【技术实现步骤摘要】
适用于晶体生长的异形热场装置
本专利技术属于晶体材料制备
,涉及一种是对坩埚下降法、温度梯度法等类似晶体生长工艺的热场进行创新式改进的适用于晶体生长的异形热场装置。
技术介绍
坩埚下降法、温度梯度法一直是砷化物、氟化物、氧化物(如GaAs、CaF2、MgF2、BGO、BBO、Al2O3)等人工晶体的主要生长方法。其具有温度梯度可控易调节,自动化程度高、人工操作便捷、热场重复性好,热场结构简单,生产效率高等优点,是一种非常适合工业化、规模化的晶体生长工艺。但其工艺有如下缺点:1、目前传统工艺普遍是电阻加热方式,加热体形状为蛇形环绕的直筒形、鸟笼形或者金属网筒状结构。需要对保温层进行破坏方能使发热体与电极相连接,对温度梯度影响较大。且由于直筒式发热体温度梯度没有渐变,造成温度梯度会突然出现过冷过热的情况。2、发热体电极与电源铜电极连接时,可能会由于出现腐蚀现象造成电流过流打火;或者发热体电极挥发使其与铜电极不匹配的情况。3、铜电极需要有大量的冷却水保证铜电极不会融化,既耗能又增加了设备的复杂程度。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种大大拓宽了发热体材料的选择,简化了发热体加工,有利于生长出高质量晶体的适用于晶体生长的异形热场装置。本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现:一种适用于晶体生长的异形热场装置,包括感应线圈、保温层、感应发热体、原料、坩埚和坩埚支柱,其特征在于,所述的感应发热体设置在保温层内壁处,且两者的形状为异型结构。所述的感应发热体和保温层成喇叭形、倒扣碗形或无下底梯形状。所述的坩埚置于保温层内,且距离 ...
【技术保护点】
1.一种适用于晶体生长的异形热场装置,包括感应线圈(1)、保温层(2)、感应发热体(3)、原料(4)、坩埚(5)和坩埚支柱(6),其特征在于,所述的感应发热体(3)设置在保温层(2)内壁处,且两者的形状为异型结构。
【技术特征摘要】
1.一种适用于晶体生长的异形热场装置,包括感应线圈(1)、保温层(2)、感应发热体(3)、原料(4)、坩埚(5)和坩埚支柱(6),其特征在于,所述的感应发热体(3)设置在保温层(2)内壁处,且两者的形状为异型结构。2.根据权利要求1所述的一种适用于晶体生长的异形热场装置,其特征在于,所述的感应发热体(3)和保温层(2)成喇叭形、倒扣碗形或无下底梯形状。3.根据权利要求1所述的一种适用于晶体生长的异形热场装置,其特征在于,所述的坩埚(5)置于保温层(2)内,且距离所述的感应发热体(3)在7mm—40mm。4.根据权利要求1所述的一种适用于晶体生长的异形热场装置,其特征在于,所述的保温层(2)的厚度在15mm—40mm。5.根据权利要求1所述的一种适用于晶体生长的...
【专利技术属性】
技术研发人员:王庆国,罗平,徐军,吴锋,唐慧丽,刘军芳,赵衡煜,刘斌,薛艳艳,王东海,
申请(专利权)人:同济大学,
类型:发明
国别省市:上海,31
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