一种低电容低压放电管制造技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种低电容低压放电管，包括外围N+区、N+区内的P+区和N+与P+之间的N-区，P+区上扩散有N+区，P+区上扩散的N+区上均匀分布有短路点，外围N+区与P+区具有若干不连续的相交块，本专利技术的放电管结构简单，通过N+区与P+区的若干不连续的相交块形成8V左右电压的同时，在放雷击效果不变的基础上，使电容Cp降低，从而获得低电容的放电管。【专利说明】-种低电容低压放电管
本专利技术设及一种低电容低压放电管，属于半导体放电管制造工艺
。
技术介绍
半导体放电管是一种过压保护器件，其依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电， 可W流过很大的浪涌电流或脉冲电流，使用时半导体放电管可直接跨接在被保护电路两 端，在其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。 低压放电管一般在形成8V左右的电压的同时，产生较高的电容Cp，高电容Cp严重 影响着低压放电管的适用范围。例如，在高频线路中，常常需要用到小电容的放电管，若电 容Cp值较大时，将不能适用在高频线路中。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种低电容低压放电管，该放电管在确保正常 参数的基础上具有较低的电容。 为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是： 一种低电容低压放电管，包括外围N+区、N+区内的P+区和N+与P+之间的N节，P + 区上扩散有N+区，P +区上扩散的N +区上均匀分布有短路点，外围N +区与P +区具有若干不 连续的相交块。所述单个相交块的宽度小于80 y m。 为了获得较大的初始导通面积，所...
【技术保护点】
一种低电容低压放电管，包括外围N+区、N+区内的P+区和N+与P+之间的N‑区，P+区上扩散有N+区，P+区上扩散的N+区上均匀分布有短路点，其特征在于：外围N+区与P+区具有若干不连续的相交块。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈林，刘志雄，
申请(专利权)人：常熟市聚芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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