The invention discloses a production method of a discharge tube, which in turn comprises the following steps: laser marking step, front base diffusion step, extended base diffusion step, base diffusion step, emission stage diffusion step, passivation layer deposition step, and metal step. By optimizing the process, the invention can greatly improve the yield and reduce the cost, so as to improve the market competitiveness of the product.
【技术实现步骤摘要】
放电管生产方法
本专利技术涉及一种放电管生产方法。
技术介绍
现有放电管是一种使用于设备输入端的高压保护元件，若其两端的电压高过其保护规格值时，其内部会出现短路现象，并吸收掉输入的过高压。现有放电管在生产过程中由于基区工艺复杂导致成本高且由于工艺的繁复导致良率波动大，对产品交期和产能造成很大影响。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种放电管生产方法，通过流程优化可以大大改善良率并降低成本使产品提高市场竞争力。根据本专利技术的目的提出一种放电管生产方法，其依次包括以下步骤：激光打标步骤、前基级扩散步骤、扩展基级扩散步骤、基级扩散步骤、发射级扩散步骤、钝化层沉积步骤、和金属步骤。在上述技术方案的基础上，进一步包括如下附属技术方案：所述基级扩散步骤中基级的浓度为42-57ohm/sq。所述发射级扩散步骤中的发射级面积为1633K平方微米－1814K平方微米。所述发射级扩散步骤中的发射极推进时间为180分钟－220分钟。所述激光打标步骤中利用激光的高温在硅表面形成固定的图形凹坑。所述前基级扩散步骤中通过高温扩散工艺在P型半导体硅体内形成P+型前基级。高温范围在1100℃到1275℃之间，需要热电偶测量监控。所述扩展基级扩散步骤中通过高温扩散工艺在P型半导体硅体内形成N+型扩展基级。所述基级扩散步骤步骤中通过高温扩散工艺在P型半导体硅体内形成N+型基级。所述发射级扩散步骤中通过高温扩散工艺在N型半导体硅体内形成P+型发射级。所述钝化层沉积步骤中通过电泳法使带负极的玻璃粉末在正电场的吸引下沉积在硅片表面形成钝化层保护PN结，且金属步骤中通过化学反应法将含磷...
【技术保护点】
1.一种放电管生产方法，其特征在于依次包括以下步骤：激光打标步骤、前基级扩散步骤、扩展基级扩散步骤、基级扩散步骤、发射级扩散步骤、钝化层沉积步骤、和金属步骤。
【技术特征摘要】
1.一种放电管生产方法，其特征在于依次包括以下步骤：激光打标步骤、前基级扩散步骤、扩展基级扩散步骤、基级扩散步骤、发射级扩散步骤、钝化层沉积步骤、和金属步骤。2.如权利要求1所述的一种放电管生产方法，其特征在于：所述基级扩散步骤中基级的浓度为42-57ohm/sq。3.如权利要求1所述的一种放电管生产方法，其特征在于：所述发射级扩散步骤中的发射级面积为1633K平方微米－1814K平方微米。4.如权利要求1或2或3所述的一种放电管生产方法，其特征在于：所述发射级扩散步骤中的发射极推进时间为180分钟－220分钟。5.如权利要求4所述的一种放电管生产方法，其特征在于：所述激光打标步骤中利用激光的高温在硅表面形成固定的图形凹坑。6.如权利要求5所述的一种放电管生产方法，其特征在于：所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：时以成，
申请(专利权)人：苏州德森瑞芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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