【技术实现步骤摘要】
一种放电管芯片的制造方法
本专利技术涉及一种放电管芯片的制造方法,属于半导体放电管制造工艺
技术介绍
半导体放电管是一种过压保护器件,其依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流,使用时半导体放电管可直接跨接在被保护电路两端,在其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。在半导体放电管的制作后期,需要对硅片进行切割(即划片),以获得单个放电管芯片,在此切割过程中形成的切割面则失去绝缘保护。切割后的放电管芯片需要进行烧结,在芯片上放置焊片,焊片上压铜电极。在烧结过程中,焊片融化将芯片与铜电极连接。在此过程中,当焊料过多时或是电极较偏时,熔化的焊料将流向芯片的切割面上,焊料凝固后将造成芯片短路。特别是目前发展起来的芯片集成封装形式,因底板没有凸台,更容易因焊料外溢造成芯片短路。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种放电管芯片的制造方法,该方法能有效避免芯片在烧结过程中造成的切割面短路问题。为了解决上述技术问题,本专利技术的技术方案是:一种放电管芯片的制造方法,其包括以下步骤:(1)对硅片的两面同时进行一次氧化,形成一次氧化层。(2)对硅片一次氧化层的深硼区进行光刻。(3)深硼扩散,深硼扩散的温度在1050-1150℃范围内,深硼扩散时间在50-100分钟。(4)深硼氧化,深硼氧化的温度在1220-1270℃范围内,深硼氧化时间在30-120小时。(5)对硅片的基区进行光刻。(6)在950-1050℃下进行淡硼扩散,扩散时间为50-100分钟。(7)在1220-1270℃下进行淡硼氧化,氧化时间为7-15小时。(8) ...
【技术保护点】
一种放电管芯片的制造方法,其特征在于包括以下步骤:(1)对硅片的两面同时进行一次氧化,形成一次氧化层;(2)对硅片一次氧化层的深硼区进行光刻;(3)深硼扩散,深硼扩散的温度在1050‑1150℃范围内,深硼扩散时间在50‑100分钟;(4)深硼氧化,深硼氧化的温度在1220‑1270℃范围内,深硼氧化时间在30‑120小时;(5)对硅片的基区进行光刻;(6)在950‑1050℃下进行淡硼扩散,扩散时间为50‑100分钟;(7)在1220‑1270℃下进行淡硼氧化,氧化时间为7‑15小时;(8)对硅片的发射区进行光刻;(9)在1130‑1170℃下进行磷扩散,扩散时间为40‑60分钟;(10)对硅片上两芯片之间进行台面槽光刻;(11)利用硅腐蚀液对台面槽光刻部位进行台面槽腐蚀;(12)在1150‑1190℃下进行氧化,氧化时间为40‑100分钟;(13)对硅片进行双面引线光刻;(14)对硅片进行双面金属化;(15)金属光刻;(16)在真空状态下对硅片进行合金化。
【技术特征摘要】
1.一种放电管芯片的制造方法,其特征在于包括以下步骤:(1)对硅片的两面同时进行一次氧化,形成一次氧化层;(2)对硅片一次氧化层的深硼区进行光刻;(3)深硼扩散,深硼扩散的温度在1050-1150°C范围内,深硼扩散时间在50-100分钟;(4)深硼氧化,深硼氧化的温度在1220-1270°C范围内,深硼氧化时间在30-120小时;(5)对硅片的基区进行光刻;(6)在950-1050°C下进行淡硼扩散,扩散时间为50-100分钟;(7)在1...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈林,刘志雄,
申请(专利权)人:常熟市聚芯半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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