拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体及其制备方法，利用拓扑发光体掺杂改变MgB2基超导体的超导转变温度。本发明专利技术采用水热法制备了三种拓扑发光体：微米片m‑Y2O3:Eu3+/Ag，纳米片n‑Y2O3:Eu3+/Ag和n‑Y2O3:Eu3+/AgCl。异位掺杂法制备拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体。通过改变掺杂剂的尺寸、Ag含量以及掺杂剂的质量分数等因素，研究掺杂样品的超导转变温度的变化。实验中发现当使用n‑Y2O3:Eu3+/AgCl作为掺杂剂，且掺杂浓度为1％时，掺杂的MgB2基超导体的转变温度高于对应的纯MgB2样品。

【技术实现步骤摘要】
拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体及其制备方法
本专利技术涉及一种拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体及其制备方法，该智能超构超导体具有优异的特性，例如制备方法简单，且具有相对较高的临界转变温度。
技术介绍
2001年，MgB2的超导性被人们所发现。MgB2结构简单，易于制备，且具有相对较高的临界转变温度(TC＝39.0K)，这些优良的性质使得MgB2具有很大的实际应用前景。当前，一个巨大挑战就是如何进一步提高MgB2的TC，为此人们进行了大量的研究工作，尝试了各种不同的方法。但是，到目前为止，人们还没有找到一个有效的方法用以提高MgB2材料的超导转变温度。最近的一些研究表明，掺杂发光材料有望提高材料的超导转变温度。Y2O3:Eu3+是一种优良的稀土发光材料，制备工艺较为成熟，具有较好的稳定性。我们组最近的研究表面，将氧化钇制备成一种拓扑发光体将会进一步提高本身的电致发光性能。因此，基于超材料的思路，利用化学掺杂手段将拓扑发光体掺杂进超导材料有望进一步提高材料的超导转变温度。
技术实现思路
鉴于以上情况，本专利技术开辟了一种新方法，利用超材料的思路，把化学掺杂和光场激励结合起来，直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体及其制备方法，其特征在于水热法制备得到三种掺杂剂：微米片m‑Y2O3:Eu3+/Ag，纳米片n‑Y2O3:Eu3+/Ag和n‑Y2O3:Eu3+/AgCl；异位掺杂法制备不同Ag含量以及不同质量分数的拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体。

【技术特征摘要】
1.拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体及其制备方法，其特征在于水热法制备得到三种掺杂剂：微米片m-Y2O3:Eu3+/Ag，纳米片n-Y2O3:Eu3+/Ag和n-Y2O3:Eu3+/AgCl；异位掺杂法制备不同Ag含量以及不同质量分数的拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体。2.如权利要求1中所述的拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体及其制备方法，其特征在于拓扑发光体掺杂剂分布在MgB2超导体颗粒周围，改变拓扑发光体中Ag的含量、光照条件以及掺杂剂的质量分数可以制备出不同超导性能的MgB2基超导体。3.如权利要求1中所述的拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体的制备方法，包括以下步骤:(1)称取0.153gY2O3和0.012gEu2O3置于烧杯中，取过量浓盐酸滴加至烧杯中，于通风橱中70℃加热直至析出白色透明晶体，干燥2h得到前驱体；取一份前驱体加入4mL去离子水，再缓慢滴入草酸铵溶液，2℃水浴剧烈搅拌30min，再加入一定量的AgNO3，继续搅拌30min，用NaOH(4mol/L)溶液...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓鹏，李勇波，陈宏刚，陈国维，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61