一种埋容基板及加工方法技术

本发明专利技术涉及一种埋容基板及加工方法。本发明专利技术所揭示的埋层基板包含第一电极层和第二电极层；以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的软性材料；其中所述第二电极层包含第一内侧金属层和第一外侧金属层，所述第一内侧金属层与所述第一软性材料粘结，所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层结合。

A buried capacitance substrate and its processing method

The invention relates to a buried capacitance substrate and a processing method thereof. The buried substrate disclosed in the present invention comprises a first electrode layer and a second electrode layer, and a soft material located between the first electrode layer and the second electrode layer, wherein the second electrode layer comprises a first inner metal layer and a first outer metal layer, and the first inner metal layer is bonded to the first soft material. The first outer metal layer is combined with the first inner metal layer.

【技术实现步骤摘要】
一种埋容基板及加工方法
本专利技术大体涉及半导体制造技术，特别是将电容元件内置于基板内部的埋入式电容技术。
技术介绍
将电容元件内置于基板内部的埋入式电容技术是电子系统小型化的一种重要的解决方案，其通常被用于麦克风和可穿戴电子产品中，起到滤波、定时、解耦以及电能量存储的作用。其主要优点在于可以提高电子系统的稳定性和可靠性，降低产品的成本和缩小产品的物理尺寸。
技术实现思路
目前业界(例如3M、Faradflex等国外公司)所开发的电容材料提供的均是两层35μm或70μm铜箔夹着一层厚度≤20μm(最小通常可为3μm)的超薄电介质材料(如图1所示，其中的电介质材料是厚度为6μm的厚埋容材料)，该电容材料通常为产业上游供应厂商已经制备成形的来料，但也可由下游封装测试厂商自行制备。然而，对包含超薄电介质材料的电容材料进行加工往往十分困难。由于缺乏(例如玻璃纤维等)支撑结构对电容材料提供有效支撑，在电容基板制作工艺中，经常不可避免地遇到电容材料皱折、破损与卡板等诸多问题，导致在面临基板厂的设备及来料处置等一系列要求近乎严苛的条件时，现有技术无法有效地解决因电容层皱折、破损与卡板等而导致的产品制程报废或产品性能下降等技术问题。并且，对包含(除电容材料以外的)软性夹层的其他层叠结构进行加工，也面临着同样的技术问题。有鉴于此，本专利技术提供一种埋容基板及其加工方法，以期有效解决由软性夹层(例如电容层)的皱折所导致的产品制程报废或产品性能下降等技术问题，从而提升产品产率。本专利技术的一实施例提供一种加工埋层基板的方法，所述方法包含形成第一埋层结构，其包含第一软性材料、第一电极层和第二电极层，其中所述第一电极层和所述第二电极层设置在第一软性材料两侧，所述第二电极层包含第一内侧金属层和第一外侧金属层，所述第一内侧金属层与所述第一软性材料粘结，所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层结合并可分离；形成第二埋层结构，其包含第二软性材料、第三电极层和第四电极层，其中所述第三电极层和所述第四电极层设置在第二软性材料两侧，所述第四电极层包含第二内侧金属层和第二外侧金属层，所述第二内侧金属层与所述第二软性材料粘结，所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层结合并可分离；在所述第一埋层结构的所述第一外侧金属层和所述第二埋层结构的所述第二外侧金属层之间插入支撑载板；压合所述第一埋层结构、所述支撑载板和所述第二埋层结构极，使得所述第一外侧金属层和所述第二外侧金属层分别与所述支撑载板紧密接合；在所述第一埋层结构的所述第一电极层上依次形成第一图形线路、第一支撑层和第一金属层，以形成第三埋层结构；在所述第二埋层结构的所述第三电极层上依次形成第二图形线路、第二支撑层和第二金属层，以形成第四埋层结构；去除所述支撑载板，使得所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层分离，且所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层可分离；以及基于所述第三埋层结构和所述第四埋层结构形成其他图形线路。根据本专利技术的另一个实施例，所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层结合后可机械分离。根据本专利技术的另一个实施例，所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层结合后可机械分离。根据本专利技术的另一实施例，一种埋层基板包含：第一电极层和第二电极层；以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的软性材料；其中所述第二电极层包含第一内侧金属层和第一外侧金属层，所述第一内侧金属层与所述第一软性材料粘结，所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层结合。本专利技术提供的埋容基板及其加工方法不仅无需对基板厂的设备工艺提出任何特殊要求即可顺利完成生产，而且一次线路工艺可同时对两片基板进行加工，从而使产能得以提升，实现了一举多得的有益技术效果。附图说明图1显示现有技术中包含埋入式电容电介质的内埋电容基板。图2(a)-(f)显示现有技术中形成内埋电容基板的双面线路加工实施例。图3(a)-(e)显示现有技术中形成内埋电容基板的单面线路加工实施例。图4是本专利技术埋容基板的示意图。图5(a)-(g)是根据图4所示埋容基板进行加工的示意图。具体实施方式为更好地理解本专利技术的精神，以下结合本专利技术的部分优选实施例对其作进一步说明。在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方”、“下方”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。以下详细地讨论本专利技术的各种实施方式。尽管讨论了具体的实施，但是应当理解，这些实施方式仅用于示出的目的。相关领域中的技术人员将认识到，在不偏离本专利技术的精神和保护范围的情况下，可以使用其他部件和配置。图2(a)-(f)是现有技术中基于图1所示的常规内埋电容基板进行双面线路加工的流程。图2(a)为电容覆铜板，其由电极层201、相对电极层203以及位于电极层201与相对电极层203之间的超薄介电层202构成，其中电极层201与相对电极层203均为金属箔，其中金属箔可为铜箔。图2(b)显示在图2(a)所示的电容覆铜板的电极层201和相对电极层203上直接形成线路，所述线路可从上方和下方两个对进方向同时形成。图2(c)显示双面压合工艺，即，在电极层201所形成的线路上形成间隔材料205及上电极层206，且在相对电极层203所形成的线路上形成间隔材料205'及下电极层206'。需要注意的是，虽然间隔材料205和间隔材料205'一经形成便具有一定的支撑性以保证后续加工不致进一步损坏超薄介电层202，但形成间隔材料205和间隔材料205'的过程本身仍会给超薄介电层202带来损坏。接下来，如图2(d)所示，在电极层201与上电极层206之间通过例如填孔镀铜等方式形成金属接触207，并相应地在相对电极层203与下电极层206'之间通过相同或类似的方式形成金属接触，所述形成金属接触的步骤可同时进行。图2(e)显示在上电极层206和下电极层206'上形成图案，以便进一步在所述图案上形成如图2(f)所示的上基板外层208和下基板外层208'。作为一个实施例，所述上基板外层208和下基板外层208'可为绿漆、镍金等材料。然而，由于超薄介电层202是软性材质且缺乏有效支撑，导致在图2(b)和图2(c)所示的加工过程中，极易使超薄介电层202产生皱折甚至破损，并导致卡板等诸多问题。因此，即便施加严苛的操作条件，上述加工过程仍很难避免破坏软性超薄介电层202，从而导致产品制程报废或产品性能下降。图3(a)-(e)是现有技术中基于例如图1所示的内埋电容基板进行单面线路加工的流程，以期对图2(a)-(f)所示的双面线路加工流程加以改善。图3(a)为电容覆铜板，其由电极层301、相对电极层303以及位于电极层301与相对电极层303之间的超薄介电层302构成，其中电极层301与相对电极层303均为金属箔，其中金属箔可为铜箔。图3(b)显示仅在图3(a)所示的电容覆铜板的相对电极层303上直接形成线路，此时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加工埋层基板的方法，所述方法包含：提供第一埋层结构，其包含第一软性材料、第一电极层和第二电极层，其中所述第一电极层和所述第二电极层设置在所述第一软性材料两侧，所述第二电极层包含第一内侧金属层和第一外侧金属层，所述第一内侧金属层与所述第一软性材料粘结，所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层结合；提供第二埋层结构，其包含第二软性材料、第三电极层和第四电极层，其中所述第三电极层和所述第四电极层设置在所述第二软性材料两侧，所述第四电极层包含第二内侧金属层和第二外侧金属层，所述第二内侧金属层与所述第二软性材料粘结，所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层结合；压合所述第一埋层结构、支撑载板和所述第二埋层结构，使得所述第一外侧金属层和所述第二外侧金属层分别与所述支撑载板紧密接合；在所述第一埋层结构的所述第一电极层上形成第一图形线路层、第一支撑层和第一金属层，并在所述第二埋层结构的所述第三电极层上形成第二图形线路层、第二支撑层和第二金属层；以及去除所述支撑载板，使得所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层分离，且所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层分离，得到经加工的埋层基板。

【技术特征摘要】
1.一种加工埋层基板的方法，所述方法包含：提供第一埋层结构，其包含第一软性材料、第一电极层和第二电极层，其中所述第一电极层和所述第二电极层设置在所述第一软性材料两侧，所述第二电极层包含第一内侧金属层和第一外侧金属层，所述第一内侧金属层与所述第一软性材料粘结，所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层结合；提供第二埋层结构，其包含第二软性材料、第三电极层和第四电极层，其中所述第三电极层和所述第四电极层设置在所述第二软性材料两侧，所述第四电极层包含第二内侧金属层和第二外侧金属层，所述第二内侧金属层与所述第二软性材料粘结，所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层结合；压合所述第一埋层结构、支撑载板和所述第二埋层结构，使得所述第一外侧金属层和所述第二外侧金属层分别与所述支撑载板紧密接合；在所述第一埋层结构的所述第一电极层上形成第一图形线路层、第一支撑层和第一金属层，并在所述第二埋层结构的所述第三电极层上形成第二图形线路层、第二支撑层和第二金属层；以及去除所述支撑载板，使得所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层分离，且所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层分离，得到经加工的埋层基板。2.根据权利要求1所述的方法，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩建华，欧宪勋，罗光淋，程晓玲，王君鹏，林艳，
申请(专利权)人：日月光半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31