基于GaN的四原色LED芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种基于GaN的四原色LED芯片，包括：依次层叠设置于所述衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(22)、第二绿光结构(32)，位于所述蓝光p型层(106)、所述第一红光结构(21)、所述第一绿光结构(31)、所述第二红光结构(22)、所述第二绿光结构(32)之上的第一氧化隔离层(107)，位于所述第一氧化隔离层(107)内的电极。本发明专利技术实施例，该四原色LED芯片将四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。

【技术实现步骤摘要】
基于GaN的四原色LED芯片
本专利技术属于LED芯片
，具体涉及一种基于GaN的四原色LED芯片。
技术介绍
LED发光芯片，主要功能是把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅,是液晶显示屏的主要组成部件。四色技术推翻了彩色电视诞生以来所采用的红、绿、蓝三原色组合来表现色彩的显示方式，所谓四色技术，就是指在传统液晶面板的RGB(红、绿、蓝)三原色基础上新增加了一个颜色——黄色。通过四色面板技术和电视机回路技术的组合，实现了高画面质量图像的广色域化和高精细化，还有助于大幅降低能源消耗，四原色技术的问世，使普通三原色很难精确描绘的颜色得以准确表现，这是电视机半个世纪历史的革新。但现有的四原色LED芯片通过采用将红色、绿色、蓝色、黄色芯片封装成一个单独的器件使其发出白色的光，采用封装工艺制备的器件会带来体积较大，集成度差，可靠性差等一系列问题，因此如何研制一种高集成度且发光效率高的四原色LED芯片是目前研究的热点问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种基于GaN的四原色LED芯片。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术实施例提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于GaN的四原色LED芯片，其特征在于，包括：依次层叠设置于衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(22)、第二绿光结构(32)，位于所述蓝光p型层(106)、所述第一红光结构(21)、所述第一绿光结构(31)、所述第二红光结构(22)、所述第二绿光结构(32)之上的第一氧化隔离层(107)，位于所述第一氧化隔离层(107)内的电极。

【技术特征摘要】
1.一种基于GaN的四原色LED芯片，其特征在于，包括：依次层叠设置于衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(22)、第二绿光结构(32)，位于所述蓝光p型层(106)、所述第一红光结构(21)、所述第一绿光结构(31)、所述第二红光结构(22)、所述第二绿光结构(32)之上的第一氧化隔离层(107)，位于所述第一氧化隔离层(107)内的电极。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括第二氧化隔离层(12)和第三氧化隔离层(22)，其中，所述第二氧化隔离层(12)设置于所述第一红光结构(21)和所述第二红光结构(22)沿出光方向的四周，所述第三氧化隔离层(22)设置于所述第一绿光结构(31)和第二绿光结构(32)沿出光方向的四周。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一红色结构(21)和所述第二红色结构(22)结构相同，均包括依次层叠设置的红光GaN缓冲层(201)、红光n型GaAs缓冲层(202)、红光n型GaAs稳定层(203)、红光发光结构(204)...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹晓雪，
申请(专利权)人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61