【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗后简单有效的保存方法
本专利技术属于太阳能级硅片的制造
,特别涉及到硅片湿化学预处理的保存问题,通过加入界面态密度低的二氧化硅来实现硅片的有效保存。
技术介绍
太阳能级硅片尤其是非晶硅(a-Si:H)和晶体硅晶片(c-Si)组成的带有本征非晶硅薄层的异质结电池(heterojunctionwithintrinsicthin-layer,HIT)对界面问题非常敏感,晶体硅衬底表面作为异质结界面的一部分对其界面态要求非常高。因此,超清洁、光滑和未损坏的衬底是非晶硅薄膜沉积的基础。在HIT太阳能电池制造中使用硅表面的湿化学氧化,主要用于获得清洁,光滑,未损坏的表面并减少界面问题,这有助于避免载体的复合,通常使用RCA清洗法获得清洁表面,然后用1%的HF溶液去除硅片表面的氧化层。但是经过RCA标准处理的表面在空气中极易沉淀污染物,并且自然氧化,该氧化膜是一种极其疏松的无定形二氧化硅,致密度差,所以必须要在清洗后快速转移到工艺步骤。因此,我们需要寻找一种简单有效的方法来保存硅片,使硅片表面保持RCA清洗后的清洁表面,以备随时使用。SiO2薄膜是多功能材料, ...
【技术保护点】
1.一种硅片清洗后简单有效的保存方法,其特征在于:包括如下步骤:通过丙酮和无水乙醇去表面油污,然后用25wt%NaOH溶液对硅片进行去损伤层30μm,再用标准RCA清洗法对硅片进行清洗,然后用1%HF去除硅片氧化层,得到干净疏水的硅片表面,将其浸泡于质量浓度为68%的HNO3中,121℃油浴加热10min,从而在清洁硅片表面生长一层二氧化硅层,以隔绝硅片表面与外界的接触,然后用氮气吹干保存于自然密封袋中,待使用前用1%HF溶液完全去除二氧化硅层,氮气吹干即可投入下一步工艺使用。
【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗后简单有效的保存方法,其特征在于:包括如下步骤:通过丙酮和无水乙醇去表面油污,然后用25wt%NaOH溶液对硅片进行去损伤层30μm,再用标准RCA清洗法对硅片进行清洗,然后用1%HF去除硅片氧化层,得到干净疏水的硅片表面,...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄仕华,黄玉清,芮哲,王佳,
申请(专利权)人:浙江师范大学,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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