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本发明涉及一种新型基于GaN的LED器件结构。该器件结构包括：导电衬底410；第二反光层409，设置于所述导电衬底410上；第一反光层408，设置于所述第二反光层409上；金属电极层407，设置于第一反光层408上；第一GaN蓝光外延层10...
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