The present invention discloses a preparation method of epitaxial growth [153] oriented Ta3N5 self-supporting film, which comprises the following steps: putting the cleaned [100] oriented KTaO3 single crystal wafer into the furnace, calcining the set time in the mixed atmosphere of CCl4 and NH3, and preparing the self-supporting [153] oriented Ta3N5 film. It can solve the technical problems that Ta3N5 can not be prepared as oriented structure and can not obtain self-supporting film in the prior art, thus inhibiting the application of tantalum-based nitrides.
【技术实现步骤摘要】
一种内延生长[153]取向Ta3N5自支撑薄膜的制备方法
本专利技术具体涉及一种内延生长[153]取向Ta3N5自支撑薄膜的制备方法。
技术介绍
在21世纪半导体材料的发展极大地促进了社会的进步，改善了人们的生活。半导体材料已经成为光学、电学等领域发展的基础，探索合成新的半导体材料，改进半导体材料的性能离不开合成工艺的发展。氮化物半导体材料作为半导体家族的一类，通常的合成方法需要昂贵的合成设备或者苛刻的合成条件，这阻碍了半导体材料的大规模应用。在所有的氮化物半导体材料中，金属氮化物，尤其是钽基氮化物越来越引起学术以及工程届的重视，钽基氮化物半导体具有宽的太阳光吸收范围，合适的禁带位置，以及高效的光催化性能。但是传统的合成方法多采用氨气氮化，由于结构的改变，传统的氮化方法导致合成的样品多为无取向的粉体，由于各向异性，光生载流子的分离效率受到了极大的限制，因此采用新的方法合成具有取向的、独特的形貌的Ta3N5成为一个亟待解决的问题。综上所述，现有技术中合成的钽基氮化物多为无取向结构，限制了其应用，如何探索新的合成方案，合成具有晶体取向性的结构尚缺乏有效的解决方案。专利...
【技术保护点】
1.一种内延生长[153]取向Ta3N5自支撑薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：将清洗后的[100]取向KTaO3单晶晶片放入炉内，在CCl4和NH3的混合气氛中煅烧设定时间后，制得自支撑的[153]取向Ta3N5薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种内延生长[153]取向Ta3N5自支撑薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：将清洗后的[100]取向KTaO3单晶晶片放入炉内，在CCl4和NH3的混合气氛中煅烧设定时间后，制得自支撑的[153]取向Ta3N5薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：依次采用水、丙酮和异丙醇对[100]取向KTaO3单晶晶片进行超声清洗。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：采用每种溶剂超声清洗的时间为10-30min。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述CCl4采用氩气进行载气。5.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄柏标，李慧亮，王泽岩，张晓阳，秦晓燕，王朋，刘媛媛，张倩倩，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东,37
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