下载防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法的技术资料

文档序号:18734513

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本发明公开了一种防边缘漏电的晶硅电池机及其制备方法,包括在电池片的边缘涂覆一层高温绝缘膜,所述的高温绝缘膜的膜厚厚度25‑40μm。所制备的电池片包括位于四周边缘的耐高温绝缘膜,所述的高温绝缘膜的高度与硅基质层厚度相同,膜的厚度为25‑40...
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