新型基于GaN的LED器件结构制造技术

本发明专利技术涉及一种新型基于GaN的LED器件结构。该器件结构包括：导电衬底410；第二反光层409，设置于所述导电衬底410上；第一反光层408，设置于所述第二反光层409上；金属电极层407，设置于第一反光层408上；第一GaN蓝光外延层10A、GaN黄光外延层20、GaN绿光外延层30、GaN红光外延层40以及第二GaN蓝光外延层10B，依次横向排列且设置于所述金属电极层407上；阳极电极56，设置于所述导电衬底410下。本发明专利技术通过将多种色彩的材料设置在同一LED器件中，产生多种颜色的光，可以解决现有技术中LED封装器件涂覆荧光粉导致LED器件发光效率低、集成度低的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
新型基于GaN的LED器件结构
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种新型基于GaN的LED器件结构。
技术介绍
LED(LightingEmittingDiode)即发光二极管，是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿色的光。LED为一种新型的固态光源，其具有体积小、发光效率高、能耗低、寿命长、无汞污染、全固态、响应迅速、工作电压低、安全可靠等诸多方面的优点。利用三基色原理，在LED器件封装时添加荧光粉，可以发出任意颜色的光，因此可以利用LED作为光源进行照明。现有技术中，LED涂敷荧光粉的方式主要有：荧光粉远离芯片、荧光粉均匀分布在封装材料和荧光粉紧贴芯片表面的封装方式。其中荧光粉均匀分布在封装材料的封装方式容易操作，但该封装方式荧光粉的激发效率较低；由于荧光粉远离芯片的工艺繁杂且难以控制至今还未实现工业化生产；荧光粉紧贴芯片的封装方式是借助中介封装材料与芯片粘结在一起，缺陷是中介封装材料的折射率较低，芯片发出的光容易产生全反射而导致热量聚集，反而降低芯片的出光效率并影响荧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型基于GaN的LED器件结构，其特征在于，包括：导电衬底(410)；第二反光层(409)，设置于所述导电衬底(410)上；第一反光层(408)，设置于所述第二反光层(409)上；金属电极层(407)，设置于第一反光层(408)上；第一GaN蓝光外延层(10A)、GaN黄光外延层(20)、GaN绿光外延层(30)、GaN红光外延层(40)以及第二GaN蓝光外延层(10B)，依次横向排列且设置于所述金属电极层(407)上；阳极电极(56)，设置于所述导电衬底(410)下。

【技术特征摘要】
1.一种新型基于GaN的LED器件结构，其特征在于，包括：导电衬底(410)；第二反光层(409)，设置于所述导电衬底(410)上；第一反光层(408)，设置于所述第二反光层(409)上；金属电极层(407)，设置于第一反光层(408)上；第一GaN蓝光外延层(10A)、GaN黄光外延层(20)、GaN绿光外延层(30)、GaN红光外延层(40)以及第二GaN蓝光外延层(10B)，依次横向排列且设置于所述金属电极层(407)上；阳极电极(56)，设置于所述导电衬底(410)下。2.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述导电衬底(410)为掺杂Si片、铝板或者铜板。3.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述金属电极层(407)的材料为金属Ni或者金属Au。4.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述第一GaN蓝光外延层(10A)和所述第二GaN蓝光外延层(10B)材料相同均包括第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一有源层(104)、第一AlGaN阻挡层(105)以及第一p型GaN层(106)；其中，所述第一有源层(104)包括依次周期性层叠分布的第一GaN势垒层(104a)和第一InGaN量子阱层(104b)。5.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述GaN黄光外延层(20)包括第二GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二有源层(204)、第二AlGaN阻挡层(205)以及第二p型GaN层(206)；其中，所述第二有源层(204)包括依次周期性层叠分布的第二GaN势垒层(204a)和第二nGaN量子阱层(204b)。6.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述GaN绿光外延层(30)包括第三GaN缓冲层(301)、第三GaN稳定层(302...

【专利技术属性】
技术研发人员：张捷，
申请(专利权)人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61