一种新型三维集成封装结构制造技术

本发明专利技术为一种简便、高效、能满足多功能需求的三维集成封装结构，该封装结构由若干个二维结构通过TSV转接板互连。二维封装结构包括芯片、TSV转接板、再布线层、键合丝、微凸点构成，芯片倒扣焊或者粘接在TSV转接板凹槽内，在所得结构表面设有再布线层，并且通过再布线层以及TSV转接板通孔金属材料实现芯片的信号互连。本发明专利技术通过芯片凸点或者引线键合与TSV转接板互连，形成一个整体，减小了封装体积。芯片通过TSV转接板可实现多层三维集成，集成度高，工艺简单，成品率高，提高生产效率。通过在TSV转接板可实现不同功能芯片多功能、系统级三维集成。

【技术实现步骤摘要】
一种新型三维集成封装结构
本专利技术属于集成电路封装
，尤其涉及一种新型三维集成封装结构。
技术介绍
三维集成作为拓展摩尔定律并实现异质器件集成和小型化、多样性高价值系统方案的热点技术，近年来已经成为集成电路领域最重要的发展方向之一。通过多层芯片堆叠并利用三维互连实现多层芯片的电信号互连，三维集成技术充分利用第三维尺寸，解决目前集成电路面临的数据传输带宽、芯片功耗和速度等问题。通过多种异质芯片的集成，三维集成还实现数字、模拟、射频、传感器、处理器和存储器等多功能系统集成提供了解决途径。三维集成技术的发展，使集成电路领域有可能不再仅仅依靠晶体管尺寸的不断缩小和巨额投资，在相当长的一段时间内仍旧可以继续按照摩尔定律的速度向前发展。传统的三维集成封装主要通过封装器件的三维堆叠，或者芯片的三维叠层来实现，这种集成方式将会导致集成度低、体积大、重量大、电性能差、不够灵活。TSV技术是实现三维集成封装的主要技术之一。TSV是一个在硅（芯片、晶圆或硅芯片载片）上占得通孔，并填充导电材料以在模块或子系统形成垂直互连。基于TSV技术的三维集成封装主要优势在于：更小的互联延迟、更快的速度、更低的寄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型三维集成封装结构的制作方法，其特征在于：A、根据芯片尺寸大小、芯片焊盘或凸点分布、电互连设计要求，设计制作TSV转接板圆片，TSV转接板圆片包含再布线层，再布线实现TSV转接板内部互连；B、在所述TSV转接板圆片背面上制作若干凹槽，所述凹槽尺寸、厚度与所述芯片尺寸、厚度相匹配；C、将芯片高精度倒扣焊在TSV转接板圆片凹槽中，芯片凸点与凹槽中TSV焊盘焊接互连；D、在所述TSV转接板圆片背面TSV焊盘上制作微凸点，最后切割，形成单颗的基于TSV技术的二维集成封装结构；E、所述二维集成封装结构通过TSV中填充金属实现芯片与TSV转接板互连集成，然后通过转接板微凸点实现多颗二维集成封装结...

【技术特征摘要】
1.一种新型三维集成封装结构的制作方法，其特征在于：A、根据芯片尺寸大小、芯片焊盘或凸点分布、电互连设计要求，设计制作TSV转接板圆片，TSV转接板圆片包含再布线层，再布线实现TSV转接板内部互连；B、在所述TSV转接板圆片背面上制作若干凹槽，所述凹槽尺寸、厚度与所述芯片尺寸、厚度相匹配；C、将芯片高精度倒扣焊在TSV转接板圆片凹槽中，芯片凸点与凹槽中TSV焊盘焊接互连；D、在所述TSV转接板圆片背面TSV焊盘上制作微凸点，最后切割，形成单颗的基于TSV技术的二维集成封装结构；E、所述二维集成封装结构通过TSV中填充金属实现芯片与TSV转接板互连集成，然后通过转接板微凸点实现多颗二维集成封装结构Z向堆叠集成，制成三维集成封装结构。2.根据权利要求1所述的制成三维集成封装结构的方法，其特征在于：芯片与凹槽焊盘互连还可以通过引线键合互连工艺实现。3.根据权利要求1所述的制成三维集成封装结构的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚昕，明雪飞，吉勇，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32