芯片失效分析方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种芯片失效定位方法和装置，通过机台连接板将光发射显微镜与加温台盘连接起来，使机台连接板位于光发射显微镜的底座与加温台盘的底座之间。同时，在机台连接板与加温台盘之间设置隔热垫圈；将加温台盘装载于所述光发射显微镜的样品台所处的位置上；将待测试芯片置于加温台盘的台面上，设定加温台盘的温度范围，使待测试芯片处于测试温度下，其中，所述温度范围为140℃‑160℃；待测试芯片上的亮点为待测试芯片的失效位置。因此，能够结合加温台盘使待测试芯片处于测试温度下，再通过光发射显微镜来定位出待测试芯片的失效位置。

Method and device for chip failure analysis

The invention relates to a method and device for the failure positioning of a chip. The device connects the light emission microscope with the heating plate through the platform connection board, and makes the platform connecting plate between the base of the light emission microscope and the base of the heating table. At the same time, an insulated washer is arranged between the platform connecting plate and the heating table, and the heating table is loaded on the position of the sample table of the light emission microscope, and the test chip is placed on the table surface of the heating table to set the temperature range of the heated table, so that the test chip is at the test temperature, among which the temperature is described. The temperature range is 140 degrees centigrade 160 C; the bright spot on the chip to be tested is the failure position of the chip to be tested. Therefore, the test chip can be tested at the test temperature combined with the heating platform, and then the position of the chip to be tested will be located through the optical emission microscope.

【技术实现步骤摘要】
芯片失效分析方法和装置
本专利技术涉及芯片失效定位，特别是涉及一种高温环境下芯片失效定位方法和装置。
技术介绍
目前业界针对失效电路电性分析所采用的常规手段主要是测量漏电及EMMI(光发射显微镜)定位，这个过程通常是在室温条件下进行的，而有些失效产生的漏电需要在高温工作条件下才能被体现。随着技术的发展，IC集成度的提高，一个芯片上集成了数百万个电路，在不经过电性定位提供方向的前提下进行的失效分析，犹如大海捞针。室温EMMI机台可以提供常规的失效位置定位工作，但对于室温无漏电而高温漏电失效的管芯无能为力。在之前的分析中，针对此类失效并没有一个很好的方法，都是采取关键层次的形貌观察、对位比较、VC电压衬度像观察等手段进行分析，整个过程耗时漫长，并且收效甚微，往往找不到真正的失效原因。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种高温环境下芯片失效定位方法。一种芯片失效分析方法，用于定位待测试芯片在高温环境下的失效位置，包括以下步骤：制作机台连接板，所述机台连接板预设第一连接部与第二连接部；将第一连接部与光发射显微镜的底座固定连接；将所述第二连接部与加温台盘的底座固定连接，使所述机台连接板位于所述光发射显微镜与所述加温台盘之间；在所述机台连接板与所述加温台盘之间设置隔热垫圈；将与所述机台连接板固定连接后的所述加温台盘安装于所述光发射显微镜的样品台所处的位置上，使所述加温台盘的台面取代所述样品台；将待测试芯片置于所述加温台盘上，设定所述加温台盘的温度范围，使所述待测试芯片处于测试温度下，其中，所述温度范围为140℃-160℃；标记所述待测试芯片上的亮点，所述亮点为待测试芯片的失效位置。在其中一个实施例中，所述制作机台连接板，所述机台连接板预留第一连接部与第二连接部的步骤包括：制作机台连接板，所述机台连接板为特氟龙圆板；在所述特氟龙圆板的边缘开设方形开口，所述方形开口用于卡扣于所述加温台盘上的加热模块；在所述特氟龙圆板上设置多个不穿透所述特氟龙圆板的第一连接部，所述第一连接部为第一螺孔，所述第一螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述光发射显微镜的底座；在所述特氟龙圆板上设置多个第二连接部，所述第二连接部为第二螺孔，所述第二螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述加温台盘的底座。所述制作机台连接板的步骤包括：制作厚度大于所述加热模块高度的特氟龙圆板。在其中一个实施例中，在所述特氟龙圆板上设置三个第二螺孔，所述第二螺孔上宽下窄，所述第二螺孔较宽的一端连接所述加温台盘。在其中一个实施例中，在所述特氟龙圆板上设置四个不穿透所述特氟龙圆板的第一螺孔，所述第一螺孔呈矩阵排列于所述特氟龙圆板上。一种芯片失效分析装置，用于定位待测试芯片在高温环境下的失效位置，包括光发射显微镜和加温台盘，还包括机台连接板和隔热垫圈；所述机台连接板预设第一连接部与第二连接部；所述第一连接部用于与所述光发射显微镜的底座固定连接；所述第二连接部用于与加温台盘的底座固定连接，使所述机台连接板位于所述光发射显微镜与所述加温台盘之间；所述机台连接板与所述加温台盘之间设置隔热垫圈；在与所述机台连接板固定连接后，所述加温台盘用于安装于所述光发射显微镜的样品台所处的位置上，使所述加温台盘的台面取代所述样品台；所述待测试芯片置于所述加温台盘上，所述加温台盘用于设定所述待测试芯片所需的温度范围，使所述待测试芯片处于测试温度下；其中，在测试温度下，所述待测试芯片上的亮点为待测试芯片的失效位置。在其中一个实施例中，所述机台连接板为特氟龙圆板，所述特氟龙圆板的边缘开设方形开口，所述方形开口用于卡扣于所述加温台盘上的加热模块；所述特氟龙圆板上设置多个不穿透所述特氟龙圆板的第一连接部，所述第一连接部为第一螺孔，所述第一螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述光发射显微镜；所述特氟龙圆板上设置多个第二连接部，所述第二连接部为第二螺孔，所述第二螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述加温台盘的底座。在其中一个实施例中，所述特氟龙圆板的厚度大于所述加热模块的高度。在其中一个实施例中，所述特氟龙圆板上设置三个第二螺孔，所述第二螺孔上宽下窄，所述第二螺孔较宽的一端连接所述加温台盘。在其中一个实施例中，所述特氟龙圆板上设置四个不穿透所述特氟龙圆板的第一螺孔，所述第一螺孔呈矩阵排列于所述特氟龙圆板上。本专利技术的芯片失效定位方法和装置通过机台连接板将光发射显微镜与加温台盘连接起来，使机台连接板位于光发射显微镜的底座与加温台盘的底座之间。同时，在机台连接板与加温台盘之间设置隔热垫圈；将加温台盘装载于所述光发射显微镜的样品台所处的位置上；将待测试芯片置于加温台盘的台面上，设定加温台盘的温度范围，使待测试芯片处于测试温度下，其中，所述温度范围为140℃-160℃；待测试芯片上的亮点为待测试芯片的失效位置。因此，能够结合加温台盘使待测试芯片处于测试温度下，再通过光发射显微镜来定位出待测试芯片的失效位置。附图说明图1为芯片失效分析方法的流程图；图2为机台连接板的结构示意图；图3为芯片失效分析装置的剖视模块图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。如图1所示，为芯片失效分析方法的流程图。一种芯片失效分析方法，用于定位待测试芯片在高温环境下的失效位置，包括以下步骤：步骤S110，制作机台连接板，所述机台连接板预设第一连接部与第二连接部。光发射显微镜用于在常温下分析待测试芯片是否出现漏电失效的情况。而加温台盘可以模拟高温漏电的失效模式，但无法进行有效地电性定位。因此，在高温环境下，待测试芯片是否漏电失效，需要结合光发射显微镜与加温台盘的功能。因而，制作机台连接板，分别预设第一连接部和第二连接部，用于连接光发射显微镜和加温台盘。具体的，步骤S110包括：步骤S112，制作机台连接板，所述机台连接板为特氟龙圆板。步骤S114，在所述特氟龙圆板的边缘开设方形开口，所述方形开口用于卡扣于所述加温台盘上的加热模块。步骤S116，在所述特氟龙圆板上设置多个不穿透所述特氟龙圆板的第一连接部，所述第一连接部为第一螺孔，所述第一螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述光发射显微镜的底座。步骤S118，在所述特氟龙圆板上设置多个第二连接部，所述第二连接部为第二螺孔，所述第二螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述加温台盘的底座。由于一般的光发射显微镜与加温台盘都是圆形，因此，机台连接板需要制作成圆形的，即特氟龙圆板，特氟龙，又称，聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene)，一般称作“不粘涂层”或“易洁镬物料”；是一种使用了氟取代聚乙烯中所有氢原子的人工合成高分子材料。这种材料具有抗酸抗碱、抗各种有机溶剂的特点，几乎不溶于所有的溶剂。同时，聚四氟乙烯具有耐高温的特点，它的摩擦系数极低，所以可作润滑作用之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片失效分析方法，用于定位待测试芯片在高温环境下的失效位置，其特征在于，包括以下步骤：制作机台连接板，所述机台连接板预设第一连接部与第二连接部；将第一连接部与光发射显微镜的底座固定连接；将所述第二连接部与加温台盘的底座固定连接，使所述机台连接板位于所述光发射显微镜与所述加温台盘之间；在所述机台连接板与所述加温台盘之间设置隔热垫圈；将与所述机台连接板固定连接后的所述加温台盘安装于所述光发射显微镜的样品台所处的位置上，使所述加温台盘的台面取代所述样品台；将待测试芯片置于所述加温台盘上，设定所述加温台盘的温度范围，使所述待测试芯片处于测试温度下，其中，所述温度范围为140℃‑160℃；标记所述待测试芯片上的亮点，所述亮点为待测试芯片的失效位置。

【技术特征摘要】
1.一种芯片失效分析方法，用于定位待测试芯片在高温环境下的失效位置，其特征在于，包括以下步骤：制作机台连接板，所述机台连接板预设第一连接部与第二连接部；将第一连接部与光发射显微镜的底座固定连接；将所述第二连接部与加温台盘的底座固定连接，使所述机台连接板位于所述光发射显微镜与所述加温台盘之间；在所述机台连接板与所述加温台盘之间设置隔热垫圈；将与所述机台连接板固定连接后的所述加温台盘安装于所述光发射显微镜的样品台所处的位置上，使所述加温台盘的台面取代所述样品台；将待测试芯片置于所述加温台盘上，设定所述加温台盘的温度范围，使所述待测试芯片处于测试温度下，其中，所述温度范围为140℃-160℃；标记所述待测试芯片上的亮点，所述亮点为待测试芯片的失效位置。2.根据权利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述制作机台连接板，所述机台连接板预留第一连接部与第二连接部的步骤包括：制作机台连接板，所述机台连接板为特氟龙圆板；在所述特氟龙圆板的边缘开设方形开口，所述方形开口用于卡扣于所述加温台盘上的加热模块；在所述特氟龙圆板上设置多个不穿透所述特氟龙圆板的第一连接部，所述第一连接部为第一螺孔，所述第一螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述光发射显微镜的底座；在所述特氟龙圆板上设置多个第二连接部，所述第二连接部为第二螺孔，所述第二螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述加温台盘的底座。3.根据权利要求2所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述制作机台连接板的步骤包括：制作厚度大于所述加热模块高度的特氟龙圆板。4.根据权利要求2所述的芯片失效分析方法，其特征在于，在所述特氟龙圆板上设置三个第二螺孔，所述第二螺孔上宽下窄，所述第二螺孔较宽的一端连接所述加温台盘。5.根据权利要求2所述的芯片失效分析方法，其特征在于，在所述特氟龙圆板上设置四个不穿透所述特氟龙圆板的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦俊，陈倩，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32