一种陶瓷转接板结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种陶瓷转接板结构，包括：陶瓷基板；设置在所述陶瓷基板第一面的第一表面绝缘层；设置在所述陶瓷基板与第一面相对的第二面的第二表面绝缘层；以及设置在所述陶瓷基板内且贯穿所述陶瓷基板的导电通孔。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷转接板结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种陶瓷转接板结构及其制造方法。
技术介绍
自集成电路专利技术以来，随着电子器件小型化的不断发展，电子系统的集成度越来越高，然而目前器件的物理尺寸已经接近二维器件的技术极限，单纯通过缩小x-y方向的器件尺寸对于性能的提升已经十分有限。三维集成技术作为一种系统级封装的新方法，充分利用了z方向的空间，成为大规模集成的一种有效途径。而其中基板通孔技术是实现3D堆叠封装的主要趋势，通过垂直互连，使得转接板的正反两面都能够制作电路，大幅缩短芯片和芯片之间的互连距离，从而降低延时，提高响应速度，基板通孔技术由于其与众不同的优势，在很长一段时间内，都将是高性能和高密度三维封装的关键技术。目前基板通孔技术中应用广泛的是硅通孔(TSV)技术、玻璃通孔(TGV)技术和陶瓷通孔(TCV)技术。其中，由于TSV技术易于通过深反应离子刻蚀(DRIE)硅得到高深宽比的TSV孔，并且硅的加工工艺和集成电路工艺兼容，硅与集成电路非常匹配的热膨胀系数(CTE)，因此TSV技术成为目前3D硅集成和3DIC集成的核心。但是由于硅的半导体特性，为避免本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷转接板结构，包括：陶瓷基板；设置在所述陶瓷基板第一面的第一表面绝缘层；设置在所述陶瓷基板与第一面相对的第二面的第二表面绝缘层；以及设置在所述陶瓷基板内且贯穿所述陶瓷基板的导电通孔。

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷转接板结构，包括：陶瓷基板；设置在所述陶瓷基板第一面的第一表面绝缘层；设置在所述陶瓷基板与第一面相对的第二面的第二表面绝缘层；以及设置在所述陶瓷基板内且贯穿所述陶瓷基板的导电通孔。2.如权利要求1所述的陶瓷转接板结构，其特征在于，所述陶瓷基板材料为氮化铝、氮化硼、氧化铍、氧化铝。3.如权利要求1所述的陶瓷转接板结构，其特征在于，所述第一绝缘层和/或第二绝缘层材料为聚酰亚胺。4.如权利要求1所述的陶瓷转接板结构，其特征在于，所述第一绝缘层和/或第二绝缘层材料为氧化硅、氮化硅。5.如权利要求1所述的陶瓷转接板结构，其特征在于，还包括：设置在所述第一绝缘层上方且电连接至所述导电通孔的导电线路和焊盘；设置在所述第一绝缘层上方且电连接至所述焊盘的芯片；覆盖于所述芯片及所述导电线路的塑封层；设置在所述第二绝缘层上且电连接至所述导电通孔的外接焊盘；以及设置在所述外接焊盘上的焊球。6.如权利要求5所述的陶瓷转接板结构，其特征在于，所述芯片通过倒装焊电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙雅婷，丁桂甫，孙云娜，石现，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海,31