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本发明公开了一种硅片清洗后简单有效的保存方法，在对硅片进行彻底清洗后，用68%HNO3生长一层界面态密度低的二氧化硅隔绝层，然后保存到无水乙醇溶液、异丙醇溶液或自然密封袋中，待使用前再用1%的HF溶液浸泡180s，去离子水冲洗后用氮气吹干，...
该专利属于浙江师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江师范大学授权不得商用。

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