本发明专利技术提供一种电容式隔膜真空计及干刻蚀设备腔体压力测试系统。该电容式隔膜真空计包括：相邻的第一腔室和第二腔室、设于所述第一腔室和第二腔室之间的压力隔膜、设于所述第一腔室中的测量电极、设于所述第一腔室中并与测量电极间隔设置的参考电极以及设于所述第二腔室中的过滤网；所述第二腔体用于通入干刻蚀设备腔体的气体；所述过滤网用于吸附干刻蚀设备腔体的制程副产物以及腔体污染物，防止制程副产物以及腔体污染物附着在压力隔膜上，导致压力隔膜发生永久变形或破损，提高电容式隔膜真空计的测试精度，延长电容式隔膜真空计的使用寿命，保证干刻蚀设备腔体的真空压力值稳定，提高刻蚀率均一性。
【技术实现步骤摘要】
电容式隔膜真空计及干刻蚀设备腔体压力测试系统
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种电容式隔膜真空计及干刻蚀设备腔体压力测试系统。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)与彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的LCD而言，LTPSTFT由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的TFT实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了TFT所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度。在液晶显示及芯片制造行业，均采用干刻蚀(DryEtch)工艺，DryEtch工艺需要在低压高真空的环境中进行的，通常只有10～50mTorr，所以必须要求制程腔真空压力非常稳定，需要使腔体的压力维持在某一水准。现有技术通过一电容式真空压力计通过隔膜的弯曲量来测定真空压力，由于制程中副产物容易在真空计的隔膜上附着，隔膜容易被腐蚀，而且隔膜弯曲量随着时间会发生永久变形甚至破损，即使定期手动调零，真空压力量测仍然存在一定误差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电容式隔膜真空计，通过过滤网吸附制程副产物以及腔体污染物，防止制程副产物以及腔体污染物附着在压力隔膜表面，导致压力隔膜发生永久变形或破损，测试精度高，使用寿命长。本专利技术的目的还在于提供一种干刻蚀设备腔体压力测试系统，始终将腔体的真空压力值维持在一标准值，保证腔体的真空压力值稳定，提高刻蚀率均一性。为实现上述目的，本专利技术提供了一种电容式隔膜真空计，包括：相邻的第一腔室和第二腔室、设于所述第一腔室和第二腔室之间的压力隔膜、设于所述第一腔室中的测量电极、设于所述第一腔室中并与测量电极间隔设置的参考电极以及设于所述第二腔室中的过滤网；所述第二腔体用于通入干刻蚀设备腔体的气体；所述过滤网用于吸附干刻蚀设备腔体的制程副产物以及腔体污染物。所述电容式隔膜真空计还包括设于所述第二腔室中并位于压力隔膜与过滤网之间的加热电路。所述过滤网的材料为聚四氟乙烯。所述压力隔膜的材料为铬镍铁合金。所述压力隔膜的厚度为10um～90um。本专利技术还提供一种干刻蚀设备腔体压力测试系统，包括：腔体、与所述腔体连接的气体管道、设于所述气体管道上的压力调节器以及与所述气体管道连接并与压力调节器电性连接的上述的电容式隔膜真空计；所述电容式隔膜真空计用于测试腔体内的真空压力值，并反馈给压力调节器；所述压力调节器用于对腔体内的真空压力值进行调节。所述干刻蚀设备腔体压力测试系统还包括与所述气体管道端部连接的真空泵。所述干刻蚀设备腔体压力测试系统还包括设于所述气体管道上并位于腔体与压力调节器之间的隔离阀。本专利技术的有益效果：本专利技术的电容式隔膜真空计包括：相邻的第一腔室和第二腔室、设于所述第一腔室和第二腔室之间的压力隔膜、设于所述第一腔室中的测量电极、设于所述第一腔室中并与测量电极间隔设置的参考电极以及设于所述第二腔室中的过滤网；所述第二腔体用于通入干刻蚀设备腔体的气体；所述过滤网用于吸附干刻蚀设备腔体的制程副产物以及腔体污染物，防止制程副产物以及腔体污染物附着在压力隔膜上，导致压力隔膜发生永久变形或破损，提高电容式隔膜真空计的测试精度，延长电容式隔膜真空计的使用寿命，保证干刻蚀设备腔体的真空压力值稳定，提高刻蚀率均一性。本专利技术的干刻蚀设备腔体压力测试系统，通过电容式隔膜真空计与压力调节器相配合，始终将腔体的真空压力值维持在一标准值，保证腔体的真空压力值稳定，提高刻蚀率均一性。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的电容式隔膜真空计的示意图；图2为本专利技术的干刻蚀设备腔体压力测试系统的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术的电容式隔膜真空计包括：相邻的第一腔室11和第二腔室12、设于所述第一腔室11和第二腔室12之间的压力隔膜13、设于所述第一腔室11中的测量电极14、设于所述第一腔室11中并与测量电极14间隔设置的参考电极15以及设于所述第二腔室12中的过滤网16；所述第二腔体12用于通入干刻蚀设备腔体的气体；所述过滤网16用于吸附干刻蚀设备腔体的制程副产物以及腔体污染物，防止制程副产物以及腔体污染物附着在压力隔膜13上。需要说明的是，所述压力隔膜13将第一腔室11和第二腔室12分隔开，使两者不连通，所述第一腔室11内具有一基准压力P1，所述第二腔室12通入干刻蚀设备腔体的气体，使第二腔室12内具有一测试压力P2，当基准压力P1与测试压力P2具有压强差时，压力隔膜13会产生形变量，当压强差越大时，压力隔膜13的形变量也越大。当所述第二腔室12通入干刻蚀设备腔体的气体之前，压力隔膜13未产生形变量，所述测量电极14与压力隔膜13之间的距离等于所述参考电极15与压力隔膜13之间的距离，参考电极15与压力隔膜13之间产生一参考电容值，接着压力隔膜13产生形变量，压力隔膜13与测量电极14之间的距离产生变化，测量电极14与压力隔膜13之间产生一测量电容值，通过比较测量电容值与参考电容值得到一电容变化值，进而通过该电容变化值可得到压力隔膜13所受到的测试压力P2，从而可以得知干刻蚀设备腔体内的真空压力值。而由于干刻蚀设备腔体在制程过程中会产生制程副产物以及腔体污染物，通过过滤网16吸附制程副产物以及腔体污染物，防止制程副产物以及腔体污染物附着在压力隔膜13表面，导致压力隔膜13发生永久变形或破损，提高电容式隔膜真空计的测试精度，延长电容式隔膜真空计的使用寿命，保证干刻蚀设备腔体的真空压力值稳定，提高刻蚀率均一性。进一步地，所述电容式隔膜真空计还包括设于所述第二腔室12中并位于压力隔膜13与过滤网16之间的加热电路17，所述加热电路17用于对第二腔室12进行加热，同时对吸附在过滤网16上的干刻蚀设备腔体的制程副产物以及腔体污染物进行加热，达到处理制程副产物以及腔体污染物的目的。优选地，所述过滤网16的材料为聚四氟乙烯。优选地，所述压力隔膜13的材料为铬镍铁合金，由于干刻蚀设备腔体的气体通常具有腐蚀性，采本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电容式隔膜真空计，其特征在于，包括：相邻的第一腔室(11)和第二腔室(12)、设于所述第一腔室(11)和第二腔室(12)之间的压力隔膜(13)、设于所述第一腔室(11)中的测量电极(14)、设于所述第一腔室(11)中并与测量电极(14)间隔设置的参考电极(15)以及设于所述第二腔室(12)中的过滤网(16)；所述第二腔体(12)用于通入干刻蚀设备腔体的气体；所述过滤网(16)用于吸附干刻蚀设备腔体的制程副产物以及腔体污染物。
【技术特征摘要】
1.一种电容式隔膜真空计，其特征在于，包括：相邻的第一腔室(11)和第二腔室(12)、设于所述第一腔室(11)和第二腔室(12)之间的压力隔膜(13)、设于所述第一腔室(11)中的测量电极(14)、设于所述第一腔室(11)中并与测量电极(14)间隔设置的参考电极(15)以及设于所述第二腔室(12)中的过滤网(16)；所述第二腔体(12)用于通入干刻蚀设备腔体的气体；所述过滤网(16)用于吸附干刻蚀设备腔体的制程副产物以及腔体污染物。2.如权利要求1所述的电容式隔膜真空计，其特征在于，还包括设于所述第二腔室(12)中并位于压力隔膜(13)与过滤网(16)之间的加热电路(17)。3.如权利要求1所述的电容式隔膜真空计，其特征在于，所述过滤网(16)的材料为聚四氟乙烯。4.如权利要求1所述的电容式隔膜真空计，其特征在于，所述压力隔膜(13)的材料为铬镍铁合金。5.如权利要求1所述的电容式隔膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁俊，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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