薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板上形成第一电极、像素电极以及位于所述像素电极上的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极上形成第一绝缘层，且在所述第一绝缘层中形成分别暴露所述第一电极和所述第二电极的过孔；在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层；在所述有源层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极；在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层。本发明专利技术通过先制作第一电极和第二电极，后制作有源层，从而避免现有的制作第一电极和第二电极时对有源层出现损伤的现象，进而提高器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板
本专利技术属于半导体器件制作
，具体地讲，涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板。
技术介绍
随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(FlatPanelDisplay)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。金属氧化物(诸如铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide，简称IGZO)等)半导体材料由于具有高的迁移率和开态电流，被广泛应用到显示行业的薄膜晶体管器件中。然而在目前的金属氧化物薄膜晶体管器件的制作中，金属氧化物有源层通常采用湿法刻蚀形成，而源漏极也是采用湿法刻蚀形成，因此在制作源漏极时会对金属氧化物有源层造成损伤，从而影响器件性能。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种在制作源漏极时能够避免损伤金属氧化物有源层的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板。根据本专利技术的一方面，提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板上形成间隔的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极上形成第一绝缘层，且在所述第一绝缘层中形成分别暴露所述第一电极和所述第二电极的过孔；在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层；在所述有源层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极；在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层。进一步地，在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层之后，所述薄膜晶体管的制作方法还包括：对填充到所述过孔中的有源层进行退伙处理，以将填充到所述过孔中的有源层导体化。进一步地，利用金属氧化物材料在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层。进一步地，在基板上形成第一电极、像素电极以及位于所述像素电极上的第二电极之前，所述薄膜晶体管的制作方法还包括：利用二氧化硅材料在所述基板上形成缓冲层。进一步地，在所述第二绝缘层上形成栅极的方法包括：在所述第二绝缘层上形成叠层的第二金属层和光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，以将第二金属层的除将要形成栅极的部分之外的其他部分上的光阻层去除；将暴露的第二金属层以及剩余的光阻层去除。进一步地，在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层的方法包括：在所述第二绝缘层和所述栅极上形成叠层的绝缘膜层和光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，以将所述光阻层的除位于所述栅极上方的部分之外的其他部分去除；将暴露的绝缘膜层和剩余的光阻层去除。进一步地，所述栅极位于剩余的光阻层在所述第二绝缘层上的投影以内。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种由上述的制作方法制作而成的薄膜晶体管。根据本专利技术的又一方面，又提供了一种阵列基板的制作方法，其包括：在基板上形成第一电极、像素电极以及位于所述像素电极上的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极上形成第一绝缘层，且在所述第一绝缘层中形成分别暴露所述第一电极和所述第二电极的过孔；在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层；在所述有源层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极；在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；在所述第二绝缘层上形成位于所述栅极一侧的公共电极。进一步地，在基板上形成第一电极、像素电极以及位于所述像素电极上的第二电极的方法包括：在基板上依序形成叠层的透明导电层、第一金属层和光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，以形成第一光阻余层、第二光阻余层和第三光阻余层，所述第一光阻余层和所述第二光阻余层间隔，所述第三光阻余层位于所述第二光阻余层的背向所述第一光阻余层的一侧且与所述第二光阻余层连接，所述第一光阻余层和所述第二光阻余层的厚度与所述光阻层的厚度相同，所述第三光阻余层的厚度小于所述光阻层的厚度；将暴露出的第一金属层和其下方的透明导电层去除，且将所述第三光阻余层下方的第一金属层去除；将所述第一光阻余层、所述第二光阻余层和所述第三光阻余层去除。本专利技术的有益效果：本专利技术通过先制作第一电极和第二电极，后制作有源层，从而避免现有的制作第一电极和第二电极时对有源层出现损伤的现象，进而提高器件的性能。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是根据本专利技术的实施例的阵列基板的制作方法的流程图；图2A至图2G是根据本专利技术的实施例的阵列基板的制程图；图3A至图3C是根据本专利技术的实施例的第一电极、像素电极和第二电极的制程图；图4A至图4C是根据本专利技术的实施例的栅极的制程图；图5A至图5C是根据本专利技术的实施例的栅极绝缘层的制程图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在说明书和附图中始终表示相同的元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底等的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。可选择地，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。图1是根据本专利技术的实施例的阵列基板的制作方法的流程图。图2A至图2F是根据本专利技术的实施例的阵列基板的制程图。首先，参照图1和图2A，在步骤S110中，在基板100上形成缓冲层200、第一电极310、像素电极400以及位于像素电极400上的第二电极320。这里，缓冲层200是为了使第一电极310、像素电极40和第二电极320的制作以及特性表现更为优良，因此作为本专利技术的另一实施方式，缓冲层200可以不存在，相应的步骤可以被省略。第一电极310可以是漏极或源极，而第二电极320是与第一电极310不同的电极。例如，当第一电极310是漏极时，第二电极320是源极。图3A至图3C是根据本专利技术的实施例的第一电极、像素电极和第二电极的制程图。参照图3A，首先在基板100上依序形成叠层的缓冲层200、透明导电层400A、第一金属层300A和光阻层PR。参照图3B，对光阻层PR进行图案化处理，以形成第一光阻余层PR1、第二光阻余层PR2和第三光阻余层PR3，第一光阻余层PR1和第二光阻余层PR2间隔，第三光阻余层PR3位于第二光阻余层PR2的背向第一光阻余层PR1的一侧且与第二光阻余层PR2连接，第一光阻余层PR1和第二光阻余层PR2的厚度与光阻层PR的厚度相同，第三光阻余层PR3的厚度小于光阻层PR的厚度；参照图3C，将暴露出的第一金属层300A和其下方的透明导电层400A去除，且将第一光阻余层PR1、第二光阻余层PR2以及第三光阻余层PR3及第三光阻余层PR3下方的第一金属层300A去除。接下来，参照图1和图2B，在步骤S120中，在第一电极310、第二电极320和缓冲层200上形成第一绝缘层500，且在第一绝缘层500中形成分别暴露第一电极310和第二电极320的过孔510。这里，第一电极310被一个过孔510暴露，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成间隔的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极上形成第一绝缘层，且在所述第一绝缘层中形成分别暴露所述第一电极和所述第二电极的过孔；在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层；在所述有源层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极；在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成间隔的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极上形成第一绝缘层，且在所述第一绝缘层中形成分别暴露所述第一电极和所述第二电极的过孔；在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层；在所述有源层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极；在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层之后，所述薄膜晶体管的制作方法还包括：对填充到所述过孔中的有源层进行退伙处理，以将填充到所述过孔中的有源层导体化。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，利用金属氧化物材料在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在基板上形成间隔的第一电极和第二电极之前，所述薄膜晶体管的制作方法还包括：利用二氧化硅材料在所述基板上形成缓冲层。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述第二绝缘层上形成栅极的方法包括：在所述第二绝缘层上形成叠层的第二金属层和光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，以将第二金属层的除将要形成栅极的部分之外的其他部分上的光阻层去除；将暴露的第二金属层以及剩余的光阻层去除。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层的方法包括：在所述第二绝缘层和所述栅极上形成叠层的绝缘膜层和光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，以将...

【专利技术属性】
技术研发人员：林钦遵，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44