适应性对准方法及系统技术方案

本发明专利技术揭示适应性对准方法及系统。一种适应性对准系统可包含经配置以对准晶片的扫描器及与所述扫描器通信的分析器。所述分析器可经配置以：辨识至少一个界定分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而调用后降对准策略或向所述扫描器报告所述至少一个扰动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】适应性对准方法及系统相关申请案的交叉参考本申请案根据35U.S.C.§119(e)规定主张2015年12月16日申请的序列号为62/268,272号美国临时申请案的权利。所述序列号为62/268,272号的美国临时申请案的全文特此以引用的方式并入。
本专利技术大体上涉及半导体制造的领域，且特定来说涉及在半导体制造期间利用的对准方法及系统。
技术介绍
例如硅晶片及类似者的薄抛光板是现代技术的极其重要的部分。举例来说，晶片可指代用于制造集成电路及其它装置的半导体材料薄片。薄抛光板的其它实例可包含磁盘衬底、块规及类似者。虽然此处描述的技术主要涉及晶片，但应了解，本技术还适用于其它类型的抛光板。术语晶片及术语薄抛光板在本专利技术中可互换地使用。制造半导体装置通常包含使用若干半导体制造工艺处理衬底(例如半导体晶片)。举例来说，光刻是可用来图案化晶片的部分(或整体)的过程。可使用投影曝光系统(例如扫描器或类似者)来实行光刻。通常，在曝光之前对准晶片并确定聚焦校平图。聚焦校平信息可含有由各种前侧及背侧污染源引起的小扰动(还可称为聚焦光点)。除在曝光期间引起成像问题之外，这些聚焦光点还可影响当前曝光层相较于先前层的对准及因此重叠。此原因在于聚焦光点可引起对准标记正上方或周围的区域中的晶片形状的局部变形，而引起工具在与在不存在局部变形的情况下将测量的位置稍微不同的位置处测量对准标记位置。因此，此经测量位置数据用于对准模型项的回归分析及确定中。此信息接着在曝光期间应用于扫描器台以确保光罩、透镜与晶片之间的适当定位及因此更好重叠。当不正确地或次优地计算这些校正值时，重叠控制的失败及重叠准确度的降低因此发生。需要提供有效的且准确的对准方法及系统。
技术实现思路
本专利技术涉及一种系统。所述系统可包含经配置以对准晶片的扫描器及与所述扫描器通信的分析器。所述分析器可经配置以：辨识至少一个界定分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而调用退守(fallback)对准策略或向所述扫描器报告所述至少一个扰动。本专利技术的另一实施例涉及一种方法。所述方法可包含：对准晶片；辨识针对所述晶片界定的至少一个分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而调用退守对准策略以对准所述晶片。本专利技术的额外实施例涉及一种方法。所述方法可包含：对准晶片；辨识针对所述晶片界定的至少一个分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而向用户或用户系统报告所述至少一个扰动以调整所述晶片的对准。应了解，前述一般描述及以下详细描述两者皆仅为示范性的及说明性的且不一定限制本专利技术。并入于本说明书中且构成本说明书的部分的附图说明本专利技术的主题。描述及图式一起用来说明本专利技术的原理。附图说明通过参考附图，所属领域的技术人员可更好理解本专利技术的许多优点，其中：图1是描绘围绕提供于晶片上的对准标记界定的分析区域的说明；图2是描绘根据本专利技术的实施例配置的适应性对准方法的过程流程的说明；图3是描绘根据本专利技术的实施例配置的另一适应性对准方法的过程流程的说明；图4是描绘针对晶片界定的分析区域的说明；图5是描绘针对晶片界定的另一分析区域的说明；以及图6是描绘根据本专利技术的实施例配置的系统的框图。具体实施方式现将详细参考说明于附图中的所揭示的主题。根据本专利技术的实施例涉及适应性对准方法及系统。根据本专利技术配置的适应性对准方法经适应性控制以降低例如扫描器聚焦及/或卡盘光点的扰动的影响。更明确来说，根据本专利技术配置的适应性对准方法可包含检测归因于各种污染源而出现的扰动及基于检测结果适应性地作出反应。在一些实施例中，适应性对准方法可经配置以分析并对经检测扰动(例如，提供用于向客户主机系统警示经检测扰动的运行时间方法)加旗标。替代地及/或额外地，适应性对准方法可经配置以在检测到这些扰动之后调用一或多个退守对准策略。退守对准策略可经设计以促进改进的(或最优)对准及重叠。现参考图1到3，展示描绘根据本专利技术的一些实施例配置的适应性对准方法100的说明。适应性对准方法100可辨识围绕提供于晶片106上的一或多个对准标记104居中的一或多个分析区域102。在一些实施例中，可基于用户指定或系统确定的半径值108界定分析区域102。替代地，可在不脱离本专利技术的精神及范围的情况下界定具有不同形状及大小的分析区域102。应理解，虽然分析区域102的形状及大小可不同，但其为针对相同目的提供，即帮助检测对准标记104周围的扰动(例如，聚焦/卡盘光点及类似者)110。举例来说，用户可指定围绕各已知对准标记104的2mm半径范围。用户还可指定经检测扰动110的大小的限制/阈值(例如，80nm)。以此方式，作为以步骤120开始的对准方法100，如果在步骤130中，在对准标记104的2mm半径范围内检测到具有大于80nm的大小的扰动110，那么可视为已违反用户指定的规则且因此在步骤140中可触发特定动作。如图2中所示，在步骤140中触发的动作可包含退守对准策略。可以使得可为对准目的而跳过/略过触发违反的对准标记104'的方式定义退守对准策略。替代地，退守对准策略可经定义使得触发违反的对准标记104'仍可用于对准目的但被给予较小权重。可预期以各种其它方式定义退守对准策略而不脱离本专利技术的精神及范围。还可预期无需定义退守对准策略。如图3中所示，可调用替代报告步骤150以对触发违反的对准标记104'加旗标且向起始对准过程的用户或用户系统(例如，扫描器系统)报告经加旗标对准标记104'。可预期通过向用户或用户系统提供此报告，根据本专利技术配置的适应性对准方法100可有效地将处置可由扰动110引起的潜在问题的能力提供给用户或用户系统。举例来说，在一些实施例中，用户或用户系统可基于在步骤150中提供的报告决定如何安置晶片(或晶片批)106。如从上文将明白，根据本专利技术配置的适应性对准方法100可通过在光刻过程期间提供运行时间检测并解决潜在破坏性过程条件而直接影响且改进产品产量。可预期根据本专利技术配置的适应性对准方法可尤其适用于实施同时对准及校平的扫描器。然而，应了解，根据本专利技术配置的适应性对准方法不限于扫描器；可预期根据本专利技术配置的适应性对准方法可用于各种其它类型的系统及/或装置中而不脱离本专利技术的精神及范围。还可预期根据本专利技术配置的适应性对准方法可以各种不同方式界定分析区域102而不脱离本专利技术的精神及范围。举例来说，在一些实施例中，用户可无需如图1中描绘那样围绕对准标记104设置特定分析区域102，且替代地选择设置具有限制的区域(还可称为带或区)及违反限制时如何进行晶片处理的动作。图4及5是展示此类区域102A及102B的简化实例。更明确来说，可将图4中展示的区域102A定义为包含距晶片106的中心的简单半径设置(例如，界定从晶片的中心向外50mm的区域)。用户可进一步定义，如果在此区域中检测到100nm或更大的一或多个聚焦光点，那么可触发退守对准策略(例如，在此特定区域中具有较少取样的一者)，或可加旗标并报告晶片106使得可以与上文描述的方式类似的方式向用户或用户系统通知区域102A内违反限制的大于100nm的聚焦光点的数目。应了解，聚焦或卡本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种系统，其包括：扫描器，其经配置以对准晶片；及分析器，其与所述扫描器通信，所述分析器经配置以：辨识至少一个界定分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而调用退守对准策略或向所述扫描器报告所述至少一个扰动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.16 US 62/268,272;2016.09.09 US 15/261,2181.一种系统，其包括：扫描器，其经配置以对准晶片；及分析器，其与所述扫描器通信，所述分析器经配置以：辨识至少一个界定分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而调用退守对准策略或向所述扫描器报告所述至少一个扰动。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述分析器经配置以辨识围绕提供于所述晶片上的至少一个对准标记的所述至少一个界定分析区域。3.根据权利要求2所述的系统，其中将所述至少一个界定分析区域定义为围绕所述至少一个对准标记的特定半径范围。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述至少一个扰动包括至少一个聚焦光点或至少一个卡盘光点。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述退守对准策略经配置以略过确定为在所述分析区域内的所述至少一个扰动。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述分析器经配置以辨识针对扰动界定的大小限制且进一步经配置以确定所述分析区域内是否存在超过所述大小限制的任何扰动。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述分析器经配置以在确定超过所述大小限制的至少一个扰动在所述分析区域内时，调用所述退守对准策略或向所述扫描器报告所述至少一个扰动。8.一种方法，其包括：对准晶片；辨识针对所述晶片界定的至少一个分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而调用退守对准策略以对准所述晶片。9.根据权利要求8所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·A·里格斯，W·皮尔逊，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US