The utility model provides a sample preparation device for preparing chip failure analysis samples for SCM research, including a focused ion beam, a metal gasket, an ion fan, a heating table and a UV lamp. The chip to be tested is cut by the focused ion beam to obtain chip samples, and the chip samples are pasted on the chip samples. On the metal gasket, the ion fan blows the chip sample on the metal gasket to remove the ions deposited on the surface of the chip sample, and then transfers the metal gasket to the heating table, which heats the chip sample, and the UV lamp irradiates the chip sample and the addition. The hot stage works together with the UV lamp to form a dense oxide layer on the surface of the chip sample. The sample preparation device provided by the utility model has the advantages of simple operation, complete and accurate sample preparation, can effectively ensure the accuracy of chip failure analysis results, and improves the accuracy of test and analysis results.
【技术实现步骤摘要】
一种用于制备芯片失效分析样品的制样装置
本技术涉及芯片测试分析领域,尤其是芯片失效分析样品的制样装置。
技术介绍
芯片失效分析时,常利用电性定位工具对样片进行分析,定位到异常位置,然后逐步去层,使用扫描电子显微镜观察影像,当芯片电性定位到有异常点,但逐步去层却找不到异常时,就需要往PN结的密度以及分布的方向进行分析,而这些特定的位置要完整呈现会采用酸液浸泡,这种浸泡后的样品测试时呈现的结果会受到酸液的浸泡时间、温度、比例等因素的影响,使得测试结果出现偏差。
技术实现思路
为了解决上述问题,本技术提出一种制样装置,用于制备可供扫描电容显微镜研究的芯片失效分析样品,该装置操作简单,制样完整精确,能有效地保证芯片失效分析结果的准确性,提高测试分析结果的精确度。本技术通过以下技术方案实现的:一种制样装置,用于制备可供扫描电容显微镜研究的芯片失效分析样品,包括聚焦离子束、金属垫片、离子风扇、加热台和UV灯,待测试的芯片经由所述聚焦离子束切割得到芯片样品,将所述芯片样品粘贴在所述金属垫片上,所述离子风扇对所述金属垫片上的芯片样品进行吹拭以除去所述芯片样品表面沉积的离子,随后将所述金属垫片移送至所述加热台,所述加热台对所述芯片样品进行加热,所述UV灯对所述芯片样品进行照射,所述加热台与所述UV灯共同作用以在所述芯片样品的表面形成致密的氧化层。进一步的,所述制样装置包括导电胶,所述导电胶的底面粘贴在所述金属垫片上,所述芯片样品粘贴在所述导电胶的顶面。进一步的,所述制样装置还包括玻璃针,所述玻璃针用于吸取所述聚焦离子束切割得到的芯片样品并将所述芯片样品粘贴在所述导电胶上。进一步的, ...
【技术保护点】
1.一种制样装置,用于制备可供扫描电容显微镜研究的芯片失效分析样品,其特征在于,所述制样装置包括聚焦离子束、金属垫片、离子风扇、加热台和UV灯,待测试的芯片经由所述聚焦离子束切割得到芯片样品,将所述芯片样品粘贴在所述金属垫片上,所述离子风扇对所述金属垫片上的芯片样品进行吹拭以除去所述芯片样品表面沉积的离子,随后将所述金属垫片移送至所述加热台,所述加热台对所述芯片样品进行加热,所述UV灯对所述芯片样品进行照射,所述加热台与所述UV灯共同作用以在所述芯片样品的表面形成致密的氧化层。
【技术特征摘要】
1.一种制样装置,用于制备可供扫描电容显微镜研究的芯片失效分析样品,其特征在于,所述制样装置包括聚焦离子束、金属垫片、离子风扇、加热台和UV灯,待测试的芯片经由所述聚焦离子束切割得到芯片样品,将所述芯片样品粘贴在所述金属垫片上,所述离子风扇对所述金属垫片上的芯片样品进行吹拭以除去所述芯片样品表面沉积的离子,随后将所述金属垫片移送至所述加热台,所述加热台对所述芯片样品进行加热,所述UV灯对所述芯片样品进行照射,所述加热台与所述UV灯共同作用以在所述芯片样品的表面形成致密的氧化层。2.根据权利要求1所述的制样装置,其特征在于,所述制样装置包括导电胶,所述导电胶的底面粘贴在所述金属垫片上,所述芯片样品粘贴在所述导电...
【专利技术属性】
技术研发人员:庄丰安,
申请(专利权)人:深圳宜特检测技术有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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