当前位置: 首页 > 专利查询>微软公司专利>正文

手性拓扑超导体中的π / 8栅极的平面实现的方法技术

技术编号:8456870 阅读:205 留言:0更新日期:2013-03-22 09:15
此处公开了在拓扑上受保护的π/8栅极,该栅极当与通过准粒子编织以及平面准粒子干涉测量法获得的栅极相结合时变为通用的。公开了扭曲干涉仪,以及借助于该扭曲干涉仪实现的CTS中的平面π/8栅极。在ISH所支持的状态X(CTS)的上下文中描述了各实施例,但是扭曲干涉仪的概念更一般并且与所有阴离子(即,准粒子)系统具有相关性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
此处所公开的并且要求保护的主题一般涉及量子计算领域。具体而言,此处所公开并且要求保护的主题涉及手性拓扑超导体中的H /8栅极的平面实现的方法。背景术语“手性拓扑 超导体(CTS) ”可用于描述基于通过邻近效应导入了超导性的自旋轨道耦合半导体的任何2D系统,以及具有下面所列出的拓扑属性的任何其他Ising式的系统。示例包括Sau等人(电子预印本(arxiv) :0907, 2239)、Alicea(电子预印本0912. 2115),以及Qi等人(电子预印本1003. 5448),这些申请以引用的方式并入本文中。这样的系统是拓扑超导体,并支持局部化的Majorana状态。这些CTS不是纯粹地拓扑的,另外还支持传统的有序参数,如果CTS不是平面的,而被配置为亏格>0的表面,则拉格朗日算子中的有效刚度项/HvH2将防止某些拓扑状态的重叠。出于这个原因,需要设计用于在严格平面的上下文中执行在计算上通用的栅极集的协议。以前,术语“Ising夹层异质结构”(ISH)用于表示此概念。但是,由于希望可以在没有有效的有序参数P的情况下构建ISH,因此,术语“CTS”在此用于强调有序参数的存在。
技术实现思路
权利要求1.一种扭曲干涉仪,包括 源极、第一漏极以及第二漏极; 第一真空和第二真空之间的第一隧穿路径; 所述第一真空和第三真空之间的第二隧穿路径; 所述第二真空和所述第三真空之间的第三隧穿路径, 其中,在所述源极和所述漏极之间维护有偏压,以便电流围绕所述真空的边缘流动。2.如权利要求I所述的干涉仪,其特征在于,所述真空中的每一个不存在X状态流体或是没有非阿贝尔属性的经转换流体,并且所述真空是通过电子或磁性顶部浇注来创建的。3.如权利要求I所述的干涉仪,其特征在于,所述第一真空的边缘上的第一点和所述第三真空的边缘上的第三点之间穿过所述第一和第三隧穿路径的第一距离是所述第一点和所述第三点之间穿过所述第二隧穿路径的第二距离的大约1/5。4.如权利要求I所述的干涉仪,其特征在于,允许隧穿在所述隧穿路径中的每一个处持续与波包以群速度围绕所述第二真空传播一个来回的时间成比例的时间间隔。5.如权利要求I所述的干涉仪,其特征在于,当所述第一、第二以及第三隧穿结打开时,所有电流流入所述第一漏极。6.如权利要求I所述的干涉仪,其特征在于,具有相对于所述第一距离而言小的载体的σ粒子的波包被允许以第一幅值移位到所述第二真空。7.如权利要求6所述的干涉仪,其特征在于,所述波包被允许以小于所述第一幅值的第二幅值移位到所述第一真空。8.如权利要求7所述的干涉仪,其特征在于,第二波包到达所述第二隧穿结,使得该包以第三幅值传输。9.如权利要求8所述的干涉仪,其特征在于,当所述第二波包到达所述第三隧穿结时,所述第一波包正好也到达所述第三隧穿结。10.一种手性拓扑超导体中的平面η/8栅极,包括低移动性电子结构,所述低移动性电子结构包括自旋轨道耦合半导体、普通超导体、铁磁绝缘体。11.如权利要求10所述的栅极,其特征在于,所述电子结构能够支持通用拓扑、容错量子计算。12.—种在拓扑上受保护的用于在手性拓扑超导体(CTS)、Ising夹层异质结构(ISH)器件中实现η/8栅极的方法,所述方法包括 在所述CTS-ISH器件内以在拓扑上受保护的、容错的方式实现通用量子计算。13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述CTS-ISH器件包括能够支持通用拓扑的、容错的量子计算的低移动性电子结构。14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述低移动性电子结构包括自旋轨道耦合半导体。15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述低移动性电子结构包括普通超导体。全文摘要此处公开了在拓扑上受保护的π/8栅极,该栅极当与通过准粒子编织以及平面准粒子干涉测量法获得的栅极相结合时变为通用的。公开了扭曲干涉仪,以及借助于该扭曲干涉仪实现的CTS中的平面π/8栅极。在ISH所支持的状态X(CTS)的上下文中描述了各实施例,但是扭曲干涉仪的概念更一般并且与所有阴离子(即,准粒子)系统具有相关性。文档编号H01L39/00GK102985935SQ201180025258 公开日2013年3月20日 申请日期2011年5月20日 优先权日2010年5月21日专利技术者P·邦德尔森, M·弗里德曼, C·纳亚克, K·沃克, L·菲德科沃斯基 申请人:微软公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:P·邦德尔森M·弗里德曼C·纳亚克K·沃克L·菲德科沃斯基
申请(专利权)人:微软公司
类型:
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利