研磨装置制造方法及图纸

提供研磨装置，防止研磨加工中所利用的浆料粘固在晶片上。该研磨装置中，搬出单元(6)具有搬出垫(60)，该搬出垫(60)从呈板状的对晶片(W)进行保持的保持面的中央呈放射状放出水而在保持面与晶片的上表面之间形成水层从而对晶片进行保持。收纳单元(17)具有：水槽(40)；盒浸没单元(41)，其使盒(C2)浸没在水槽内的水中；轨道(42)，其朝向浸没的盒(C2)延伸并浸没在水槽内；以及水中移动单元(43)，其利用搬出单元使晶片浸没在轨道上，并使晶片朝向在轨道的延伸方向上浸没了的盒(C2)进行水中移动。

【技术实现步骤摘要】
研磨装置
本专利技术涉及研磨装置。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，包含使研磨垫与保持工作台所保持的晶片接触而进行研磨的研磨工序。例如公知有在对晶片的正面进行研磨的研磨装置中，将含有游离磨粒的浆料提供至研磨面而进行研磨。在这样的利用研磨装置的研磨工序中，会产生如下的情形：当研磨后的晶片变得干燥时浆料会粘固在晶片的正面上。例如为了防止研磨后的晶片的干燥而提出了下述方法：使水层介于搬送垫的保持面与晶片的被保持面之间的间隙中，在湿润环境下对晶片进行搬送(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2009-252877号公报但是，即使是在利用了上述的晶片的搬送方法的情况下，也会在将晶片搬送至收纳晶片的盒中的过程中产生研磨工序中所利用的浆料粘固在晶片的正面上的情形。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该点而完成的，其目的之一在于提供一种研磨装置，该研磨装置能够防止研磨加工中所利用的浆料粘固在晶片上。本专利技术的一个方式的研磨装置具有：第一盒，其将晶片收纳成搁板状；保持工作台，其对晶片进行保持；搬入单元，其将晶片从第一盒搬入至该保持工作台；研磨单元，其利用研磨垫对保持工作台所保持的晶片进行研磨；搬出单元，其将研磨后的晶片从保持工作台搬出；第二盒，其将研磨后的晶片收纳成搁板状；以及收纳单元，其将由搬出单元从保持工作台搬出的研磨后的晶片收纳至第二盒，其中，搬出单元具有搬出垫，该搬出垫从呈板状的对晶片进行保持的保持面的中央呈放射状放出水而在保持面与晶片的上表面之间形成水层从而对晶片进行保持，收纳单元具有：水槽；盒浸没单元，其使第二盒浸没在水槽内的水中；轨道，其朝向浸没了的第二盒延伸并浸没在水槽内；以及水中移动单元，其利用搬出单元使晶片浸没在轨道上，并使晶片朝向在轨道的延伸方向上浸没了的第二盒进行水中移动。根据该结构，从对晶片进行保持的搬出垫的保持面的中央呈放射状放出水，在保持面与晶片的上表面之间形成水层，从而将晶片从保持工作台搬出，另一方面在使第二盒浸没在水槽中的状态下使研磨加工后的晶片朝向第二盒进行水中移动。由此，能够以湿润状态将研磨加工后的晶片从保持工作台搬出，并且能够以湿润状态搬送至第二盒，因此能够防止研磨加工中所利用的浆料粘固在晶片的正面上。根据本专利技术，能够防止研磨加工中所利用的浆料粘固在晶片上。附图说明图1是本实施方式的研磨装置的立体图。图2是示出本实施方式的研磨装置所具有的搬出垫的外观的立体图。图3是用于对本实施方式的搬出垫的保持面进行说明的立体图。图4是用于对本实施方式的搬出垫的内部结构进行说明的剖视示意图。图5是本实施方式的研磨装置所具有的收纳单元的结构的说明图。图6的(A)、(B)是用于对在本实施方式的研磨装置中将晶片搬出时的各种工序进行说明的示意图。图7的(A)～(C)是用于对在本实施方式的研磨装置中将晶片搬出时的各种工序进行说明的示意图。标号说明1：研磨装置；10：基台；17：收纳单元；20：搬入单元；30：研磨单元；40：水槽；41：盒浸没单元；411：盒载台；412：盒载台升降单元；42：轨道；43：水中移动单元；5：保持工作台；50a：保持面；6：搬出单元；60：搬出垫；61：升降单元；64：保持面；641：底面部；642：放水口；643：放水槽；65：导向环；C1：盒(第一盒)；C2：盒(第二盒)；T：保护带；W：晶片；W1：被保持面；WA：水。具体实施方式以下，参照附图对本实施方式的研磨装置进行说明。图1是本实施方式的研磨装置的立体图。另外，为了便于说明，在图1中，剖切而示出与后述的水中移动单元43对应的部分。另外，以下，将图1所示的左下方侧称为“前方侧”，将图1所示的右上方侧称为“后方侧”。如图1所示，研磨装置1构成为对作为被加工物的晶片W自动实施包含搬入处理、研磨加工处理以及搬出处理的一系列作业。利用研磨装置1进行了加工的晶片W在呈搁板状收纳在作为第二盒的盒C2中的状态下被搬出至作为其他装置的清洗装置而对其正面(上表面)和背面(下表面)进行清洗。晶片W形成为大致圆形，在呈搁板状收纳在作为第一盒的盒C1中的状态下被搬入至研磨装置1。在晶片W的下表面上粘贴有与晶片W相同直径的保护带T(参照图4)。另外，晶片W只要是作为研磨对象的板状部件即可，可以是硅、砷化镓等半导体晶片，也可以是钽酸锂(LiTaO3；LT)、铌酸锂(LiNbO3；LN)等压电材料，也可以是陶瓷、玻璃、蓝宝石等光器件晶片，也可以是器件图案形成前的原切割(As-Slice)晶片。在研磨装置1的基台10的前方侧配置对多个晶片W进行收纳的一对盒C1、C2。在盒C1中收纳研磨加工前的晶片W，在盒C2中收纳研磨加工后的晶片W。在盒C1的后方设置有从盒C1取出晶片W的盒机器人11。在盒机器人11的后方设置有对加工前的晶片W进行定位的定位机构14。另一方面，在盒C2的后方侧和下方侧，相对于盒C2设置有对加工后的晶片W进行收纳的收纳单元17。在定位机构14与收纳单元17之间设置有将加工前的晶片W搬入至保持工作台5的搬入单元20。另外，在收纳单元17的后方侧设置有将加工后的晶片W从保持工作台5搬出至收纳单元17的搬出单元6。盒机器人11构成为在由多节连杆构成的机器人手臂12的前端设置有手部13。盒机器人11将加工前的晶片W从盒C1中搬送至定位机构14。定位机构14构成为在暂放工作台15的周围配置有多个能够相对于暂放工作台15的中心进退的定位销16。在定位机构14中，多个定位销16与载置于暂放工作台15上的晶片W的外周缘抵靠，从而将晶片W的中心定位于暂放工作台15的中心。在搬入单元20中，利用搬入垫21从暂放工作台15抬起晶片W，利用臂22使搬入垫21旋转，从而将晶片W搬入至保持工作台5。在搬出单元6中，利用搬出垫60和升降单元61从保持工作台5抬起晶片W，利用旋转单元62使与搬出垫60等连结的臂63旋转，从而从保持工作台5搬出晶片W。所搬出的晶片W被搬送至收纳单元17。另外，关于该搬出单元6的结构在后文进行叙述。收纳单元17构成为包含：水槽40，其配置在搬出单元6的前方侧；盒浸没单元41，其使盒C2浸没在该水槽40内的水中；轨道42，其在水槽40内沿前后方向延伸；以及水中移动单元43，其将配置在轨道42上的晶片W向前方侧搬送。水槽40在搬出单元6的前方侧与基台10一体地设置。水槽40配置在盒C2的下方侧。水槽40具有向上方侧开口的形状，收纳有一定的量的水。另外，水槽40也可以以能够从基台10装卸的方式进行设置。另外，持续向水槽40中提供水并使水从水槽40上溢出，从而防止水槽40的水中所含的浆料的浓度升高。也可以通过定期地更换水槽40的水来防止浆料的浓度升高。例如按照每1盒(25张)来更换水。盒浸没单元41具有：盒载台411，其载置盒C2；以及盒载台升降单元412，其对该盒载台411进行支承。盒载台411配置在与水槽40的开口部对应的位置。盒载台升降单元412构成为能够使载置着盒C2的状态的盒载台411升降。关于详细内容，如后文叙述那样，当水中移动单元43对晶片W进行收纳时，盒载台升降单元412使盒C2下降并浸没在水槽40内。轨道42具有隔着一定的间隔配置的一对轨道部件421。这些轨道部件421配置在浸没在水槽40内所收纳的水中的位置。在这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨装置，该研磨装置具有：第一盒，其将晶片收纳成搁板状；保持工作台，其对晶片进行保持；搬入单元，其将晶片从该第一盒搬入至该保持工作台；研磨单元，其利用研磨垫对该保持工作台所保持的晶片进行研磨；搬出单元，其将研磨后的晶片从该保持工作台搬出；第二盒，其将研磨后的晶片收纳成搁板状；以及收纳单元，其将由该搬出单元从该保持工作台搬出的研磨后的晶片收纳至该第二盒，其中，该搬出单元具有搬出垫，该搬出垫从呈板状的对晶片进行保持的保持面的中央呈放射状放出水而在该保持面与晶片的上表面之间形成水层从而对晶片进行保持，该收纳单元具有：水槽；盒浸没单元，其使该第二盒浸没在该水槽内的水中；轨道，其朝向该浸没了的该第二盒延伸并浸没在该水槽内；以及水中移动单元，其利用该搬出单元使晶片浸没在该轨道上，并使晶片朝向在该轨道的延伸方向上浸没了的该第二盒进行水中移动。

【技术特征摘要】
2017.01.10 JP 2017-0017881.一种研磨装置，该研磨装置具有：第一盒，其将晶片收纳成搁板状；保持工作台，其对晶片进行保持；搬入单元，其将晶片从该第一盒搬入至该保持工作台；研磨单元，其利用研磨垫对该保持工作台所保持的晶片进行研磨；搬出单元，其将研磨后的晶片从该保持工作台搬出；第二盒，其将研磨后的晶片收纳成搁板状；以及收纳单元，其将由该搬出单元从该保持...

【专利技术属性】
技术研发人员：山中聪，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP