一种基准电压输出电路制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种基准电压输出电路，所述电路包括：转换电路、电压生成电路和输出电路；转换电路与参考电流源连接，转换电路与所述电压生成电路连接，电压生成电路与输出电路连接；转换电路接收参考电流源输入的参考电流后，将参考电流按第一转换参数进行转换，得到第一基准电流，并将第一基准电流向电压生成电路输出；电压生成电路基于第一基准电流进行分压，至少生成第一基准电压，并将第一基准电压向输出电路输出；输出电路将第一基准电压进行偏置，生成第二基准电压并输出。

A reference voltage output circuit

The embodiment of the invention discloses a reference voltage output circuit, which comprises a conversion circuit, a voltage generating circuit and an output circuit; a conversion circuit is connected with a reference current source, a conversion circuit is connected with the voltage generating circuit, a voltage generating circuit is connected with an output circuit, and a conversion circuit receives a reference current source transmission. After the input reference current is converted according to the first conversion parameter, the first reference current is obtained, and the first reference current is output to the voltage generating circuit. The output circuit bias the first reference voltage to generate the second reference voltage and output.

【技术实现步骤摘要】
一种基准电压输出电路
本专利技术涉及一种集成电路技术、微电子技术，尤其涉及一种基准电压输出电路。
技术介绍
随着集成电路的特征尺寸不断缩小，集成度不断增强，在同一芯片上集成多种耐压器件日益常见，对芯片上集成多个电压源的需求也是日益增强。现有技术多采用运算放大器实现芯片上的电压源功能，当芯片需要多个电压源时，也必须同时存在多个运算放大器。如图1所示为现有技术中的一种多电压源产生电路示意图。运算放大器是具有相当高的放大倍数的电路单元。在实际电路中，通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。由于运算放大器的存在导致电路复杂，使其芯片的功耗高，而且运算放大器面积大，占用了过多的芯片空间。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种基准电压输出电路。本专利技术实施例的技术方案如下：本专利技术实施例提供的一种基准电压输出电路，所述电路包括：转换电路、电压生成电路和输出电路；所述转换电路与参考电流源连接，所述转换电路与所述电压生成电路连接，所述电压生成电路与所述输出电路连接；所述转换电路接收所述参考电流源输入的参考电流后，将所述参考电流按第一转换参数进行转换，得到第一基准电流，并将所述第一基准电流向所述电压生成电路输出；所述电压生成电路基于所述第一基准电流进行分压，至少生成第一基准电压，并将所述第一基准电压向所述输出电路输出；所述输出电路将所述第一基准电压进行偏置，生成第二基准电压并输出。作为一种实现方式，所述转换电路包括：第一场效应管和第二场效应管；所述第一场效应管的漏极与所述参考电流源连接，且所述第一场效应管的漏极、所述第一场效应管的栅极和所述第二场效应管的栅极共接，所述第二场效应管的漏极与所述电压生成电路连接；其中，所述第一转换参数由所述第一场效应管沟道尺寸参数和所述第二场效应管沟道尺寸参数来确定。作为一种实现方式，所述电压生成电路包括：第三场效应管和第一参考电阻；所述第三场效应管的源极与所述第一参考电阻的第一端连接，所述第三场效应管的漏极与所述转换电路连接，所述第一参考电阻的第二端接地，所述第三场效应管的漏极与所述第三场效应管的栅极连接，且所述第三场效应管的漏极与所述输出电路连接。作为一种实现方式，所述电压生成电路还包括第二参考电阻；所述第三场效应管的漏极与所述第二参考电阻的第二端连接，所述第二参考电阻的第一端与所述转换电路连接，且所述第二参考电阻的第一端与所述输出电路连接。进一步地，所述电压生成电路还包括第三参考电阻；所述第三参考电阻的第二端与所述第二参考电阻的第一端连接，所述第三参考电阻的第一端与所述转换电路连接，且所述第三参考电阻的第一端与所述输出电路连接。作为一种实现方式，所述电压生成电路还包括：所述第三场效应管的源极接地，所述第三场效应管的漏极与所述第一参考电阻的第二端连接；或，所述第三场效应管的源极与所述第三参考电阻的第一端连接，所述第三场效应管的漏极与所述转换电路连接；或，所述第三场效应管的源极与所述第二参考电阻的第一端连接，所述第三场效应管的漏极与所述第三参考电阻的第二端连接；其中，通过所述第三场效应管对所述第一基准电压进行移位，生成所述第一基准电压并输出。作为一种实现方式，所述输出电路包括：第四场效应管和偏置电阻；所述第四场效应管的栅极与所述电压生成电路连接，所述第四场效应管的源极与所述偏置电阻的第一端连接，所述偏置电阻的第二端接地，所述第四场效应管的源极与第一模拟负载连接；其中，通过所述偏置电阻将第四场效应管的栅极接收的所述第一基准电压进行偏置，生成所述第二基准电压并输出。作为一种实现方式，所述输出电路包括：第五场效应管和第一电流镜电路；所述第一电流镜电路包括第六场效应管和第七场效应管；所述第六场效应管的漏极、所述转换电路、所述第六场效应管的栅极和所述第七场效应管的栅极共接，所述第六场效应管的源极接地，所述第五场效应管的栅极与所述电压生成电路连接，所述第五场效应管的源极与第七场效应管的漏极连接，所述第七场效应管的源极接地，所述第五场效应管的源极与第二模拟负载连接；其中，通过所述第一电流镜电路将所述第五场效应管的栅极接收的所述第一基准电压进行偏置，生成并输出所述第二基准电压。作为一种实现方式，所述输出电路包括：跨导线性电路和第二电流镜电路；所述跨导线性电路包括第九场效应管、第十场效应管、第十一场效应管和第十二场效应管；所述第二电流镜电路包括所述第六场效应管和第八场效应管；所述第九场效应管的栅极、所述第十场效应管的栅极和所述电压生成电路共接，所述第九场效应管的源极与所述第十一场效应管的源极连接，所述第十场效应管的源极与所述第十二场效应管的源极连接，所述第十一场效应管的漏极、所述第十一场效应管的栅极、所述第十二场效应管的栅极和所述第八场效应管的漏极共接，所述第八场效应管的栅极、所述第六场效应管的栅极、所述第六场效应管的漏极和所述转换电路共接；所述第八场效应管的源极和所述第十二场效应管的漏极均接地，所述第十场效应管的源极和所述第十二场效应管的源极均与第三模拟负载连接；其中，通过所述跨导线性电路调整所述第九场效应管的栅极和所述第十场效应管的栅极共同接收的所述第一基准电压的驱动因子，通过所述第二电流镜电路对调整后的所述第一基准电压进行偏置，生成所述第二基准电压并输出。作为一种实现方式，所述通过所述跨导线性电路调整所述第九场效应管的栅极和所述第十场效应管的栅极共同接收的所述第一基准电压的驱动因子，包括：在所述第十场效应管的源极处，通过拉电流提高所述驱动因子；在所述第十二场效应管的源极处，通过灌电流降低所述驱动因子。作为一种实现方式，所述转换电路还包括第十三场效应管；所述第十三场效应管的栅极、所述第一场效应管的栅极和所述第一场效应管的漏极共接，所述第十三场效应管的漏极与所述输出电路连接；其中，通过所述第一场效应管的栅极接收所述参考电流后，将所述参考电流按第二转换参数进行转换，生成第二基准电流并输出。作为一种实现方式，所述第二转换参数由所述第一场效应管沟道尺寸参数和所述第三场效应管沟道尺寸参数来确定。本专利技术实施例的基准电压输出电路包括：转换电路、电压生成电路和输出电路；转换电路与参考电流源连接，转换电路与所述电压生成电路连接，电压生成电路与输出电路连接；转换电路接收参考电流源输入的参考电流后，将参考电流按第一转换参数进行转换，得到第一基准电流，并将第一基准电流向电压生成电路输出；电压生成电路基于第一基准电流进行分压，至少生成第一基准电压，并将第一基准电压向输出电路输出；输出电路将第一基准电压进行偏置，生成第二基准电压并输出。本专利技术通过转换电路复用一路参考电流，通过电压生成电路生成至少一个基准电压，并采用输出电路进行偏置处理并输出基准电压，从而避免了使用复杂的运算放大器结构，实现了片上多路电压源结构，功耗低且整体体积较小，从而更能适用于多个电压源。附图说明图1为现有技术中的一种多电压源产生电路示意图；图2为本专利技术实施例一提供的一种基准电压输出电路逻辑结构示意图；图3为本专利技术实施例二提供的一种基准电压输出电路示意图；图4为本专利技术实施例三提供的一种基准电压输出电路示意图；图5为本专利技术实施例四提供的一种基准电压输出电路示意图；图6为本专利技术实施例五提供的一种基准电压输出电路示意图。具体实施方式为了能够更加详本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基准电压输出电路，其特征在于，所述电路包括：转换电路、电压生成电路和输出电路；所述转换电路与参考电流源连接，所述转换电路与所述电压生成电路连接，所述电压生成电路与所述输出电路连接；所述转换电路接收所述参考电流源输入的参考电流后，将所述参考电流按第一转换参数进行转换，得到第一基准电流，并将所述第一基准电流向所述电压生成电路输出；所述电压生成电路基于所述第一基准电流进行分压，至少生成第一基准电压，并将所述第一基准电压向所述输出电路输出；所述输出电路将所述第一基准电压进行偏置，生成第二基准电压并输出。

【技术特征摘要】
1.一种基准电压输出电路，其特征在于，所述电路包括：转换电路、电压生成电路和输出电路；所述转换电路与参考电流源连接，所述转换电路与所述电压生成电路连接，所述电压生成电路与所述输出电路连接；所述转换电路接收所述参考电流源输入的参考电流后，将所述参考电流按第一转换参数进行转换，得到第一基准电流，并将所述第一基准电流向所述电压生成电路输出；所述电压生成电路基于所述第一基准电流进行分压，至少生成第一基准电压，并将所述第一基准电压向所述输出电路输出；所述输出电路将所述第一基准电压进行偏置，生成第二基准电压并输出。2.根据权利要求1所述的基准电压源输出电路，其特征在于，所述转换电路包括：第一场效应管和第二场效应管；所述第一场效应管的漏极与所述参考电流源连接，且所述第一场效应管的漏极、所述第一场效应管的栅极和所述第二场效应管的栅极共接，所述第二场效应管的漏极与所述电压生成电路连接；其中，所述第一转换参数由所述第一场效应管沟道尺寸参数和所述第二场效应管沟道尺寸参数来确定。3.根据权利要求2所述的基准电压源输出电路，其特征在于，所述电压生成电路包括：第三场效应管和第一参考电阻；所述第三场效应管的源极与所述第一参考电阻的第一端连接，所述第三场效应管的漏极与所述转换电路连接，所述第一参考电阻的第二端接地，所述第三场效应管的漏极与所述第三场效应管的栅极连接，且所述第三场效应管的漏极与所述输出电路连接。4.根据权利要求3所述的基准电压源输出电路，其特征在于，所述电压生成电路还包括第二参考电阻；所述第三场效应管的漏极与所述第二参考电阻的第二端连接，所述第二参考电阻的第一端与所述转换电路连接，且所述第二参考电阻的第一端与所述输出电路连接。5.根据权利要求4所述的基准电压源输出电路，其特征在于，所述电压生成电路还包括第三参考电阻；所述第三参考电阻的第二端与所述第二参考电阻的第一端连接，所述第三参考电阻的第一端与所述转换电路连接，且所述第三参考电阻的第一端与所述输出电路连接。6.根据权利要求5所述的基准电压输出电路，其特征在于，所述电压生成电路还包括：所述第三场效应管的源极接地，所述第三场效应管的漏极与所述第一参考电阻的第二端连接；或，所述第三场效应管的源极与所述第三参考电阻的第一端连接，所述第三场效应管的漏极与所述转换电路连接；或，所述第三场效应管的源极与所述第二参考电阻的第一端连接，所述第三场效应管的漏极与所述第三参考电阻的第二端连接；其中，通过所述第三场效应管对所述第一基准电压进行移位，生成所述第一基准电压并输出。7.根据权利要求6所述的基准电压输出电路，其特征在于，所述输出电路包括：第四场效应管和偏置电阻；所述第四场效应管的栅极与所述电压生成电路连接，所述第四场效应管的源极与所述偏置电阻的第一端连接，所述偏置电阻的第二端接地，所述第四场效应管的源极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏强，马军，彭振飞，奕江涛，李平，
申请(专利权)人：广州慧智微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44