The utility model relates to the field of semiconductor manufacturing technology, in particular to an extraction electrode and an ion implantation device. The extraction electrode includes an electrode body, including an inlet, an exit and a channel connected to the inlet and outlet in the electrode body; the cooling fluid enters from the inlet, heat exchange with the electrode body in the channel, and absorb the heat of the electrode's body from the outlet. The utility model greatly improves the cooling efficiency of the extraction electrode; meanwhile, the downtime of the ion implantation device is reduced, and the production efficiency of the wafer is improved.
【技术实现步骤摘要】
萃取电极及离子注入装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种萃取电极及离子注入装置。
技术介绍
离子注入技术是把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方法。离子注入的过程，就是在真空系统中，用经过加速的、含有要掺杂的原子的离子束照射(注入)半导体材料，离子束与半导体材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在半导体材料中，并引起半导体材料表面成分、结构和性能发生变化，从而在所选择的(即被注入的)区域形成一个具有特殊性质的表面层(注入层)，实现半导体材料表面性能的优化，或使得半导体材料获得某些新的优异性能。半导体的离子注入工艺一般是在离子注入装置中完成。目前的离子注入装置包括离子源、萃取电极、抑制电极、真空泵、质谱仪、后加速电极等。其中，萃取电极为设置有一用于离子通过的开口的电极，用于从所述离子源中获取离子束。但是，萃取电极在经过离子注入制程之后达到的温度非常高。当需要对离子注入装置进行保养或者手动操作所述萃取电极之前，先要将萃取电极进行冷却。而由于所述离子注入装置的紧凑结构，目前对萃取电极进行冷却的方式是自然冷却降温，这就...
【技术保护点】
1.一种萃取电极，包括电极本体，其特征在于，还包括设置于电极本体中的入口、出口以及与所述入口、出口连通的通道；冷却流体从所述入口进入，在所述通道中与所述电极本体进行热交换，吸收所述电极本体的热量后从所述出口排出。
【技术特征摘要】
1.一种萃取电极，包括电极本体，其特征在于，还包括设置于电极本体中的入口、出口以及与所述入口、出口连通的通道；冷却流体从所述入口进入，在所述通道中与所述电极本体进行热交换，吸收所述电极本体的热量后从所述出口排出。2.根据权利要求1所述的萃取电极，其特征在于，所述电极本体包括一用于离子束通过的开口；所述通道位于所述电极本体的夹层中，且环绕所述开口设置。3.根据权利要求1所述的萃取电极，其特征在于，还包括设置于所述入口处的流量调节阀，用于调节进入所述通道的冷却流体的流速。4.根据权利要求3所述的萃取电极，其特征在于，还包括控制器和温度传感器；所述温度传感器用于检测所述电极本体的温度；所述控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：邸太平，洪纪伦，倪明明，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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