一种LED芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种LED芯片，其中包括，衬底层(11)；灯芯层，灯芯层包括生长在衬底层(11)上的蓝光外延层，蓝光外延层中分别设置相邻的红光灯芯槽和绿光灯芯槽，红光灯芯槽内设置红光外延层，绿光灯芯槽内设置绿光外延层，蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜，电极，电极包括上电极(51)和下电极(52)，上电极(51)设置在增透膜上。本实施例通过将蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层集成在衬底层上，蓝色、红色和绿色三色光直接混合发出白光，而不需要增加荧光粉胶层，解决了现有技术中，荧光粉胶层导致光线被反射和吸收的技术问题，其取光效率更高，发光效果更好。

A LED chip

The utility model relates to an LED chip, which comprises a substrate layer (11), a lamp core layer comprising a blue light epitaxial layer growing on the substrate layer (11), a neighboring red light wick groove and a green light wick groove respectively arranged in the blue light epitaxial layer, a red light epitaxial layer arranged in the red light wick groove, and a green light epitaxial layer arranged in the green light wick groove. An antireflective film is arranged on the upper surface of the blue epitaxial layer, the red epitaxial layer and the green epitaxial layer. The electrode comprises an upper electrode (51) and a lower electrode (52), and an upper electrode (51) is arranged on the antireflective film. By integrating blue light epitaxial layer, red light epitaxial layer and green light epitaxial layer on a substrate layer, and directly mixing blue, red and green light emits white light without adding a phosphor glue layer, the technical problem that phosphor glue layer causes light to be reflected and absorbed in the prior art is solved, and the light collecting efficiency of the phosphor glue layer is high. Higher, better luminous effect.

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片
本技术属于光电器件
，具体涉及一种LED芯片。
技术介绍
LED灯是目前世界范围市场上广泛使用的照明灯具，具有体积小，亮度高，耗电量低，发热少，使用寿命长，环保等优点，并且具有丰富多彩的颜色种类，在照明、显示等领域有广泛的应用前景，深受消费者的喜爱。常见的LED芯片构成主要是蓝光LED+黄色荧光粉，RGB三色LED或者紫外LED+多色荧光粉，但是该些LED芯片中，由于使用了荧光粉，光线照射到荧光粉颗粒时会出现强烈的散射现象，这种散射使得光线被荧光粉胶层吸收，而且导致大量光线被反射，使得LED芯片的取光效率较低。因此，世界各大LED芯片厂家一直致力于研制高光效的芯片结构。
技术实现思路
针对以上存在的问题，本技术提出了一种LED芯片，具体的实施方式如下。本技术实施例提供一种LED芯片，其中包括，衬底层11；灯芯层，所述灯芯层包括生长在所述衬底层11上的蓝光外延层，所述蓝光外延层中分别设置相邻的红光灯芯槽和绿光灯芯槽，所述红光灯芯槽内设置红光外延层，所述绿光灯芯槽内设置绿光外延层；所述蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜1001；电极，所述电极包括上电极51和下电极52，所述上电极51设置在所述增透膜1001上。在本技术的一个实施例中，所述蓝光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层101、GaN稳定层102、掺Si的n型GaN层103、由InGaN/GaN多量子阱结构形成的有源层104、p型AlGaN阻挡层105、p型GaN接触层106。在本技术的一个实施例中，所述红光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层401、n型GaAs缓冲层402、n型GaAs稳定层403、由GalnP/A1GaInP多量子阱结构形成的有源层404、p型A1GaInP阻挡层405和p型GaAs接触层406；所述绿光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层201、n型GaAs缓冲层202、n型GaAs稳定层203、由GalnP/A1GaInP多量子阱结构形成的有源层204、p型A1GaInP阻挡层205和p型GaAs接触层206。在本技术的一个实施例中，所述红光灯芯槽和所述绿光灯芯槽相连接，且所述红光灯芯槽和所述绿光灯芯槽分别以所述蓝光外延层的所述GaN缓冲层101为槽底。在本技术的一个实施例中，所述上电极51分别设置在所述蓝光外延层、所述红光外延层和所述绿光外延层所在区域对应的增透膜1001的上表面；所述下电极52设置于所述蓝光外延层的所述GaN稳定层102上。在本技术的一个实施例中，所述增透膜1001为TiO2材料制成，且所述增透膜1001的厚度为透射光波长的1/4。本技术的有益效果为：1、本技术实施例提供的LED芯片，将蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层集成在衬底层上，蓝色、红色和绿色三色光直接混合发出白光，而不需要增加荧光粉胶层，解决了现有技术中，荧光粉胶层导致光线被反射和吸收的技术问题，其取光效率更高，发光效果更好。2、将三种颜色的外延层集成在一个衬底上，形成一个单芯片，提高了芯片的集成度，而无需将多个芯片集成在一起，降低了产品生产成本，而且也降低了芯片封装的难度。3、增透膜具有优异的光学性能和机械性，该膜折射率在硅胶与灯芯表面材料之间，当厚度适当时，反射光路长度差在薄膜的两面恰好为半波长，正好可以抵消，除了材料本身会吸收掉一部分光线，其他入射光完全通过，减少了界面上的Fresnel消耗，芯片有源层的光就能够更多地辐射出去，由此提高了LED的取光效率。4、本技术实施例中提供的LED芯片，取光率更高，且色温调节更加灵活。附图说明图1为本技术实施例提供的一种LED芯片的结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种LED芯片的侧视图；图3为本技术实施例提供的一种LED芯片的电极设置示意图；图4为本技术实施例提供的另一种LED芯片的电极设置示意图。具体实施方式为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。实施例一本技术实施例提供一种LED芯片，其中包括，衬底层11；灯芯层，所述灯芯层包括生长在所述衬底层11上的蓝光外延层，所述蓝光外延层中分别设置相邻的红光灯芯槽和绿光灯芯槽，所述红光灯芯槽内设置红光外延层，所述绿光灯芯槽内设置绿光外延层；所述蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜1001；电极，所述电极包括上电极51和下电极52，所述上电极51设置在所述增透膜1001上。进一步的，所述蓝光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层101、GaN稳定层102、掺Si的n型GaN层103、由InGaN/GaN多量子阱结构形成的有源层104、p型AlGaN阻挡层105、p型GaN接触层106。进一步的，所述红光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层401、n型GaAs缓冲层402、n型GaAs稳定层403、由GalnP/A1GaInP多量子阱结构形成的有源层404、p型A1GaInP阻挡层405和p型GaAs接触层406；所述绿光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层201、n型GaAs缓冲层202、n型GaAs稳定层203、由GalnP/A1GaInP多量子阱结构形成的有源层204、p型A1GaInP阻挡层205和p型GaAs接触层206。进一步的，所述红光灯芯槽和所述绿光灯芯槽相连接，且所述红光灯芯槽和所述绿光灯芯槽分别以所述蓝光外延层的所述GaN缓冲层101为槽底。进一步的，所述上电极51分别设置在所述蓝光外延层、所述红光外延层和所述绿光外延层所在区域对应的增透膜1001的上表面；所述下电极52设置于所述蓝光外延层的所述GaN稳定层102上。进一步的，所述蓝光外延层上、所述红光灯芯槽内和所述绿光灯芯槽内分别设置一对上电极51和下电极52。进一步的，所述增透膜1001为TiO2材料制成，且所述增透膜1001的厚度为透射光波长的1/4。进一步的，所述红光灯芯槽和所述绿光灯芯槽为矩形槽，边长的范围为：大于50微米，小于300微米。进一步的，所述红光灯芯槽的槽壁和所述绿光灯芯槽的槽壁均由SiO2层构成，所述SiO2层的厚度介于20-100纳米之间。进一步的，所述由InGaN/GaN多量子阱结构形成的有源层104中，所述InGaN的厚度范围为1.5-3.5纳米，其中In的含量范围为10-20％；所述GaN的厚度范围为5-10纳米。本技术的有益效果为：1、本技术实施例提供的LED芯片，将蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层集成在衬底层上，蓝色、红色和绿色三色光直接混合发出白光，而不需要增加荧光粉胶层，解决了现有技术中，荧光粉胶层导致光线被反射和吸收的技术问题，其取光效率更高，发光效果更好。2、将三种颜色的外延层集成在一个衬底上，形成一个单芯片，提高了芯片的集成度，而无需将多个芯片集成在一起，降低了产品生产成本，而且也降低了芯片封装的难度。3、本技术实施例中提供的LED芯片，取光率更高，且色温调节更加灵活。实施例二本实施例对本技术提供的LED芯片做进一步说明。如图1-图4所示，图1为本技术实施例提供的一种LED芯片的结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括，衬底层(11)；灯芯层，所述灯芯层包括生长在所述衬底层(11)上的蓝光外延层，所述蓝光外延层中分别设置相邻的红光灯芯槽和绿光灯芯槽，所述红光灯芯槽内设置红光外延层，所述绿光灯芯槽内设置绿光外延层；所述蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜(1001)；电极，所述电极包括上电极(51)和下电极(52)，所述上电极(51)设置在所述增透膜(1001)上。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括，衬底层(11)；灯芯层，所述灯芯层包括生长在所述衬底层(11)上的蓝光外延层，所述蓝光外延层中分别设置相邻的红光灯芯槽和绿光灯芯槽，所述红光灯芯槽内设置红光外延层，所述绿光灯芯槽内设置绿光外延层；所述蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜(1001)；电极，所述电极包括上电极(51)和下电极(52)，所述上电极(51)设置在所述增透膜(1001)上。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述蓝光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层(101)、GaN稳定层(102)、掺Si的n型GaN层(103)、由InGaN/GaN多量子阱结构形成的有源层(104)、p型AlGaN阻挡层(105)、p型GaN接触层(106)。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述红光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层(401)、n型GaAs缓冲层(402)、n型GaAs稳定层(403)、由GalnP/A1GaInP多量子阱结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹晓雪，
申请(专利权)人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61