一种N型PERT双面电池制备方法技术

本发明专利技术涉及一种N型PERT双面太阳电池的制备方法，包括如下步骤：S1：制绒；S2：正面硼掺杂制结；S3：背面刻蚀去除边缘及背面PN结；S4：背面磷掺杂制结；S5：去除背面PSG以及正面BSG；S6：碱、酸洗：使用碱和双氧水混合液对硅片表面进行微量刻蚀并去除残留杂质，使用HF酸溶液酸洗中和碱液并去除表面氧化硅层；S7：湿氧钝化；S8：正面沉积氧化铝；S9：正面PECVD沉积SiNx；S10：背面PECVD沉积SiNx；S11：丝网印刷和烧结；S12：激光隔离。本发明专利技术能去除硼扩面表面掺杂极高的富硼层，改善方阻均匀性，同时提升N型电池的钝化效果，对电池开压和转换效率有明显提升。

【技术实现步骤摘要】
一种N型PERT双面电池制备方法
本专利技术属于半导体制造
，具体涉及太阳能电池制造技术，特别是涉及一种N型PERT双面电池的制备方法。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。目前常规电池受工艺限制，效率提升已无太大空间，电池效率的提升必须依靠新型电池工艺的发展。N型单晶硅较常规的P型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点，具有更大的效率提升空间，同时，N型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此，N型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。目前，N型PERT双面电池的制备方法一般包括以下几个步骤：①制绒；②正面硼掺杂制结；③背面刻蚀去除边缘及背面PN结；④背面磷掺杂制结；⑤去除背面PSG以及正面BSG；⑥正面沉积氧化铝；⑦正面PECVD沉积SiNx；⑧背面PECVD沉积SiNx；⑨丝网印刷和烧结；⑩激光隔离；即可得到N型双面电池。上述制备方法中在形成正背面结后直接在HF水溶液中去除正本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N型PERT双面太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：制绒；S2：正面硼掺杂制结；S3：背面刻蚀去除边缘及背面PN结；S4：背面磷掺杂制结；S5：去除背面PSG以及正面BSG；S6：碱、酸洗：使用碱和双氧水混合液对硅片表面进行微量刻蚀并去除残留杂质，使用HF酸溶液酸洗中和碱液并去除表面氧化硅层；S7：湿氧钝化：使用湿氧钝化方法对硅片表面进行钝化；S8：正面沉积氧化铝；S9：正面PECVD沉积SiNx；S10：背面PECVD沉积SiNx；S11：丝网印刷和烧结；S12：激光隔离，得到N型双面电池。

【技术特征摘要】
1.一种N型PERT双面太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：制绒；S2：正面硼掺杂制结；S3：背面刻蚀去除边缘及背面PN结；S4：背面磷掺杂制结；S5：去除背面PSG以及正面BSG；S6：碱、酸洗：使用碱和双氧水混合液对硅片表面进行微量刻蚀并去除残留杂质，使用HF酸溶液酸洗中和碱液并去除表面氧化硅层；S7：湿氧钝化：使用湿氧钝化方法对硅片表面进行钝化；S8：正面沉积氧化铝；S9：正面PECVD沉积SiNx；S10：背面PECVD沉积SiNx；S11：丝网印刷和烧结；S12：激光隔离，得到N型双面电池。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S6中所述碱和双氧水混合液具体为：Na...

【专利技术属性】
技术研发人员：瞿辉，徐春，曹玉甲，杨三川，
申请(专利权)人：江苏顺风光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32