半导体加工用片制造技术

本发明专利技术提供一种半导体加工用片1，其至少具备基材10、半导体贴附层80、及剥离膜30，基材10的第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，在将基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302的界面上的剥离力设为α，并将在半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力设为β时，α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0，剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时、不容易发生粘连。

Semiconductor wafer

The invention provides a semiconductor processing piece 1, which at least has a substrate 10, a semiconductor attachment layer 80, and a stripping film 30, and the arithmetic average roughness Ra of the first side 101 of the substrate 10 is 0.01 to 0.8 mu m, and is set to an alpha at the interface of the substrate 10 on the first surface of the substrate 10 and the second face 302 of the stripping film 30, and will be attached to the semiconductor. When the peel force of the second surface 802 of layer 80 and the first 301 of the peel film 30 is set to beta, the ratio of alpha to beta (alpha / beta) is above 0 and less than 1, and the peel force beta is 10 to 1000mN/50mm. The semiconductor processing chip 1 is not easy to adhere when it has excellent light transmission.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用片
本专利技术涉及一种半导体加工用片。
技术介绍
由半导体晶圆制造半导体晶片时，通常使用如切割片、背面研磨片等的半导体加工用片。近年来，这样的半导体加工用片，被要求对所需波长的光线具有透射性(以下有时称为“光线透射性”)。例如近年来，厚度比以往要薄的硅晶圆或玻璃制晶圆的使用在不断增加。在使用刀片切割这些晶圆时，容易产生如崩边、晶片破裂等的晶片缺损。因此，在使用这些晶圆时，切割完成后，在将晶片贴附在半导体加工用片上的状态下，从晶片的与半导体加工用片接触的面越过半导体加工用片而检查晶片的形状。为了良好地进行该检查，半导体加工用片必须透射用于检查的光线。此外，在进行厚度较薄的晶圆的切片时，由于使用刀片进行全切割时有崩边等的担忧，因此，有时使用先将晶圆半切割后再进行背面磨削的先切割法；或者使用利用激光在晶圆内部设置改质层后，再进行背面磨削并将晶片切片的隐形切割(stealthdicing)法。在进行隐形切割时，在通过照射激光在晶圆内部形成改质层后贴附在半导体加工用片上时，由于贴附的压力而存在晶圆破损的风险。为了避免此风险，预先将晶圆贴附在半导体加工用片上之后，越过半导体加工用片对晶圆照射激光，从而形成改质层。此时，为了良好地照射激光，半导体加工用片必须透射激光。进一步，以倒装法封装晶片时，通常将制品面、批次号码等激光印字在晶片的背面。为了进行这样的激光印字，设置有将完成了背面磨削的晶圆搬运至激光印字装置的工序。近年所使用的经薄化的晶圆，在搬运时产生晶圆破裂的风险较高。为了避免此风险，研究出将经薄化的晶圆以贴附在半导体加工用片上的状态进行搬运，并越过半导体加工用片照射激光，从而进行印字。为了良好地进行该激光印字，半导体加工用片必须透射激光。此外，在晶片的背面设置保护膜时，也会对该保护膜进行激光印字。此时，越过半导体加工用片的基材、粘着剂层，对包含保护膜形成层的半导体加工用片的保护膜形成层照射激光，从而进行印字。此时，为了良好地进行激光印字，半导体加工用片的基材、粘着剂层等也必须透射激光。半导体加工用片通常具备基材、及层叠在该基材的一个面上的粘着剂层。进一步，以在直至使用半导体加工用片为止的期间内保护粘着剂层为目的，会在该粘着剂层上设置剥离膜。例如，专利文献1及2中记载有一种依次层叠基材、粘着剂层及剥离膜而成的半导体加工用片。此外，通常根据半导体加工用片的用途，有时会在粘着剂层与剥离膜之间设置如接着剂层、保护膜形成层等的其它层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本实开平8-1220号专利文献2：日本实开平2-146144号
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题半导体加工用片的对具有所需波长的光线的优异的光线透射性，能够通过分别提高基材、粘着剂层的光线透射率来达成。例如，能够通过提高半导体加工用片的基材侧的面、即基材的与粘着剂层为相反侧的面的平滑性而达成。但是，若为了得到具有高光线透射性的半导体加工用片而提高半导体加工用片的基材侧的面的平滑性，则容易发生粘连。即，在将长条的半导体加工用片卷取为卷状时，半导体加工用片彼此容易密着。若发生这样的密着，则难以将半导体加工用片从卷中放卷，或在不希望的界面(例如，粘着剂层与剥离膜的界面)上发生剥离。此外，在将基材及粘着剂层配合晶圆的形状而进行了预切割的半导体加工用片中，若发生这样的粘连，则在将半导体加工用片从卷中放卷时，会发生基材与粘着剂层的层叠体从剥离膜上剥离、或该剥离后的层叠体的基材侧贴附在剥离膜背面等的不良状况。在此，专利文献1及2中公开了：对剥离膜的与粘着剂层为相反侧的面实施压花加工，其目的在于将半导体加工用片卷取为卷状时，避免在半导体加工用片之间夹入空气。另一方面，专利文献1或2中公开的半导体加工用片在基材侧的面上不具有高平滑性，无法使用于如上所述的透过半导体加工用片的检查、激光切割、隐形切割、激光印字等。本专利技术是鉴于上述实际情形而进行的，其目的在于提供一种在具有优异的光线透射性的同时，不容易发生粘连的半导体加工用片。解决技术问题的技术手段为了达成上述目的，第一，本专利技术提供一种半导体加工用片，其至少具备：基材，其具有第一面、及位于与所述第一面为相反侧的第二面；半导体贴附层，其被层叠在所述基材的第二面侧，并在靠近所述基材的一侧具有第一面，在远离所述基材的一侧具有第二面；及剥离膜，其被层叠在所述半导体贴附层的第二面侧，并在靠近所述半导体贴附层的一侧具有第一面，在远离所述半导体贴附层的一侧具有第二面；其特征在于：所述基材的第一面的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，在将所述基材的第一面与所述剥离膜中的第二面层叠且在40℃下保管3天后的、在所述基材的第一面与所述剥离膜的第二面的界面上的剥离力设作α，并将所述半导体贴附层的第二面与所述剥离膜的所述第一面贴附且在40℃下保管3天后的、在所述半导体贴附层的第二面与所述剥离膜的第一面的界面上的剥离力设作β时，α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0，所述剥离力β为10～1000mN/50mm(专利技术1)。根据上述专利技术(专利技术1)，通过使基材的第一面的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，基材侧的面的平滑性变得良好，且基材对所需波长的光线具有高光线透射性。进一步，通过使剥离力α比剥离力β的比值(α/β)为0以上且小于1.0，卷取为卷状后的状态下的半导体加工用片之间的密着性不会高于构成半导体加工用片的各层之间的密着性，从而发挥优异的抗粘连性。由此，能够良好地进行放卷，且在放卷时不会在不希望的界面上发生剥离。此外，由于剥离力β为10～1000mN/50mm，在使用半导体加工用片时，能够以适当的剥离力将包含基材及半导体贴附层的层叠体从剥离膜上剥离。在上述专利技术(专利技术1)中，所述剥离膜的第二面的算术平均粗糙度Ra，优选为0.02～0.8μm(专利技术2)。在上述专利技术(专利技术1、2)中，优选所述剥离膜在其第一面侧及第二面侧分别具备剥离剂层(专利技术3)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，所述半导体贴附层可为粘着剂层(专利技术4)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，所述半导体贴附层可为接着剂层(专利技术5)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，所述半导体贴附层可为保护膜形成层(专利技术6)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，所述半导体贴附层可由粘着剂层、及位于所述粘着剂层与所述剥离膜之间的接着剂层构成(专利技术7)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，所述半导体贴附层可由粘着剂层、及位于所述粘着剂层与所述剥离膜之间的保护膜形成层构成(专利技术8)。在上述专利技术(专利技术1～8)中，所述半导体加工用片，可在长条的所述剥离膜上层叠层叠体，该层叠体具有俯视时与所述剥离膜不同的形状且包含所述基材及所述半导体贴附层(专利技术9)。第二，本专利技术提供一种半导体加工用片，其至少具备：基材，其具有第一面、及位于与所述第一面为相反侧的第二面；半导体贴附层，其被层叠在所述基材的第二面侧，并在靠近所述基材的一侧具有第一面，在远离所述基材的一侧具有第二面；夹具用粘着剂层，其被层叠在所述半导体贴附层的第二面侧，并在靠近所述半导体贴附层的一侧具有第一面、在远离所述半导体贴附层的一侧具有第二面；及剥离膜，其至少被层叠在所述夹具用粘着剂层的第二面侧，并在靠近所述夹具用粘着剂层的一侧具有第一面，在远离所述夹具用粘着剂层的一侧具有第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工用片，其至少具备：基材，其具有第一面、及位于与所述第一面为相反侧的第二面；半导体贴附层，其被层叠在所述基材的第二面侧，并在靠近所述基材的一侧具有第一面，在远离所述基材的一侧具有第二面；及剥离膜，其被层叠在所述半导体贴附层的第二面侧，并在靠近所述半导体贴附层的一侧具有第一面，在远离所述半导体贴附层的一侧具有第二面，其特征在于：所述基材的第一面的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，在将所述基材的第一面与所述剥离膜的第二面层叠且在40℃下保管3天后的、在所述基材的第一面与所述剥离膜的第二面的界面上的剥离力设作α，并将所述半导体贴附层的第二面与所述剥离膜的所述第一面贴附且在40℃下保管3天后的、在所述半导体贴附层的第二面与所述剥离膜的第一面的界面上的剥离力设作β时，α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0，所述剥离力β为10～1000mN/50mm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.04 JP 2016-0428621.一种半导体加工用片，其至少具备：基材，其具有第一面、及位于与所述第一面为相反侧的第二面；半导体贴附层，其被层叠在所述基材的第二面侧，并在靠近所述基材的一侧具有第一面，在远离所述基材的一侧具有第二面；及剥离膜，其被层叠在所述半导体贴附层的第二面侧，并在靠近所述半导体贴附层的一侧具有第一面，在远离所述半导体贴附层的一侧具有第二面，其特征在于：所述基材的第一面的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，在将所述基材的第一面与所述剥离膜的第二面层叠且在40℃下保管3天后的、在所述基材的第一面与所述剥离膜的第二面的界面上的剥离力设作α，并将所述半导体贴附层的第二面与所述剥离膜的所述第一面贴附且在40℃下保管3天后的、在所述半导体贴附层的第二面与所述剥离膜的第一面的界面上的剥离力设作β时，α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0，所述剥离力β为10～1000mN/50mm。2.根据权利要求1所述的半导体加工用片，其特征在于，所述剥离膜的第二面的算术平均粗糙度Ra为0.02～0.8μm。3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用片，其特征在于，所述剥离膜在其第一面侧及第二面侧分别具备剥离剂层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体加工用片，其特征在于，所述半导体贴附层为粘着剂层。5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体加工用片，其特征在于，所述半导体贴附层为接着剂层。6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体加工用片，其特征在于，所述半导体贴附层为保护膜形成层。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤明德，中村优智，山下茂之，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP