电容和埋电容电路板制造技术

本实用新型专利技术涉及电容和埋电容电路板。该电容包括：高介电常数聚合物复合材料层；离子注入层，该离子注入层通过离子注入方法使导电材料离子高速注入至高介电常数聚合物复合材料层内而形成；以及金属层，其形成并覆盖于该离子注入层上。

【技术实现步骤摘要】
电容和埋电容电路板
本技术涉及电容和埋电容电路板。
技术介绍
随着电子产品趋向轻薄、高频和多功能方向发展，电路集成度越来越高，相应的集成电路接脚和线路布局越来越多，导致噪音随之增大。为了消除噪音或做电性补偿，可在半导体封装结构中增加无源器件以消除噪音和稳定电路。例如，电容具有储存电荷的作用，可将高频噪音以能量暂存方式予以吸收，从而降低系统电源波动，保证信号传输的完整性。增加电容方式之一是用SMT表面贴装技术将无源器件整合在基板上，但容易产生阻抗、信号串扰，且占据大量表面贴装面积，不符合电子产品日益严格的轻薄短小要求。另外一种是将电容埋入封装基板或PCB电路板中，这种称为埋电容（埋入式电容器）。埋入电容的基板或电路板制造主要包括三项关键技术：电容埋入技术、内部互连技术和所用的埋电容技术。埋电容的两侧是金属层，中间是“高介电常数(Dk)、低介质损耗”的介质层，通常10μm-25μm厚，大大提升电容量，能帮助电源供电系统去耦和滤波，降低系统功率分布的阻抗和高频电路的共振效应。主要应用在高速数据传输/通讯设备、服务器、计算机、测试测量、医疗、打印机、显示器、军事领域以及手持式电子产品行业。对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容，其包括：高介电常数聚合物复合材料层；离子注入层，所述离子注入层通过离子注入方法使导电材料离子高速注入至高介电常数聚合物复合材料层内而形成；以及金属层，其形成并覆盖于所述离子注入层上。

【技术特征摘要】
1.一种电容，其包括：高介电常数聚合物复合材料层；离子注入层，所述离子注入层通过离子注入方法使导电材料离子高速注入至高介电常数聚合物复合材料层内而形成；以及金属层，其形成并覆盖于所述离子注入层上。2.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述离子注入层的注入材料与所述高介电常数聚合物复合材料层形成掺杂结构，所述掺杂结构在所述高介电常数聚合物复合材料层的表面下形成多个基桩。3.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述电容还包括导体沉积层，所述导体沉积层覆盖于所述离子注入层上，且所述金属层覆盖于所述导体沉积层之上，所述导体沉积层包括等离子体沉积层和/或磁控溅射沉积层，所述等离子体沉积层通过等离子体沉积方法使导电材料离子沉积而形成；所述磁控溅射层通过磁控溅射方法使导电材料原子沉积而形成。4.根据权利要求3所述的电容，其特征在于，所述等离子体沉积层和所述磁控溅射层均包括一层或多层导体材料，所述各层导体材料均通过一次或多次所述等离子体沉积或磁控溅射过程形成。5.根据权利要求1-4中任一项所述的电容，其特征在于，所述离子注入层的材料包括：Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb中的一种。6.根据权利要求3或4所述的电容，其特征在于，所述导体沉积层的材料包括：Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb中的一种。7.根据权利要求1-4中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志强，张晓峰，宋红林，白四平，
申请(专利权)人：武汉光谷创元电子有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42