一种多晶硅熔炉抽真空装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术主要涉及一种多晶硅熔炉抽真空装置，属于机械加工领域，包括筒体，所述筒体上端装有上盖，所述上盖上端中间位置设有物料室，所述上盖上端装有支撑杆，所述支撑杆连有横调节杆，所述横调节杆一端装有压力传感器，所述压力传感器通过金属丝与压力表相连，所述压力表一端固定在上盖上，所述筒体侧面装有人孔，所述筒体下端通过导气管与真空泵相连。本专利结构简单，方便、实用的装置，对多晶硅熔炉进行抽真空处理，提高多晶硅熔炉里的温度，节省能源，降低生产成本，提高经济效益。

A vacuum device for polysilicon melting furnace

The utility model is mainly concerned with a polysilicon melting furnace vacuum pumping device, which belongs to the field of mechanical processing, including a barrel. The upper end of the cylinder body is equipped with an upper cover, the middle position of the upper end of the upper cover is provided with a material chamber, the upper end of the upper cover is equipped with a support bar, the supporting rod is connected with a horizontal adjusting rod, and one end of the horizontal adjusting rod is equipped with pressure. The pressure sensor is connected by a metal wire to a pressure gauge, one end of the pressure gauge is fixed on the upper cover, and the side of the cylinder is equipped with a manhole, and the lower end of the cylinder body is connected with a vacuum pump through a pipe. This patent has a simple, convenient and practical device to vacuum the polysilicon furnace, improve the temperature in the polysilicon furnace, save energy, reduce the production cost and improve the economic benefit.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅熔炉抽真空装置
本技术属于机械加工领域，主要涉及一种多晶硅熔炉抽真空装置。
技术介绍
多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。利用价值:从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料。在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜。冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。这样被还原出来的硅的纯度约98-99%，但半导体工业用硅还必须进行高度提—电子级多晶硅纯度要求11N，太阳能电池级只要求6N。而在提纯过程中，有一项“三氯氢硅还原法即西门子法”的关键技术我国还没有掌握，由于没有这项技术，我国在提炼过程中70%以上的多晶硅都通过氯气排放了，不仅提炼成本高，而且环境污染非常严重。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅熔炉抽真空装置，其特征在于，包括筒体（1），所述筒体（1）上端装有上盖（2），所述上盖（2）上端中间位置设有物料室（3），所述上盖（2）上端装有支撑杆（4），所述支撑杆（4）连有横调节杆（5），所述横调节杆（5）一端装有压力传感器（6），所述压力传感器（6）通过金属丝（7）与压力表（8）相连，所述压力表（8）一端固定在上盖（2）上，所述筒体（1）侧面装有人孔（9），所述筒体（1）下端通过导气管（10）与真空泵（11）相连。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅熔炉抽真空装置，其特征在于，包括筒体（1），所述筒体（1）上端装有上盖（2），所述上盖（2）上端中间位置设有物料室（3），所述上盖（2）上端装有支撑杆（4），所述支撑杆（4）连有横调节杆（5），所述横调节杆（5）一端装有压力传感器（6），所述压力传感器（6）通过金属丝（7）与压力表（8）相连，所述压力表（8）一端固定在上盖（2）上，所述筒体（1）侧面装有人孔（9），所述筒体（1）下端通过导气管（10）与真空泵（11）相连。2.根据权利要求1所述的多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝明敏，
申请(专利权)人：浙江启瑞电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33