The present invention relates to an asymmetrical voltage discharge tube and its manufacturing method. The manufacturing methods include oxidation, photolithography, ion implantation, boron diffusion, phosphorus diffusion, mesa corrosion, glass passivation, metal evaporation, electrical parameter testing and packaging. In the ion implantation process, different doses of ion source are injected into the semiconductor wafer by the positive and negative semiconductor wafer, and the ion source is pushed to a predetermined depth. The invention relates to an asymmetric voltage discharge tube and its manufacturing method of ion source of different doses were injected through positive and negative in the semiconductor wafer, so that the impurity concentration near the semiconductor pn junction after boron diffusion is not consistent, so that the semiconductor wafer is negative the breakdown voltage is not uniform, the chip used in input and output ports of surge protection can the voltage is not uniform.
【技术实现步骤摘要】
非对称电压放电管及其制造方法
本专利技术涉及放电管
,特别涉及一种非对称电压放电管及其制造方法。
技术介绍
用户线接口电路(SubscriberLineInterfaceCircuit,SLIC)芯片用于实现各种用户线与交换机之间的连接。因为SLIC芯片对外界的干扰比较敏感,所以对SLIC芯片相应的保护是必不可少的。现有的SLIC芯片的保护方法有三种。第一种保护方法采用可编程器件,例如可编程晶闸管,以SLIC的最高电压为参考电压,当SLIC芯片的TIP/RING端口的电压超过触发电压,则可编程晶闸管开始工作。第二种保护方法采用4颗单向放电管,分成两组,分别连接在SLIC芯片的TIP/RING端口。第三种保护方法采用2颗双向放电管取代4颗单向放电管,分别连接在SLIC芯片的TIP/RING端口。经专利技术人的研究发现,第一种方法虽然可以灵活有效的保护SLIC芯片,但是其防浪涌能力低,成本高,而且需要外接电源对其进行供电;第二种方法虽然防浪涌能力高,不需要外接电源,但是其成本高,且占用空间大;第三种方法虽然占用空间比第二种方法小,但是SLIC芯片TIP/RING端的工作电压不一致,则其对称的双向放电管无法精细地保护SLIC芯片。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种非对称电压放电管及其制造方法,旨在提高SLIC芯片的保护精度和降低保护成本。本专利技术非对称电压放电管的制造方法,包括氧化、光刻、离子注入、硼扩散、磷扩散、台面腐蚀、玻璃钝化、金属蒸发、电参数测试、封装工序。其中,在离子注入工序中,分别由半导体晶片的正反面向半导体晶片内注入不同剂量的离子源 ...
【技术保护点】
一种非对称电压放电管的制造方法,包括氧化、光刻、离子注入、硼扩散、磷扩散、台面腐蚀、玻璃钝化、金属蒸发、电参数测试、封装工序,其特征在于,在离子注入工序中,分别由半导体晶片的正反面向半导体晶片内注入不同剂量的离子源,并将离子源推深至预定深度;所述半导体晶片正面注入离子源的能量为60KeV~100KeV、剂量为4.5E14~5.5E14cm‑2,由半导体晶片反面注入离子源的能量为60KeV~100KeV、剂量为4E14~5E14cm‑2;所述离子源包括:磷离子源或砷离子源。
【技术特征摘要】
1.一种非对称电压放电管的制造方法,包括氧化、光刻、离子注入、硼扩散、磷扩散、台面腐蚀、玻璃钝化、金属蒸发、电参数测试、封装工序,其特征在于,在离子注入工序中,分别由半导体晶片的正反面向半导体晶片内注入不同剂量的离子源,并将离子源推深至预定深度;所述半导体晶片正面注入离子源的能量为60KeV~100KeV、剂量为4.5E14~5.5E14cm-2,由半导体晶片反面注入离子源的能量为60KeV~100KeV、剂量为4E14~5E14cm-2;所述离子源包括:磷离子源或砷离子源。2.如权利要求1所述的非对称电压放电管的制造方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:盖浩然,
申请(专利权)人:青岛东浩软件科技有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
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