The invention relates to the technical field of semiconductor manufacturing, in particular to a wafer cleaning device and a control method thereof. The wafer cleaning device comprises a chuck, a nozzle and a ring baffle; the chuck is used for carrying the wafer and can rotate along its axial direction; the nozzle is located above the chuck and is used for spraying cleaning fluid to the wafer placed on the chuck; the ring baffle can be lifted and transported along the axial direction of the chuck. Moving is used to enclose the wafer in a cavity surrounded by the wafer so that the wafer can be immersed in the cleaning solution. The wafer cleaning device and its control method provided by the invention synthesize the advantages of trough cleaning and single-chip cleaning, realize the wafer cleaning thoroughly, and improve the effect of wet cleaning.
【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置及其控制方法
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种晶圆清洗装置及其控制方法。
技术介绍
在集成电路制造工艺中,湿法清洗是获得高质量产品的重要工艺之一。一般来说,为了确保晶圆后续处理工艺的顺利进行,在晶圆完成干法刻蚀或离子注入工艺后,通过湿法清洗以去除残留在晶圆表面或刻蚀孔内的光刻胶(Photoresist,PR)及光刻胶的有机副产物(Polymer)。但是,采用湿法清洗工艺对晶圆进行清洗的过程中,有如下问题:一方面,由于干法刻蚀过程中,晶圆表面温度较高,易造成光刻胶的变性,导致清洗难度增加;另一方面,高剂量的离子注入(HDIS)也会引起光刻胶的变性,从而导致清洗难度的增加;而且,在进行高深宽比的刻蚀后,残留的有机副产物硬度较大,也会增加清洗的难度。上述这些情况都会使清洗变得困难,若清洗不彻底,都会直接影响最终产品的良率。目前的湿法清洗工艺以槽式清洗和单片式清洗为主。槽式清洗方式能同时处理若干晶圆,具有很高的清洗效率,然而,随着半导体器件关键尺寸的缩小,槽式清洗已经越来越无法适应湿法清洗的要求。槽式清洗最大的缺点是污染物去除率受到一定的限制,这是因为即使在清洗中使用高纯度的化学试剂和去离子水,从晶圆上清洗下来的污染物仍然存在于清洗液中,会对晶圆造成二次污染。单片式清洗是通过喷嘴不断的向晶圆喷射化学试剂和去离子水,并通过晶圆的旋转持续的将用过的化学试剂和去离子水甩出晶圆,因此,单片式清洗能够有效的避免二次污染。但是,由于单片式清洗仅仅依靠旋转产生的离心力将附着于晶圆上的污染物甩出,其清洁能力有效,对于变性的光刻胶以及硬度较大的有机副产物都 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括卡盘、喷嘴和环状挡板;所述卡盘,用于承载晶圆,且能够沿其轴向转动;所述喷嘴,位于所述卡盘上方,用于向置于所述卡盘上的晶圆喷射清洗液;所述环状挡板,能够沿所述卡盘的轴向进行升降运动,用于将所述晶圆封闭于其环绕而成的腔体内,使得所述晶圆能够浸泡于所述清洗液中。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括卡盘、喷嘴和环状挡板;所述卡盘,用于承载晶圆,且能够沿其轴向转动;所述喷嘴,位于所述卡盘上方,用于向置于所述卡盘上的晶圆喷射清洗液;所述环状挡板,能够沿所述卡盘的轴向进行升降运动,用于将所述晶圆封闭于其环绕而成的腔体内,使得所述晶圆能够浸泡于所述清洗液中。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述环状挡板中与所述卡盘接触的底面的环状开口的直径小于所述卡盘的直径且大于所述晶圆的直径,使得所述环状挡板能够坐落于所述卡盘表面。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述环状挡板用于与所述卡盘接触的底面具有一环形缺口,所述环形缺口用于容纳所述晶圆。4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述环状挡板的夹层内设置有至少一个通道,所述通道用于回吸所述晶圆表面的清洗液。5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置,其特征在于,至少一个通道包括多个通道,且多个通道关于所述环状挡板的轴向对称设置。6.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述通道正对所述环形缺口设置。7.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:李丹,高英哲,张文福,
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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