防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种防边缘漏电的晶硅电池机及其制备方法，包括在电池片的边缘涂覆一层高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的膜厚厚度25‑40μm。所制备的电池片包括位于四周边缘的耐高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的高度与硅基质层厚度相同，膜的厚度为25‑40μm。本发明专利技术能够杜绝了丝网印刷工序的金属浆料造成的边缘漏电，同时得益于更大的铝背场面积，提高了电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】
防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法
本专利技术属于晶硅太阳能电池片制造领域，具体涉及一种防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法。
技术介绍
在晶硅太阳能电池片制造的丝网印刷工序中，由于电子浆料无法避免的会污染台面纸、网版、台面、轨道、夹具，因此在硅片的印刷、传输过程中或多或少会被电子浆料玷污，产生沿电池边缘的表面漏电流，影响转换效率，严重的造成热斑、漏电，影响良率和可靠性。同于为了减少边缘漏电，通常情况下铝背场离硅片边缘为0.5mm-1mm，如果小于0.5mm，在印刷的过程中，一旦印偏或者边缘玷污，将会造成过大的边缘漏电流过大，导致电池片短路。因此本专利技术设计了一种防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出一种防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法。实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利技术通过以下技术方案实现：一种防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，包括在电池片的边缘涂覆一层高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的膜厚厚度25-40μm。作为本专利技术的进一步改进，将完成PECVD工序的若干片电池片上下重叠，之后将涂料涂覆在硅片四周的边缘，烘干后得到所需要的高温绝缘膜。作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，包括在电池片的边缘涂覆一层高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的膜厚厚度25‑40μm。

【技术特征摘要】
1.一种防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，包括在电池片的边缘涂覆一层高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的膜厚厚度25-40μm。2.根据权利要求1所述的防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，包括：将完成PECVD工序的若干片电池片上下重叠，之后将涂料涂覆在硅片四周的边缘，烘干后得到所需要的高温绝缘膜。3.根据权利要求2所述的防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述的用于制备高温绝缘膜的涂料的组份包括硅酸盐溶液，云母片和氧化铝粉，通过将所述的氧化铝粉和云母片按质量比1:2～3:7的比例混合均匀后溶入浓度为0.0015～0.002mol/L的硅酸盐溶液中，充分搅拌后得到所需的高温绝缘涂料。4.根据权利要求3所述的防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈晶，童锐，王海超，张满良，吴廷斌，
申请(专利权)人：南通苏民新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32