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本发明涉及一种基于GaN的四原色LED芯片，包括：依次层叠设置于所述衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(...该专利属于西安智盛锐芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安智盛锐芯半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种基于GaN的四原色LED芯片，包括：依次层叠设置于所述衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(...