制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本公开涉及制造半导体装置的方法。实现了一个紧凑和高可靠性的半导体装置。在模塑步骤中位于浇口附近的接合线以及位于跨越半导体芯片的中心面对浇口的通气口附近的接合线具有向半导体芯片内下降的环形形状，具有比其它接合线弱的拉力(张力)，并且以一定的余量被松弛地拉伸。在模塑步骤中位于浇口附近的接合线例如是分别要与第一电极焊盘和第五电极焊盘连接的第一导线和第五导线。而在模塑步骤中位于通气口附近的接合线例如是分别要与第三电极焊盘和第七电极焊盘连接的第三导线和第七导线。

A method of making semiconductor devices

The present disclosure relates to a method for the manufacture of a semiconductor device. A compact and highly reliable semiconductor device has been realized. The joint line near the gate in the molding step and the joint line near the central gate of the gate at the center of the semiconductor chip have a circular shape falling into the semiconductor chip, having a tensile force (tension) weaker than the other joint, and stretched loosely in a certain amount. In the molding step, the bonding line near the gate is, for example, the first conductor and the fifth conductor connected to the first electrode pad and the fifth electrode pad respectively. In the molding step, the joint line near the vent, for example, is the third wire and the seventh wire connected to the third electrode pad and the seventh electrode pad, respectively.

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法相关申请的交叉引用2016年12月27日提交的日本专利申请No.2016-252468的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。
本专利技术涉及制造半导体装置的方法，并且优选适用于例如通过转移模具法树脂密封使用接合线的半导体装置的封装技术。
技术介绍
专利文献1公开了以下技术：在布线基板的上表面上安装有芯片并且布线基板的接合引线和芯片的接合焊盘分别通过导线电连接的半导体装置中，布置在距离芯片的角部最近的位置且具有最长的导线长度的导线的直径被设定为大于其它导线的直径；结果，邻近导线之间的短路受到抑制。引用文献专利文献[专利文献1]日本未审查专利申请公开No.2012-28429
技术实现思路
作为实现使用接合线的半导体装置的尺寸减小和成本降低的手段，考虑减小接合线的线直径。然而，本专利技术人的研究揭示了如下情况：例如，如同QFP(四面扁平封装)和HQFP(带有散热器的四面扁平封装)一样，对于其中半导体芯片被树脂密封的封装，当减小接合线的线直径时，诸如(1)接合线与电极焊盘之间的结合部的剥离以及(2)接合线的球部与核心部之间的结合部(颈部)的切断等的问题例如更容易发生在可靠性测试中。根据本说明书和附图的描述，其它目的和新颖特征将变得明显。根据一个实施例，在模塑步骤中位于模塑模具的浇口附近的接合线以及位于跨越半导体芯片的中心面对浇口的模塑模具的通气口附近的接合线中的每一个具有使得接合线的一部分从接合线的球部与半导体芯片的电极焊盘之间的结合部向内位于半导体芯片的这样的环形形状。根据一个实施例，可以实现紧凑和高可靠性的半导体装置。附图说明图1是根据实施例的半导体装置的俯视图；图2是沿着图1的线X-X'的截面图；图3A是沿着图1的线X1-X1'的截面图；图3B是沿着图1的线X2-X2'的截面图；以及图3C是从沿着图1的线X1-X1'的截面以及沿着图1的线X2-X2'的截面的叠加得到的截面图；图4A和图4B分别是各自示出根据实施例的引线框架(单元框架)的一个示例的平面图和截面图；图5A和图5B分别是各自示出根据实施例的管芯接合步骤中的半导体装置的平面图和截面图；图6A和图6B分别是各自示出根据实施例的线接合步骤中的半导体装置的平面图和截面图；图7是用于说明根据实施例的毛细管的轨迹的一个示例的示意图；图8A和图8B分别是各自示出根据实施例的模塑步骤中的半导体装置的平面图和截面图；图9是示出根据实施例的模塑步骤中的树脂的流动的平面图；图10A和图10B分别是各自示出根据实施例的引线切断步骤中的半导体装置的平面图和截面图；图11A和图11B分别是各自示出根据实施例的引线形成步骤中的半导体装置的平面图和截面图；图12A是用于说明模塑步骤中树脂从浇口到通气口中的的流动的截面图；并且图12B是用于说明在模塑步骤中分别位于浇口附近和通气口附近的接合线周边的树脂的流动的截面图；图13A和图13B各自都是第一问题的解释图，其中图13A是模塑步骤中位于浇口附近的接合线所受到的应力的状态图，并且图13B是用于说明接合线的球部的剥离的示意图；图14A和图14B各自都是第二问题的解释图，其中图14A是模塑步骤中位于通气口附近的接合线所受到的应力的状态图，并且图14B是用于说明接合线的球部与核心部之间的结合部(颈部)的切断的示意图；图15是第三问题的解释图，并且是用于说明模塑步骤中从浇口到通气口中的树脂的流动的平面图；图16是用于说明需要解决第一及第二问题的接合线的一个示例的平面图；图17是用于说明需要解决第一及第二问题的接合线的另一个示例的平面图；图18是根据实施例的变形例1的半导体装置实施例的俯视图；图19是根据实施例的变形例2的半导体装置的俯视图；图20是根据实施例的变形例3的半导体装置的截面图；图21是根据实施例的变形例4的半导体装置的俯视图；以及图22是根据实施例的变形例5的半导体装置的俯视图。具体实施方式在以下实施例的描述中，在需要时为了方便起见，可以在多个分开的部分或实施例中描述该实施例。然而，除非另有指定，否则这些部分或实施例并非彼此独立，而是处于它们中的一个是另一个的部分或整体的变形例、应用示例、细节描述、补充解释等的关系中。此外，在以下实施例中，在提及元件的数量等(包括数量、数值、量、范围等)时，除非另有指定或除了原理上数量明显地限于指定数量的情况或者除了其它情况之外，该元件的数量等不限于指定数量，而是可以大于或小于指定数量。此外，在以下实施例中，除非另有指定或除了原理上明显被认为是必需的的情况或者除了其它情况之外，构成元件(包括元件步骤等)不一定是必需的。类似地，在以下实施例中，当提及构成元件的形状、位置关系等时，应该理解，除非另有指定以及除非原理上被认为明显不是或者除了其它情况之外，它们也包括与这种形状等基本上近似或类似的形状等。这对于上述数量等(包括数量、数值、量、范围等)也是如此。在下文中，将通过引用附图详细地描述实施例。顺便提及，在用于描述实施例的所有附图中，给予具有相同功能的构件相同或相关的附图标记和标号，并且省略重复的描述。此外，当存在多个类似构件(部分)时，可以向通用名字的附图标号添加附图标记以指示独立的或特定部分。此外，在以下的实施例中，除非另有需要，否则原则上不重复描述相同或相似的部分。此外，在用于实施例的附图中，为了便于理解附图，即使在截面中也可以省略阴影线。而为了便于理解附图，即使在平面图中也可以添加阴影线。此外，在截面图和平面图中，每个部分的尺寸并不旨在对应于实际装置的尺寸。为了便于理解附图，可以以相对较大的比例示出特定部分。此外，在截面图和平面图彼此对应的情况下，为了便于理解附图，也可以以相对较大的比例示出特定部分。实施例根据本实施例的半导体装置的构造将参考图1至图3A至图3C来描述根据本实施例的半导体装置的构造。图1是根据本实施例的半导体装置的俯视图。图2是沿着图1的线X-X'的截面图。图3A是沿着图1的线X1-X1'的截面图。图3B是沿着图1的线X2-X2'的截面图。图3C是沿着图1的线X1-X1'的截面和沿着图1的线X2-X2'的截面的叠加得到的截面图。顺便提及，图1示出了通过密封体看到的状态。此外，在图1中，为了便于理解附图，以减少的数量示出了端子。端子的数量是例如100以上的数量。如图1和图2所示，根据本实施例的半导体装置SM具有管芯焊盘(标签部(tab)或芯片安装部)DP、多个悬置引线(支撑引线)HL、多个引线(外部端子)LE、半导体芯片SC、多个接合线(导电线或导线)BW和密封体(密封树脂)RE。特别地，管芯焊盘DP具有四边形，并且具有用于在其之上安装半导体芯片SC的上表面(芯片安装表面)Da以及与上表面Da相对的下表面(暴露表面)Db。然后，管芯焊盘DP的下表面Db从密封体RE的下表面(安装表面)Rb暴露。悬置引线HL分别与管芯焊盘DP的四个角部连接，从而支撑管芯焊盘DP。引线LE的相应部分(内引线或内部分)被密封体RE覆盖。换句话说，引线LE的其它部分(外引线或外部分)从密封体RE暴露。然后，引线LE的从密封体RE暴露的部分(其它部分、外引线或外部分)从分别垂直于沿着管芯焊盘DP的四边的方向的四个方向突出，并且进一步从密封体RE的上表面Ra本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：(a)提供引线框架，所述引线框架包括具有上表面和与所述上表面相对的下表面并且由四边形构成的管芯焊盘、用于支撑所述管芯焊盘的多个支撑引线以及在平面图中布置在所述管芯焊盘周围的多个引线；(b)在步骤(a)之后，将具有主表面、与所述主表面相对的背表面以及形成在所述主表面上的多个电极焊盘并且由四边形构成的半导体芯片安装在所述管芯焊盘的所述上表面上，使得所述背表面和所述管芯焊盘的所述上表面彼此面对；(c)在步骤(b)之后，分别经由多个导线连接所述多个电极焊盘和所述多个引线；以及(d)在步骤(c)之后，通过树脂密封所述半导体芯片和所述多个导线，其中，在平面图中，所述半导体芯片具有第一边、面对所述第一边的第二边、与所述第一边和所述第二边中的每一个相交的第三边以及与所述第一边和所述第二边中的每一个相交且面对所述第三边的第四边、在所述第一边与所述第三边彼此交叉处的第一角部、在所述第二边与所述第四边彼此交叉处的第二角部、在所述第三边与所述第二边彼此交叉处的第三角部以及在所述第四边与所述第一边彼此交叉处的第四角部，其中，在平面图中，所述多个电极焊盘包括第一焊盘组、第二焊盘组、第三焊盘组和第四焊盘组，所述第一焊盘组的位置相比所述第二边更靠近所述第一边且沿着所述第一边布置，所述第二焊盘组的位置相比所述第一边更靠近所述第二边且沿着所述第二边布置，所述第三焊盘组的位置相比所述第四边更靠近所述第三边且沿着所述第三边布置，所述第四焊盘组的位置相比所述第三边更靠近所述第四边且沿着所述第四边布置，其中所述第一焊盘组包括位置最靠近所述第一角部的第一焊盘和位置相比所述第一焊盘远离所述第一角部的第二焊盘，其中所述第二焊盘组包括位置最靠近所述第二角部的第三焊盘和位置相比所述第三焊盘远离所述第二角部的第四焊盘，其中所述第三焊盘组包括位置最靠近所述第一角部的第五焊盘和位置相比所述第五焊盘远离所述第一角部的第六焊盘，其中所述第四焊盘组包括位置最靠近所述第二角部的第七焊盘和位置相比所述第七焊盘远离所述第二角部的第八焊盘，其中所述多个导线包括要与所述第一焊盘、所述第三焊盘、所述第五焊盘和所述第七焊盘中的每一个连接的第一导线，和要与所述第二焊盘、所述第四焊盘、所述第六焊盘和所述第八焊盘中的每一个连接的第二导线，其中，在步骤(c)中，所述多个导线分别与所述多个电极焊盘连接，使得所述第一导线的第一核心部相对于所述第一核心部与第一球部之间的结合部处的法线方向的第一弯曲角度大于所述第二导线的第二核心部相对于所述第二核心部与第二球部之间的结合部处的法线方向的第二弯曲角度，以及其中，在步骤(d)中，从第一角部侧朝向第二角部侧供应所述树脂。...

【技术特征摘要】
2016.12.27 JP 2016-2524681.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：(a)提供引线框架，所述引线框架包括具有上表面和与所述上表面相对的下表面并且由四边形构成的管芯焊盘、用于支撑所述管芯焊盘的多个支撑引线以及在平面图中布置在所述管芯焊盘周围的多个引线；(b)在步骤(a)之后，将具有主表面、与所述主表面相对的背表面以及形成在所述主表面上的多个电极焊盘并且由四边形构成的半导体芯片安装在所述管芯焊盘的所述上表面上，使得所述背表面和所述管芯焊盘的所述上表面彼此面对；(c)在步骤(b)之后，分别经由多个导线连接所述多个电极焊盘和所述多个引线；以及(d)在步骤(c)之后，通过树脂密封所述半导体芯片和所述多个导线，其中，在平面图中，所述半导体芯片具有第一边、面对所述第一边的第二边、与所述第一边和所述第二边中的每一个相交的第三边以及与所述第一边和所述第二边中的每一个相交且面对所述第三边的第四边、在所述第一边与所述第三边彼此交叉处的第一角部、在所述第二边与所述第四边彼此交叉处的第二角部、在所述第三边与所述第二边彼此交叉处的第三角部以及在所述第四边与所述第一边彼此交叉处的第四角部，其中，在平面图中，所述多个电极焊盘包括第一焊盘组、第二焊盘组、第三焊盘组和第四焊盘组，所述第一焊盘组的位置相比所述第二边更靠近所述第一边且沿着所述第一边布置，所述第二焊盘组的位置相比所述第一边更靠近所述第二边且沿着所述第二边布置，所述第三焊盘组的位置相比所述第四边更靠近所述第三边且沿着所述第三边布置，所述第四焊盘组的位置相比所述第三边更靠近所述第四边且沿着所述第四边布置，其中所述第一焊盘组包括位置最靠近所述第一角部的第一焊盘和位置相比所述第一焊盘远离所述第一角部的第二焊盘，其中所述第二焊盘组包括位置最靠近所述第二角部的第三焊盘和位置相比所述第三焊盘远离所述第二角部的第四焊盘，其中所述第三焊盘组包括位置最靠近所述第一角部的第五焊盘和位置相比所述第五焊盘远离所述第一角部的第六焊盘，其中所述第四焊盘组包括位置最靠近所述第二角部的第七焊盘和位置相比所述第七焊盘远离所述第二角部的第八焊盘，其中所述多个导线包括要与所述第一焊盘、所述第三焊盘、所述第五焊盘和所述第七焊盘中的每一个连接的第一导线，和要与所述第二焊盘、所述第四焊盘、所述第六焊盘和所述第八焊盘中的每一个连接的第二导线，其中，在步骤(c)中，所述多个导线分别与所述多个电极焊盘连接，使得所述第一导线的第一核心部相对于所述第一核心部与第一球部之间的结合部处的法线方向的第一弯曲角度大于所述第二导线的第二核心部相对于所述第二核心部与第二球部之间的结合部处的法线方向的第二弯曲角度，以及其中，在步骤(d)中，从第一角部侧朝向第二角部侧供应所述树脂。2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中，在步骤(c)中，在所述导线中的每一个中，在所述导线的一部分与所述电极焊盘连接之后，所述导线的另一部分与所述引线连接。3.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中，从所述半导体芯片的所述主表面起的所述第一导线的环高度和从所述半导体芯片的所述主表面起的所述第二导线的环高度彼此相等。4.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中，在平面图中，所述第一导线的长度大于所述第二导线的长度。5.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述第二焊盘是所述第一焊盘组的位置最靠近所述半导体芯片的所述第四角部的电极焊盘，其中所述第四焊盘是所述第二焊盘组的位置最靠近所述半导体芯片的所述第三角部的电极焊盘，其中所述第六焊盘是所述第三焊盘组的位置最靠近所述半导体芯片的所述第三角部的电极焊盘，以及其中所述第八焊盘是所述第四焊盘组的位置最靠近所述半导体芯片的所述第四角部的电极焊盘。6.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中，在平面图中，所述半导体芯片的所述主表面具有被穿过所述第一边的中心和所述第二边的中心的第一假想线和穿过所述第三边的中心和所述第四边的中心的第二假想线划分的包括所述第一角部的第一区域、包括所述第二角部的第二区域、包括所述第三角部的第三区域以及包括所述第四角部的第四区域，其中分别要与所述多个电极焊盘的位于所述第一区域和所述第二区域中的电极焊盘连接的每个导线是所述第一导线，以及其中分别要与所述多个电极焊盘的位于所述第三区域和所述第四区域中的电极焊盘连接的每个导线是所述第二导线。7.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述第一焊盘组被划分为包括所述第一焊盘的第一子焊盘组和包括所述第二焊盘的第二子焊盘组，其中所述第二焊盘组被划分为包括所述第三焊盘的第三子焊盘组和包括所述第四焊盘的第四子焊盘组，其中所述多个电极焊盘中的形成所述第一子焊盘组的电极焊盘和形成所述第二子焊盘组的电极焊盘分别以第一间距布置，其中所述多个电极焊盘中的形成所述第三子焊盘组的电极焊盘和形成所述第四子焊盘组的电极焊盘分别以第二间距布置，其中形成所述第一子焊盘组的电极焊盘中的被布置为最靠近所述第二子焊盘组的电极焊盘与形成所述第二子焊盘组的电极焊盘中的被布置为最靠近所述第一子焊盘组的电极焊盘之间的间隔大于所述第一间距，其中形成所述第三子焊盘组的电极焊盘中的被布置为最靠近所述第四子焊盘组的电极焊盘与形成所述第四子焊盘组的电极焊盘中的被布置为最靠近所述第三子焊盘组的电极焊盘之间的间隔大于所述第二间距，其中形成所述第一子焊盘组的电极焊盘和形成所述第三子焊盘组的电极焊盘中的每一个与所述第一导线连接，以及其中形成所述第二子焊盘组的电极焊盘和形成所述第四子焊盘组的电极焊盘中的每一个与所述第二导线连接。8.根据权利要求7所述的制造半导体装置的方法，其中不与导线连接的电极焊盘被布置在形成所述第一子焊盘组的电极焊盘中的被布置为最靠近所述第二子焊盘组的电极焊盘与形成所述第二子焊盘组的电极焊盘中的被布置为最靠近所述第一子焊盘组的电极焊盘之间，以及其中不与导线连接的电极焊盘被布置在形成所述第三子焊盘组的电极焊盘中的被布置为最靠近所述第四子焊盘组的电极焊盘与形成所述第四子焊盘组的电极焊盘中的被布置为最靠近所述第三子焊盘组的电极焊盘之间。9.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中，在步骤(d)中，从设置在所述半导体芯片的第一角部侧的所述支撑引线的下表面侧或者从顶表面侧和下表面侧供应所述树脂。10.根据权利要求1所述的制造半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳生祐贵，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP