OLED薄膜封装方法技术

本发明专利技术提供一种OLED薄膜封装方法，所述OLED薄膜封装方法：先在所述OLED基板的遮蔽区形成光阻遮挡层，再将制作有光阻遮挡层的OLED基板移入封装机台，在所述OLED基板上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖全部OLED像素区及至少部分遮蔽区，最后剥离所述光阻遮挡层和位于所述光阻遮挡层上的薄膜封装层，通过光阻遮挡层取代掩膜板完成封装区域的定义，能够提升OLED薄膜封装效率，减少OLED薄膜封装时的杂质，改善OLED薄膜封装效果。

OLED thin film packaging method

The invention provides an OLED film encapsulation method. The OLED film encapsulation method comprises forming a light barrier layer in the shelter area of the OLED substrate, then moving the OLED substrate with the light barrier layer into the encapsulation machine table, forming a film encapsulation layer on the OLED substrate, and the film encapsulation layer covering all the OLED pixel areas and to Finally, the light barrier layer and the film packaging layer located on the light barrier layer are peeled off, and the definition of the packaging area is completed by replacing the mask plate with the light barrier layer. The packaging efficiency of the OLED film can be improved, the impurities in the OLED film packaging can be reduced, and the packaging effect of the OLED film can be improved.

【技术实现步骤摘要】
OLED薄膜封装方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED薄膜封装方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED显示器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用氧化铟锡(ITO)像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。为了防止水汽侵入，破坏OLED器件的稳定性，需要对OLED器件进行薄膜封装，目前OLED薄膜封装主要采用无机层和有机层交替叠加的结构，具体包括覆盖在所述OLED基板的像素区的第一无机层、覆盖所述有机层及覆盖有机层的第二无机层，制作时，所述无机层及有机层均通过封装机台在真空环境下通过制备，所述封装机台可以为等离子增强化学气相沉积(PECVD)机台，为了使得所述无机阻挡层及有机缓存层形成在指定的区域，现有技术在沉积时需要在封装机台上设置掩膜板(Mask)，以遮挡无需进行封装的区域，但采用掩膜板进行沉积，需要将掩膜板搬运到封装机台上并进行对位，工作效率低下，且在搬运过程中会产生大量杂质，影响封装效果，在多次沉积时掩膜板的对位精度也难以保证，导致封装效果不稳定。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED薄膜封装方法，能够提升OLED薄膜封装效率，减少OLED薄膜封装时的杂质，改善OLED薄膜封装效果。为实现上述目的，本专利技术提供了一种OLED薄膜封装方法，包括如下步骤：步骤S1、提供一OLED基板，所述OLED基板包括：至少一个OLED像素区、位于所述OLED像素区四周的遮蔽区以及位于包围所述遮蔽区的邦定区；步骤S2、在所述OLED基板上形成光阻薄膜，并对所述光阻薄膜进行图案化，去除所述OLED像素区及邦定区的光阻薄膜，得到位于所述遮蔽区的光阻遮挡层；步骤S3、将制作有光阻遮挡层的OLED基板移入封装机台，在所述OLED基板上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖全部OLED像素区及至少部分遮蔽区；步骤S4、剥离所述光阻遮挡层和位于所述光阻遮挡层上的薄膜封装层。所述光阻遮挡层包括：覆盖所述遮蔽区的衬底部以及位于所述衬底部上的多个间隔排布的凸起部，所述凸起部靠近所述衬底部的一侧的宽度小于所述凸起部远离所述衬底部的一侧的宽度。所述步骤S2中通过一道半色调光罩或灰阶光罩图案化所述光阻薄膜。所述凸起部的远离所述衬底部的一侧的宽度为3～10μm，相邻的两个凸起部之间的间隔为5～8μm。所述薄膜封装层包括依次层叠的第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层。所述步骤S3中沉积的第一无机封装层及第二无机封装层的面积均小于所述光阻遮挡层的面积。所述第一无机封装层和第二无机封装层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、或氮化铝。所述步骤S3中通过化学气相沉积或原子层沉积的方法沉积所述第一无机封装层及第二无机封装层。所述OLED像素区包括阵列排布的多个OLED发光器件。所述步骤S3中沉积的第一无机封装层及第二无机封装层的有效宽度均比所述光阻遮挡层的有效宽度小1～2mm。本专利技术的有益效果：本专利技术提供一种OLED薄膜封装方法，所述OLED薄膜封装方法：先在所述OLED基板的遮蔽区形成光阻遮挡层，再将制作有光阻遮挡层的OLED基板移入封装机台，在所述OLED基板上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖全部OLED像素区及至少部分遮蔽区，最后剥离所述光阻遮挡层和位于所述光阻遮挡层上的薄膜封装层，通过光阻遮挡层取代掩膜板完成封装区域的定义，能够提升OLED薄膜封装效率，减少OLED薄膜封装时的杂质，改善OLED薄膜封装效果。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的OLED薄膜封装方法的步骤S1的俯视示意图；图2为图1中A-A处的剖面图；图3为本专利技术的OLED薄膜封装方法的步骤S2的剖面示意图；图4为本专利技术的OLED薄膜封装方法的步骤S3的剖面示意图；图5为本专利技术的OLED薄膜封装方法的步骤S4的剖面示意图；图6为本专利技术的OLED薄膜封装方法的流程图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图6，本专利技术提供一种OLED薄膜封装方法，包括如下步骤：步骤S1、请参阅图1和图2，提供一OLED基板10，所述OLED基板10包括：至少一个OLED像素区11、位于所述OLED像素区11四周的遮蔽区12以及位于包围所述遮蔽区12的邦定区13；具体地，所述OLED像素区11中形成有阵列排布的多个OLED发光器件，以及对应于每一个OLED发光器件形成的用于驱动所述OLED发光器件发光的像素驱动电路，每一个像素驱动电路均包括若干个薄膜晶体管及电容，所述薄膜晶体管及电容的数量及连接方式可根据需要进行相应的设计，本专利技术对此不做限制，在所述邦定区13形成有多个邦定端子，所述邦定端子用于与外部驱动电路进行邦定(Bonding)，以及从外部驱动电路获取驱动信号并提供给像素驱动电路，从而驱动OLED发光器件发光，所述遮蔽区12位于所述邦定区13和所述OLED像素区11之间。优选地，所述OLED基板10中包括两个OLED像素区11，也即所述OLED基板10经切割后可得到两个独立的OLED显示面板。当然，本专利技术同样不限制所述OLED基板10中包括的OLED像素区11的数量，在本专利技术的其他实施例，所述OLED像素区11的数量还可以为1个、3个及4个等任意数量，这些都可以根据需要进行选择，并不会影响本专利技术的实现。步骤S2、请参阅图3，在所述OLED基板10上形成光阻薄膜，并对所述光阻薄膜进行图案化，去除所述OLED像素区11及邦定区13的光阻薄膜，得到位于所述遮蔽区12的光阻遮挡层20。具体地，为了便于后续光阻遮挡层20的剥离，在本专利技术的优选实施例中，所述光阻遮挡层20包括：覆盖所述遮蔽区12的衬底部21以及位于所述衬底部21上的多个间隔排布的凸起部22，所述凸起本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED薄膜封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一OLED基板(10)，所述OLED基板(10)包括：至少一个OLED像素区(11)、位于所述OLED像素区(11)四周的遮蔽区(12)以及位于包围所述遮蔽区(12)的邦定区(13)；步骤S2、在所述OLED基板(10)上形成光阻薄膜，并对所述光阻薄膜进行图案化，去除所述OLED像素区(11)及邦定区(13)的光阻薄膜，得到位于所述遮蔽区(12)的光阻遮挡层(20)；步骤S3、将制作有光阻遮挡层(20)的OLED基板(10)移入封装机台，在所述OLED基板(10)上形成薄膜封装层(30)，所述薄膜封装层(30)覆盖全部OLED像素区(11)及至少部分遮蔽区(12)；步骤S4、剥离所述光阻遮挡层(20)和位于所述光阻遮挡层(20)上的薄膜封装层(30)。

【技术特征摘要】
1.一种OLED薄膜封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一OLED基板(10)，所述OLED基板(10)包括：至少一个OLED像素区(11)、位于所述OLED像素区(11)四周的遮蔽区(12)以及位于包围所述遮蔽区(12)的邦定区(13)；步骤S2、在所述OLED基板(10)上形成光阻薄膜，并对所述光阻薄膜进行图案化，去除所述OLED像素区(11)及邦定区(13)的光阻薄膜，得到位于所述遮蔽区(12)的光阻遮挡层(20)；步骤S3、将制作有光阻遮挡层(20)的OLED基板(10)移入封装机台，在所述OLED基板(10)上形成薄膜封装层(30)，所述薄膜封装层(30)覆盖全部OLED像素区(11)及至少部分遮蔽区(12)；步骤S4、剥离所述光阻遮挡层(20)和位于所述光阻遮挡层(20)上的薄膜封装层(30)。2.如权利要求1所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述光阻遮挡层(20)包括：覆盖所述遮蔽区(12)的衬底部(21)以及位于所述衬底部(21)上的多个间隔排布的凸起部(22)，所述凸起部(22)靠近所述衬底部(21)的一侧的宽度小于所述凸起部(22)远离所述衬底部(21)的一侧的宽度。3.如权利要求2所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述步骤S2中通过一道半色调光罩或灰阶光罩图案化所...

【专利技术属性】
技术研发人员：何超，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44