一种校准离子注入机的离子注入角度的方法技术

本发明专利技术公开了一种校准离子注入机的离子注入角度的方法，选取多个不同的离子注入角度，采用离子注入机对普通硅片进行离子注入；退火处理后测量薄层电阻值，根据薄层电阻值和对应的注入角度建立校准曲线，计算获取校准角度。本发明专利技术技术方案中采用普通硅片替代现有的高精度硅片可以减小注入角度校准的成本，采用薄层电阻值替换准确性较低的热波值，在不使用高精度硅片的条件下也可实现同等的注入角度校准效果。

A method for calibrating ion implantation angle of ion implanter

The invention discloses a method to calibrate the ion injection angle of the ion injector, selects several different ion implantation angles, and uses the ion injector to inject the ordinary silicon. After annealing, the thin layer resistance value is measured, and the calibration curve is set up according to the resistance value of thin layer and the corresponding injection angle. Quasi angle. The replacement of the existing high precision silicon chip in the technical scheme of the invention can reduce the cost of the injection angle calibration, and replace the heat wave with a lower accuracy by using the thin layer resistance value, and the same injection angle calibration effect can be achieved without the use of high precision silicon chip.

【技术实现步骤摘要】
一种校准离子注入机的离子注入角度的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种校准离子注入机的离子注入角度的方法。
技术介绍
随着超大规模集成电路技术的迅速发展，半导体器件的尺寸在不断缩小，对其制造工艺的精度要求越来越高。制造工艺中离子注入工艺的主要要求包括了均匀性和可重复性、能量纯度、注入角度准确性等等。随着半导体器件尺寸的缩小，超浅结注入、pocket结构注入、Halo结构注入、沟道注入和高精度的侧壁注入等对离子注入角度的控制要求非常精准。由于对离子注入角度的高精度要求，在离子注入工艺中需要对离子注入机台的注入角度进行校准或监测，目前现有的离子注入机的注入角度校准的方法为：采用多片高精度硅片(accuratewafer)在高精度硅片的沟道角理论值的可取范围内在纵向位置和横向位置进行离子注入，之后对高精度硅片的热波值(TW，全称ThermalWave)进行测量，根据图3所示，最后根据热波值与离子注入角度构成的曲线L2进行对称性分析，分析方法采用最小二乘法，获取曲线L2的顶点对应的角度，作为校准的角度。高精度硅片较普通硅片(normalwafer)具有更好的晶向角度，由于制造工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种校准离子注入机的离子注入角度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供多个硅片，在所述硅片的沟道角理论值的范围内选取多个不同的离子注入角度，每个所述硅片对应一所述离子注入角度，采用离子注入机对每一所述硅片根据对应的所述离子注入角度进行离子注入；步骤S2：对于多个所述硅片进行退火处理；步骤S3：依次测量每个所述硅片的薄层电阻值；步骤S4：根据所述薄层电阻值和对应的所述离子注入角度建立校准曲线，对所述校准曲线进行最小二乘法计算，获取校准角度；步骤S5：根据所述校准角度对离子注入机进行校准。

【技术特征摘要】
1.一种校准离子注入机的离子注入角度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供多个硅片，在所述硅片的沟道角理论值的范围内选取多个不同的离子注入角度，每个所述硅片对应一所述离子注入角度，采用离子注入机对每一所述硅片根据对应的所述离子注入角度进行离子注入；步骤S2：对于多个所述硅片进行退火处理；步骤S3：依次测量每个所述硅片的薄层电阻值；步骤S4：根据所述薄层电阻值和对应的所述离子注入角度建立校准曲线，对所述校准曲线进行最小二乘法计算，获取校准角度；步骤S5：根据所述校准角度对离子注入机进行校准。2.根据权利要求1所述的校准离子注入机的离子注入角度的方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述离子注入角度包括纵向角度和横向角度；所述多个硅片包括两组，一组进行所述纵向角度的离子注入，另一组进行所述横向角度的离子注入。3.根据权利要求2所述的校准离子注入机的离子注入角度的方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述校准曲线包括横向曲线和纵向曲线，所述横向曲线由所述薄层电阻值和对应的横向角度的入射角构成；所述纵向曲...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈娜，时锋，袁立军，赖朝荣，王智，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31