共用输入电容的高压栅极驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种共用输入电容的高压栅极驱动电路，该电路包括有芯片和外围电路，芯片包括有稳压电路和驱动电路，外围电路包括有负载和其他外围；驱动电路连接稳压电路的VDD引脚，稳压电路和驱动电路之间连接有CVDD电容的一端；驱动电路连接有脉冲信号，并通过驱动脉冲连接有驱动开关管M0的栅极；驱动开关管M0的源极接地，开关管M0的漏极通过负载和其他外围连接输入电压；输入电压与负载和其他外围之间通过驱动电路接地，输入电压与驱动电路之间通过稳压电路接地，输入电压与稳压电路之间通过输入高压电容接地。相比于现有技术，在本发明专利技术当中，通过共用外部电容CVIN从而省去了外部的低压旁路电容CVDD，减小了芯片面积，降低成本。

【技术实现步骤摘要】
共用输入电容的高压栅极驱动电路
本专利技术属于开关电源领域，特别涉及一种共用输入电容的高压栅极驱动电路。
技术介绍
由于开关电源电路具有效率高的特点，所以目前市场上大部分的电源均为开关电源。但是，在开关电源电路中由于在开关管导通的瞬间驱动电路的驱动电流高达几百毫安甚至几安，所以给驱动电路供电的电源需要一个电容，在开关管导通瞬间提供驱动的能量从而不会使电源有大幅度的波动，避免了电路的误操作和误触发等现象的出现，保证了开关电源的稳定性和可靠性。由于电容的使用从而增加了整个系统的购买成本和生产成本等。传统技术的技术特征在于：芯片通过外接低压电源旁路滤波电容CVDD来提供驱动电路瞬间需要的大电流，从而避免了低压电源的波动，可以得到低压电源的稳定性和可靠性。另一种则需要增加芯片的面积为代价获得外围旁路电容的缺省，而且输入的电压VIN也被限制在较低的电压下，限制了应用范围。传统技术的缺点在于：由于外置电容成本和生产成本的上升，或芯片面积成本上升，导致了整个系统成本的上升，且限制了应用范围，从而降低了市场的竞争力。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种通过共用外部电容CVIN从而省去了外部的低压旁路电容CVDD，大大的减小了芯片的面积，降低了整个系统成本的共用输入电容的高压栅极驱动电路。本专利技术的另外一个目的在于，提供一种共用输入电容的高压栅极驱动电路，其不会对输入电压VIN进行限制，从而使得系统的应用范围更广，外围元件更少，成本更低。为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下。本专利技术提供一种共用输入电容的高压栅极驱动电路，该电路包括有芯片和外围电路，所述芯片包括有稳压电路和驱动电路，所述外围电路包括有负载和其他外围；所述稳压电路接地，并通过芯片的AVIN引脚连接输入电压VIN，所述驱动电路通过VDD引脚连接所述稳压电路，所述VDD引脚还通过CVDD电容接地；所述驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、接地和通过芯片DVIN引脚连接输入电压VIN，并通过驱动脉冲DRV连接开关管M0的栅极；所述开关管M0的源极接地，所述开关管M0的漏极通过所述负载和其他外围连接输入电压VIN；所述输入电压VIN通过外部电容CVIN接地。所述驱动电路包括有MOS管低压驱动电路，所述低压驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、供电电压VDD、MOS管MH0的栅极、MOS管ML0的栅极和接地，所述MOS管MH0的漏极连接芯片DVIN引脚，所述MOS管ML0的源极接地，所述MOS管MH0的源极和所述MOS管ML0的漏极相连并连接有驱动脉冲DRV；其中，MOS管MH0采用高压NMOS管，MOS管ML0采用低压NMOS管。所述驱动电路包括有三极管低压驱动电路，所述低压驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、供电电压VDD、三极管QH0的基极、三极管QL0的基极和接地，所述三极管QH0的集电极连接芯片DVIN引脚，所述三极管QL0的发射极接地，所述三极管QH0的发射极和所述三极管QL0的集电极相连并连接有驱动脉冲DRV；其中，所述三极管QH0采用高压管，所述三极管QL0采用低压管。一种共用输入电容的高压栅极浮地驱动电路，该电路包括有芯片和外围电路，所述芯片包括有稳压电路和驱动电路，所述外围电路包括有负载和其他外围；所述稳压电路接浮地，并通过芯片AVIN引脚连接输入电压VIN，所述驱动电路通过VDD引脚连接所述稳压电路，所述VDD引脚还通过CVDD电容接浮地；所述驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、接浮地和通过芯片DVIN引脚连接输入电压VIN，并通过驱动脉冲DRV连接有开关管M0的栅极；所述开关管M0的漏极连接输入电压VIN；所述开关管M0的源极连接有所述芯片VSS引脚并接浮地，所述开关管M0的源极还通过所述负载和其他外围连接有外部电容CVIN的一端，所述外部电容CVIN的另一端连接所述输入电压VIN，所述外部电容CVIN与所述负载和其他外围之间接地。本专利技术还提供了共用输入电容的高压栅极源极驱动电路，该电路包括有芯片和外围电路，所述芯片包括有稳压电路和驱动电路，所述外围电路包括有负载和其他外围；所述稳压电路接地和通过芯片AVIN引脚连接输入电压VIN，并通过VCC引脚连接有MOS管MH的栅极，所述稳压电路通过VDD引脚连接所述驱动电路，所述VDD引脚还通过CVDD电容接地；所述驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、输入电压VIN和接地，并通过驱动脉冲DRV连接有开关管M0的栅极；所述开关管M0的源极接地，所述开关管M0的漏极连接所述MOS管MH的源极，所述MOS管MH的漏极通过所述负载和其他外围连接输入电压VIN；所述输入电压VIN通过外部电容CVIN接地。本专利技术的优势在于：相比于现有技术，在本专利技术当中，(1)本专利技术的共用输入电容的高压栅极驱动电路，又利用驱动电路中的最后一级采用高压管驱动，其余采用低压MOS管，以减小芯片面积；通过共用外部电容CVIN从而省去了外部的低压旁路电容CVDD，大大的减小了芯片的面积，降低了整个系统成本，且不会对输入电压VIN进行限制，使得系统的应用范围更广，外围元件更少，成本更低。(2)本专利技术共用输入电容的高压栅极驱动电路的MOS管低压驱动电路，驱动电路中的MH0采用高压NMOS管，ML0采用低压NMOS管，驱动这两个NMOS管的驱动电路都采用低压MOS管，有效共用了外部电容CVIN，大大减小芯片的面积，节省了成本，并且不会限制输入电压VIN的范围。(3)本专利技术共用输入电容的高压栅极驱动电路的三极管低压驱动电路，采用三极管实现驱动电路；驱动电路中的三极管QH0采用高压管，三极管QL0采用低压管，驱动这两个三极管的驱动电路都采用低压三极管或低压MOS管，有效共用了外部电容CVIN，大大减小芯片的面积，节省了成本，并且不会限制输入电压VIN的范围。(4)本专利技术共用输入电容的高压栅极浮地驱动电路，采用了浮地驱动的方式，通过共用外部电容CVIN从而省去了外部的低压旁路电容CVDD，大大的减小了芯片的面积，降低了整个系统成本，又不会对输入电压VIN进行限制，使得系统的应用范围更广，外围元件更少，成本更低。(5)本专利技术共用输入电容的高压栅极源极驱动电路，采用了源极驱动的方式，增加了源极驱动电路，通过共用外部电容CVIN从而省去了外部的低压旁路电容CVDD，大大的减小了芯片的面积，降低了整个系统成本，又不会对输入电压VIN进行限制，使得系统的应用范围更广，外围元件更少，成本更低。附图说明图1是现有技术一种常见的驱动开关管电路图。图2是现有技术一种常见的驱动电路图。图3是现有技术另一种常见的驱动开关管电路图。图4是现有技术另一种常见的驱动电路图。图5是本专利技术共用输入电容的高压栅极驱动电路的电路图。图6是本专利技术MOS管低压驱动电路的电路图。图7是本专利技术MOS管低压驱动电路的第一种实现方式。图8是本专利技术MOS管低压驱动电路的第二种实现方式。图9是本专利技术三极管低压驱动电路的电路图。图10是本专利技术共用输入电容的高压栅极浮地驱动电路的电路图。图11是本专利技术共用输入电容的高压栅极源极驱动电路的电路图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种共用输入电容的高压栅极驱动电路，该电路包括有芯片和外围电路，所述芯片包括有稳压电路和驱动电路，所述外围电路包括有负载和其他外围；其特征在于，所述稳压电路接地，并通过芯片的AVIN引脚连接输入电压VIN，所述驱动电路通过VDD引脚连接所述稳压电路，所述VDD引脚还通过CVDD电容接地；所述驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、接地和通过芯片DVIN引脚连接输入电压VIN，并通过驱动脉冲DRV连接开关管M0的栅极；所述开关管M0的源极接地，所述开关管M0的漏极通过所述负载和其他外围连接输入电压VIN；所述输入电压VIN通过外部电容CVIN接地。

【技术特征摘要】
1.一种共用输入电容的高压栅极驱动电路，该电路包括有芯片和外围电路，所述芯片包括有稳压电路和驱动电路，所述外围电路包括有负载和其他外围；其特征在于，所述稳压电路接地，并通过芯片的AVIN引脚连接输入电压VIN，所述驱动电路通过VDD引脚连接所述稳压电路，所述VDD引脚还通过CVDD电容接地；所述驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、接地和通过芯片DVIN引脚连接输入电压VIN，并通过驱动脉冲DRV连接开关管M0的栅极；所述开关管M0的源极接地，所述开关管M0的漏极通过所述负载和其他外围连接输入电压VIN；所述输入电压VIN通过外部电容CVIN接地。2.如权利要求1所述的共用输入电容的高压栅极驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括有MOS管低压驱动电路，所述低压驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、供电电压VDD、MOS管MH0的栅极、MOS管ML0的栅极和接地，所述MOS管MH0的漏极连接芯片DVIN引脚，所述MOS管ML0的源极接地，所述MOS管MH0的源极和所述MOS管ML0的漏极相连并连接有驱动脉冲DRV。3.如权利要求1所述的共用输入电容的高压栅极驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括有三极管低压驱动电路，所述低压驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、供电电压VDD、三极管QH0的基极、三极管QL0的基极和接地，所述三极管QH0的集电极连接芯片DVIN引脚，所述三极管QL0的发射极接地，所述三极管QH0的发射极和所述三极管QL0的集电极相连并连接有驱动脉冲DRV。4.一种共用输入电...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴玉强，黄朝刚，李剑，
申请(专利权)人：泉芯电子技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44