的材料包括多晶硅半导体。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，所述周边区域至少包括GOA栅极驱动电路，所述GOA栅极驱动电路包括所述第二薄膜晶体管，所述方法还包括：通过对第一导电薄膜进行构图以形成栅线和所述第二薄膜晶体管的第二栅极；以及通过对第二导电薄膜进行构图以形成所述第二薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极和所述第一薄膜晶体管的第一栅极，其中，所述第二薄膜晶体管的第二源漏极与所述第一薄膜晶体管的第一栅极通过所述栅线电连接。例如，本专利技术一实施例提供的方法中，所述阵列基板还包括衬底基板，所述方法还包括：在所述衬底基板上依次形成第一钝化层和第二钝化层，以覆盖所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；在所述像素区域内的所述第一钝化层和所述第二钝化层之间形成公共电极以及在所述第二钝化层上形成像素电极；其中，所述像素电极通过穿过所述第一钝化层和所述第二钝化层中的第一过孔与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接。例如，本专利技术一实施例提供的方法还包括：在所述显示区域形成触控引线，所述触控引线与所述公共电极电连接，其中，形成所述触控引线包括：通过对第三导电薄膜进行构图以形成所述触控引线和所述第一薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极；或者，通过对第三导电薄膜进行构图以形成所述触控引线和所述第二薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极。例如，本专利技术一实施例提供的方法还包括：在所述第一钝化层和所述第二钝化层中形成第二过孔，在所述第二钝化层中形成第三过孔；对第四导电薄膜进行构图以在所述显示区域的所述第二钝化层上形成第一连接电极和所述像素电极；其中，所述第一连接电极通过所述第二过孔和第三过孔将所述触控引线与所述公共电极电连接。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1A为本专利技术一实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；图1B为沿着图1A中的A-A’线剖取的剖面结构示意图；图2为一种GOA栅极驱动电路的电路结构图；图3为本专利技术一实施例的第一示例提供的一种阵列基板的部分剖面结构示意图；图4为本专利技术一实施例的第二示例提供的一种阵列基板的部分剖面结构示意图；图5为本专利技术一实施例的第三示例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；图6A-图6G为本专利技术另一实施例提供的阵列基板在制造过程本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括显示区域和周边区域，其中，所述显示区域包括像素区域，所述像素区域包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层；所述周边区域包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层；其中，所述第一有源层的材料包括氧化物半导体，所述第二有源层的材料包括多晶硅半导体。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括显示区域和周边区域，其中，所述显示区域包括像素区域，所述像素区域包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层；所述周边区域包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层；其中，所述第一有源层的材料包括氧化物半导体，所述第二有源层的材料包括多晶硅半导体。2.如权利要求1所述的阵列基板，还包括衬底基板和层叠在所述衬底基板上的层间绝缘层，其中，相对于所述衬底基板，所述第一薄膜晶体管的第一栅极和所述第一有源层均形成在所述层间绝缘层上，所述第二薄膜晶体管的第二栅极和所述第二有源层均形成在所述层间绝缘层和所述衬底基板之间。3.如权利要求2所述的阵列基板，还包括层叠在所述层间绝缘层上的第一钝化层以及层叠在所述第一钝化层上的第二钝化层，其中，所述像素区域还包括像素电极和公共电极，所述公共电极形成在所述第一钝化层上且所述第二钝化层覆盖所述公共电极；所述像素电极形成在所述第二钝化层上，且通过所述第一钝化层和所述第二钝化层中的第一过孔与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接。4.如权利要求3所述的阵列基板，其中，所述显示区域还包括触控引线，所述触控引线与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极或与所述第二薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极形成在同一层，且所述触控引线与所述公共电极电连接。5.如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述显示区域还包括第一连接电极，所述第一连接电极与所述像素电极形成在同一层，且所述第一连接电极通过所述第一钝化层和所述第二钝化层中的第二过孔以及所述第二钝化层中的第三过孔将所述触控引线与所述公共电极电连接。6.如权利要求1-5任一所述的阵列基板，其中，所述周边区域至少包括GOA栅极驱动电路，所述GOA栅极驱动电路包括所述第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的第二源漏极通过栅线与所述第一薄膜晶体管的第一栅极电连接，其中，所述第二薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极与所述第一薄膜晶体管的第一栅极形成在同一层；所述栅线与所述第二薄膜晶体管的第二栅极形成在同一层。7.如权利要求3-6任一所述的阵列基板，其中，所述周边区域还包括连接区，所述连接区包括第一电极、第二电极、第二连接电极，其中，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极同层；所述第二电极与所述第二薄膜晶体管的第一源漏极和第二源漏极同层；所述第二连接电极与所述像素电极同层，且所述第二连接电极通过所述第一钝化层和所述第二钝化层中的第四过孔和第五过孔将所述第一电极与所述第二电极电连接。8.如权利要求3-6任一所述的阵列基板，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，李付强，樊君，刘白灵，张建军，刘雨生，李梅，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11