一种嵌入式电容转接板封装结构及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种嵌入式电容转接板封装结构，包括：硅转接板；设置在所述硅转接板第一面的第一电容电极；封装基板；设置在所述封装基板第一面的第二电容电极，所述第一电容电极与所述第二电容电极平行对齐；以及位于所述第一电容电极与所述第二电容电极之间的电容介质层，所述电容介质层与所述第一电容电极、第二电容电极一起构成完整的电容结构。

Encapsulation structure and manufacturing method of embedded capacitance transfer board

The invention discloses an embedded capacitive adapter board packaging structure, which comprises a silicon adapter board, a first capacitive electrode arranged on the first side of the silicon adapter board, a packaging substrate, a second capacitive electrode arranged on the first side of the packaging substrate, a first capacitive electrode parallel to the second capacitive electrode, and a bit. The capacitive dielectric layer between the first capacitive electrode and the second capacitive electrode forms a complete capacitive structure together with the first capacitive electrode and the second capacitive electrode.

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式电容转接板封装结构及制造方法
本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种嵌入式电容转接板封装结构及制造方法等

技术介绍
目前以手机为代表的便携式/移动类消费类电子设备中的元器件，不断要求设计者提供微型化、低成本的产品解决方案。事实上，微型化和低成本化不是相互矛盾的，而是相辅相成的。例如当前，离散无源器件占了整个射频模块的元器件数量的90％、基板面积的80％以及整体成本的70％。如果采用集成无源器件(IPD)技术，就可以用芯片替代或附带离散无源器件，起主要优点如下：1)提升电性能，使有源器件与无源器件的互连，以及器件的外部接口变短、阻抗变低从而降低寄生效应；2)进一步小型化，离散无源器件的减少显著减小了所需的基板面积，从而使RF系统级封装模块的尺寸大大减小；3)显著低成本，所有工艺均可以在晶圆级实现，具有量产效应，且集成无源器件(IPD)的尺寸不再受封装尺寸的限制。但针对传统芯片上的集成无源器件(IPD)设计，受限于其芯片结构及材料，相应的无源器件的电性能无法满足高性能及高Q值的要求。例如，在传统的系统级封装中的电容设计多采用SMT贴片式的电容设计，受限于电容大小及组装工艺要求，SMT电容所占用的空间较大，又无法满足日益小型化的封装要求。在一些先进的封装工艺中，采用的集成无源器件(IPD)设计方案，在硅衬底上进行电感、电容的制作，此方案可以大大降低无源器件所占有的面积，但是受限于结构及工艺材料的限制，也无法制作高容值的电容。因此，本专利技术提出了一种嵌入式电容转接板封装结构及制造方法至少部分的解决或改善
技术介绍
所提到的上述问题。专利技术内容针对现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个实施例，提供一种嵌入式电容转接板封装结构，包括：硅转接板；设置在所述硅转接板第一面的第一电容电极；封装基板；设置在所述封装基板第一面的第二电容电极，所述第一电容电极与所述第二电容电极平行对齐；以及位于所述第一电容电极与所述第二电容电极之间的电容介质层，所述电容介质层与所述第一电容电极、第二电容电极一起构成完整的电容结构。在本专利技术的一个实施例中，该嵌入式电容转接板封装结构还包括：设置在所述硅转接板中的硅通孔；以及设置在所述硅转接板第一面相对的硅转接板第二面上的硅转接板互连电路，所述硅通孔电互连至所述第一电容电极和或所述硅转接板互连电路。在本专利技术的一个实施例中，嵌入式电容转接板封装结构还包括：设置在所述封装基板第一面的封装基板互连电路；设置在所述封装基板中的封装基板通孔；以及设置在与所述封装基板第一面相对的封装基板第二面上的外接焊盘，所述封装基板通孔电互连至所述第二电容电极和或所述封装基板互连电路。在本专利技术的一个实施例中，嵌入式电容转接板封装结构还包括：设置在所述硅转接板第二面上的芯片；电互连所述芯片和/或所述硅转接板和或所述封装基板的引线；以及位于所述封装基板第一面之上，且包裹所述硅转接板、所述芯片以及所述引线的塑封层。在本专利技术的一个实施例中，嵌入式电容转接板封装结构还包括设置在所述外接焊盘上的外接焊球。在本专利技术的一个实施例中，所述硅转接板互连电路包括互连线路和或芯片焊盘和或引线焊盘。在本专利技术的一个实施例中，所述封装基板互连电路包括互连线路和或引线焊盘。根据本专利技术的另一个实施例中，提供一种嵌入式电容转接板封装结构的制造方法，包括：在硅转接板的第一面上形成第一电容电极；在封装基板的第一面上形成第二电容电极；以及通过介质材料将所述硅转接板的第一面贴装至所述封装基板的第一面上，所述第一电容电极与所述第二电容电极平行对齐且中间被所述介质材料填充，所述介质材料与所述第一电容电极、所述第二电容电极一起构成完整的电容结构。在本专利技术的另一个实施例中，该方法还包括：在所述硅转接板内形成硅通孔；在与所述硅转接板第一面相对的硅转接板第二面上形成互连电路及焊盘；在所述封装基板第一面上形成封装基板互连电路；在所述封装基板内形成封装基板通孔；以及在与所述封装基板第一面相对的封装基板第二面上外接焊盘。在本专利技术的另一个实施例中，该方法还包括：在所述硅转接板第二面上贴装芯片；通过引线键合完成芯片、硅转接板以及封装基板之间的电互连；形成覆盖芯片、转接板及引线的塑封层；以及在封装基板的外接焊盘上形成外接焊球。本专利技术提供一种嵌入式电容转接板封装结构及制造方法，基于传统的封装结构，结合硅转接板和PCB结构，在两者之间形成电容的两个电极结构，然后结合两个电极间的电容介质形成集成电容，再通过后续的引线工艺，实现该集成电容与芯片、转接板以及PCB基板间的电和信号互联，实现系统级互连关系。该种嵌入式电容转接板封装结构具有电容无需额外的占用空间，能够保证较小的封装尺寸；采用大面积的电容结构，实现了高容值；电容的两电极间的电容介质材料选择面广，可以实现较大容值范围调整。附图说明为了进一步阐明本专利技术的各实施例的以上和其它优点和特征，将参考附图来呈现本专利技术的各实施例的更具体的描述。可以理解，这些附图只描绘本专利技术的典型实施例，因此将不被认为是对其范围的限制。在附图中，为了清楚明了，相同或相应的部件将用相同或类似的标记表示。图1示出根据本专利技术的一个实施例的一种嵌入式电容转接板封装结构100的剖面示意图。图2A至图2G示出根据本专利技术的一个实施例形成一种嵌入式电容转接板封装结构100的过程剖面投影示意图。图3示出的是根据本专利技术的一个实施例形成一种嵌入式电容转接板封装结构100的流程图。图4示出根据本专利技术的另一个实施例的一种嵌入式电容转接板封装结构400的剖面示意图。具体实施方式在以下的描述中，参考各实施例对本专利技术进行描述。然而，本领域的技术人员将认识到可在没有一个或多个特定细节的情况下或者与其它替换和/或附加方法、材料或组件一起实施各实施例。在其它情形中，未示出或未详细描述公知的结构、材料或操作以免使本专利技术的各实施例的诸方面晦涩。类似地，为了解释的目的，阐述了特定数量、材料和配置，以便提供对本专利技术的实施例的全面理解。然而，本专利技术可在没有特定细节的情况下实施。此外，应理解附图中示出的各实施例是说明性表示且不一定按比例绘制。在本说明书中，对“一个实施例”或“该实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本专利技术的至少一个实施例中。在本说明书各处中出现的短语“在一个实施例中”并不一定全部指代同一实施例。需要说明的是，本专利技术的实施例以特定顺序对工艺步骤进行描述，然而这只是为了方便区分各步骤，而并不是限定各步骤的先后顺序，在本专利技术的不同实施例中，可根据工艺的调节来调整各步骤的先后顺序。本专利技术提供一种嵌入式电容转接板封装结构及制造方法，基于传统的封装结构，结合硅转接板和PCB结构，在两者之间形成电容的两个电极结构，然后结合两个电极间的电容介质形成集成电容，再通过后续的引线工艺，实现该集成电容与芯片、转接板以及PCB基板间的电和信号互联，实现系统级互连关系。该种嵌入式电容转接板封装结构具有电容无需额外的占用空间，能够保证较小的封装尺寸；采用大面积的电容结构，实现了高容值；电容的两电极间的电容介质材料选择面广，可以实现较大容值范围调整。下面结合图1来详细介绍根据本专利技术的一个实施例的一种嵌入式电容转接板封装结构。图1示出根据本专利技术的一个实施例的一种嵌入式电容转接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式电容转接板封装结构，包括：硅转接板；设置在所述硅转接板第一面的第一电容电极；封装基板；设置在所述封装基板第一面的第二电容电极，所述第一电容电极与所述第二电容电极平行对齐；以及位于所述第一电容电极与所述第二电容电极之间的电容介质层，所述电容介质层与所述第一电容电极、第二电容电极一起构成完整的电容结构。

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式电容转接板封装结构，包括：硅转接板；设置在所述硅转接板第一面的第一电容电极；封装基板；设置在所述封装基板第一面的第二电容电极，所述第一电容电极与所述第二电容电极平行对齐；以及位于所述第一电容电极与所述第二电容电极之间的电容介质层，所述电容介质层与所述第一电容电极、第二电容电极一起构成完整的电容结构。2.如权利要求1所述的嵌入式电容转接板封装结构，其特征在于，还包括：设置在所述硅转接板中的硅通孔；以及设置在所述硅转接板第一面相对的硅转接板第二面上的硅转接板互连电路，所述硅通孔电互连至所述第一电容电极和或所述硅转接板互连电路。3.如权利要求1所述的嵌入式电容转接板封装结构，其特征在于，还包括：设置在所述封装基板第一面的封装基板互连电路；设置在所述封装基板中的封装基板通孔；以及设置在与所述封装基板第一面相对的封装基板第二面上的外接焊盘，所述封装基板通孔电互连至所述第二电容电极和或所述封装基板互连电路。4.如权利要求1所述的嵌入式电容转接板封装结构，其特征在于，还包括：设置在所述硅转接板第二面上的芯片；电互连所述芯片和/或所述硅转接板和或所述封装基板的引线；以及位于所述封装基板第一面之上，且包裹所述硅转接板、所述芯片以及所述引线的塑封层。5.如权利要求1所述的嵌入式电容转接板封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐健，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32