The double-sided detection device and the detection method provided by the invention include a load-bearing unit, a material to be tested on the load-bearing unit, a light source, a focal plane adjustment unit, a detection unit and a ranging unit. The focal plane adjustment unit includes a zoom lens and a control device connected with the zoom lens, a light source, a zoom lens, and a detection unit. The measuring unit and the ranging unit are equipped with two, symmetrically located on the upper and lower sides of the material to be tested. The ranging unit is used to measure the height of the zoom lens corresponding to the distance between the upper and lower sides of the material to be tested. The control device adjusts the focal length of the zoom lens according to the measured height so that the upper and lower surfaces of the material to be tested are at the optimal focal plane at the same time. The light emitted by the light source is scattered by a foreign object on the material to be detected, and the scattered light is imaged by a zoom lens and then enters the detection unit. The invention realizes the detection of foreign bodies on the upper and lower surfaces by one scanning, greatly reduces the detection time and improves the detection efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种双面检测装置及检测方法
本专利技术涉及光刻
,具体涉及一种双面检测装置及检测方法。
技术介绍
在半导体集成电路或平板显示的制备工艺中,为提高产品良率,污染控制是一个至关重要的环节,即在曝光前对掩模版、硅片或玻璃基板进行异物(包括外来颗粒、指纹、划痕、针孔等)检测。现有集成在光刻设备中的颗粒检测装置通常采用暗场散射测量技术,其结构如图1所示。为保证曝光质量,掩模版的玻璃(glass)面50和薄膜(pellicle)面60都必须检测。其中针对玻璃面50,从辐射光源10发出的探测光线101经掩模上的异物20散射,散射光线102由成像镜组30成像后进行探测单元40。薄膜面的检测方法相同。然而由于掩模版的厚度有多个标准,玻璃的厚度范围为3~6.35mm,薄膜的厚度范围为2~5mm。现有检测装置在检测不同规格掩模版时,上下表面无法同时处于其对应光路的最佳焦面,因此需要将上下表面的检测分为两次,先将上表面调整到上光路的最佳焦面,进行颗粒测量,再对版叉进行Z向位置调整,将下表面调整到下光路的最佳焦面,再次进行颗粒测量,至此完成一次测量流程。由于在Z向调整过程中,电机需要带动版叉及掩模版进行Z轴方向的垂直运动,增加了测量过程中的风险,同时调整到焦面这一动作需要耗时2-3s时间,影响了设备检测产率。如图2所示,该装置的检测过程如下:Step1:版叉带动掩模版运动至调焦位,耗时5s;Step2:调焦传感器进行玻璃高度测量,并调整待测面至最佳焦面,耗时1s;Step3:执行同步扫描检测,版叉从静止加速到匀速,耗时0.5s;接着匀速扫描30s,同时探测单元进行同步采样,实 ...
【技术保护点】
1.一种双面检测装置,其特征在于,包括:承载单元、设于所述承载单元上的待检测物料、光源、焦面调整单元、探测单元以及测距单元,所述焦面调整单元包括变焦透镜和与所述变焦透镜连接的控制装置,所述光源、变焦透镜、探测单元以及测距单元均设有两个,对称设于所述待检测物料上下两侧,所述测距单元用于测量所述待检测物料上下两侧距离对应的变焦透镜的高度,所述控制装置根据测量的高度调整所述变焦透镜的焦距使所述待检测物料上下表面同时处在最佳焦面处,所述光源发出的光线经待检测物料上的异物发生散射,散射光线经过变焦透镜成像后进入探测单元。
【技术特征摘要】
1.一种双面检测装置,其特征在于,包括:承载单元、设于所述承载单元上的待检测物料、光源、焦面调整单元、探测单元以及测距单元,所述焦面调整单元包括变焦透镜和与所述变焦透镜连接的控制装置,所述光源、变焦透镜、探测单元以及测距单元均设有两个,对称设于所述待检测物料上下两侧,所述测距单元用于测量所述待检测物料上下两侧距离对应的变焦透镜的高度,所述控制装置根据测量的高度调整所述变焦透镜的焦距使所述待检测物料上下表面同时处在最佳焦面处,所述光源发出的光线经待检测物料上的异物发生散射,散射光线经过变焦透镜成像后进入探测单元。2.根据权利要求1所述的双面检测装置,其特征在于,所述变焦透镜为液体透镜,所述控制装置为电控装置,所述电控装置输出可变电压给所述液体透镜以改变其焦距。3.根据权利要求2所述的双面检测装置,其特征在于,所述待检测物料上下两侧的液体透镜连接至同一个电控装置。4.根据权利要求1所述的双面检测装置,其特征在于,所述光源为线光源。5.根据权利要求1所述的双面检测装置,其特征在于,所述探测单元为线阵CCD相机或线阵CMOS相机。6.根据权利要求1所述的双面检测装置,其特征在于,所述测距单元为分别设于所述待检测物料上下两侧的测距传感器。7.根据权利要求1所述的双面检测装置,其特征在于,所述双面检测装置还包括与所述探测单元连接的上位机。8.根据权利要求1所述的双面检测装置,其特征在于,所述待检测物料为掩模版、硅片或玻璃基板。9.一种使用权利要求1所述的双面检测装置的检测方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:对不同规格的待检测物料上下两侧的焦面进行标定获得标定值,所述标定值包括所述待检测物料上下表面位于所述变焦透镜的焦面时,所述测...
【专利技术属性】
技术研发人员:周静怡,
申请(专利权)人:上海微电子装备集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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