用于芯片制造的光阻基板及芯片封装体制造技术

本发明专利技术公开一种用于芯片制造的光阻基板及芯片封装体。所述光阻基板包括采用正向光阻形成的正向光阻层，所述正向光阻层上划分有多个小单元，所述多个小单元呈阵列排布，每一所述小单元用于包裹一颗芯片组件，其中，所述正向光阻层的位于相邻所述芯片组件之间的区域为可曝光及显影区域。基于此，本发明专利技术只需要对正向光阻层进行曝光处理及显影处理，相邻芯片之间的连接部分即可被去除，无需切割工艺即可实现各芯片之间的分离，有助于提升产品良率。

【技术实现步骤摘要】
用于芯片制造的光阻基板及芯片封装体
本专利技术涉及电路制造领域，具体涉及芯片制造领域，尤其涉及一种用于芯片制造的光阻基板及芯片封装体。
技术介绍
随着电子产品如手机、笔记本电脑等朝着小型化，便携式，超薄化，多媒体化以及满足大众需求的低成本方向发展，高密度、高性能、高可靠性和低成本的封装形式及其组装技术得到了快速的发展。在芯片倒装及封装工艺中，承载芯片的基板为一体式结构，该基板上划分有呈阵列排布的小单元，每一小单元为一颗芯片的所在区域。结合图1～图3所示，传统的倒装工艺通过钻孔和电镀等工序在基板10的每一小单元11上形成芯片12的电路121，然后再进行水洗及烘烤等工序，接着再进行绿漆122塑封、烘烤等工序，直至形成矩阵排布于基板10上一颗颗芯片12，而后将基板10吸附固定于一平台31上，通过切割刀20对基板10进行切割，以此将一颗颗芯片12分割开来。在实际切割过程中，切割工序经常会遇到很多质量问题，例如切割偏移及切割毛刺，容易影响产品良率，并且在切割时需要利用高压水进行冲洗，容易产生产品纷失问题，不利于提升产品良率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种用于芯片制造的光阻基板及芯片封装体，无需切割工艺即可实现各芯片之间的分离，避免因切割偏移及切割毛刺导致的良率损失，有助于提升产品良率。本专利技术一实施例的用于芯片制造的光阻基板，包括采用正向光阻形成的正向光阻层，所述正向光阻层上划分有多个小单元，所述多个小单元呈阵列排布，每一所述小单元用于包裹一颗芯片组件，其中，所述正向光阻层的位于相邻所述芯片组件之间的区域为可曝光及显影区域。可选地，所述芯片组件包括上下连接的第二子电路和第一子电路，所述光阻基板包括第一正向光阻层和第二正向光阻层，所述第二正向光阻层和第一正向光阻层上下层叠设置，所述第一正向光阻层包裹所述第一子电路且暴露所述第一子电路的下表面，所述第一正向光阻层还开设有跨接孔，所述跨接孔暴露所述第一子电路的上表面，所述第二子电路通过所述跨接孔与所述第一子电路连接，所述第二正向光阻层包裹所述第二子电路。可选地，所述第二子电路为具有引脚的芯片，所述第一子电路为引线支架，所述引脚倒装于所述跨接孔中，所述第一子电路和所述第二子电路通过所述引脚连接。可选地，所述芯片组件包括上下连接的第二子电路和第一子电路，所述光阻基板包括第一正向光阻层和第二正向光阻层，所述第二正向光阻层和第一正向光阻层上下层叠设置，所述第一正向光阻层和所述第一子电路同层设置，且所述第一正向光阻层暴露所述第一子电路的上表面及下表面，所述第二正向光阻层包裹所述第二子电路。可选地，所述第二子电路为具有引脚的芯片，所述第一子电路为引线支架，所述引脚倒装于所述第二子电路上表面，所述第一子电路和第二子电路通过所述引脚连接。本专利技术一实施例的芯片封装体，包括芯片组件和封装层，所述芯片组件包裹于所述封装层中，所述封装层暴露所述芯片组件的下表面，且所述封装层的两侧边设置有正向光阻。可选地，所述芯片组件包括上下连接的第二子电路和第一子电路，所述封装层包括第一正向光阻层和第二正向光阻层，所述第二正向光阻层和第一正向光阻层上下层叠设置，所述第一正向光阻层包裹所述第一子电路且暴露所述第一子电路的下表面，所述第一正向光阻层还开设有跨接孔，所述跨接孔暴露所述第一子电路的上表面，所述第二子电路通过所述跨接孔与所述第一子电路连接，所述第二正向光阻层包裹所述第二子电路。可选地，所述第二子电路为具有引脚的芯片，所述第一子电路为引线支架，所述引脚倒装于所述跨接孔中，所述第一子电路和所述第二子电路通过所述引脚连接。可选地，所述芯片组件包括上下连接的第二子电路和第一子电路，所述封装层包括第一正向光阻层和第二正向光阻层，所述第二正向光阻层和第一正向光阻层上下层叠设置，所述第一正向光阻层和所述第一子电路同层设置，且所述第一正向光阻层暴露所述第一子电路的上表面及下表面，所述第二正向光阻层包裹所述第二子电路。可选地，所述第二子电路为具有引脚的芯片，所述第一子电路为引线支架，所述引脚倒装于所述第二子电路上表面，所述第一子电路和第二子电路通过所述引脚连接。有益效果：本专利技术将芯片承载于正向光阻层上，通过正向光阻层取代传统的基板，只需要对正向光阻层进行曝光处理及显影处理，相邻芯片之间的连接部分即可被相应去除，即无需切割工艺即可实现各芯片之间的分离，从而能够避免因切割偏移及切割毛刺导致的良率损失，有助于提升产品良率，并且无需切割工艺所采用的高压水冲洗工序，从而能够避免产生产品纷失问题，进一步有利于提升产品良率。附图说明图1是现有技术一实施例的芯片在基板上的排布示意图；图2是图1所示基板的结构剖视图；图3是现有技术另一实施例的芯片在基板上的排布示意图；图4是本专利技术一实施例的芯片的制造方法的流程示意图；图5是基于图4所示方法制造芯片的场景示意图；图6是对承载有芯片的正向光阻层进行曝光处理的示意图；图7是对承载有芯片的正向光阻层进行显影处理的示意图；图8是进行显影处理后芯片承载于夹具上的示意图；图9是本专利技术一实施例的芯片封装体的结构示意图。具体实施方式本专利技术的主要目的是：将一颗颗芯片承载并形成于正向光阻层上，通过正向光阻层取代传统的基板，只需要对正向光阻层进行曝光处理及显影处理，相邻芯片之间的连接部分即可被相应去除，即无需切割工艺即可实现各芯片之间的分离，以此避免因切割偏移及切割毛刺导致的良率损失，有助于提升产品良率，并且由于未采用切割工艺，因此也无需采用高压水对承载各个芯片的基板冲洗工序，以此避免高压水冲击芯片而产生的产品纷失问题，进一步有利于提升产品良率。上述芯片所适用的电子设备包括但不限于智能手机、PDA(PersonalDigitalAssistant，个人数字助理或平板电脑)等移动终端，以及佩戴于肢体或嵌入衣物、首饰、配件中的可穿戴设备。下面结合附图，对本专利技术的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述实施例及其技术特征可相互组合。并且，本专利技术全文所采用的方向性术语，例如“上”、“下”等，均是为了更好的描述，并非用于限制本专利技术的保护范围。图4是本专利技术一实施例的芯片的制造方法的流程示意图。如图4所示，本实施例的制造方法包括步骤S41～S44。S41：提供一衬底基板。结合图5所示，所述衬底基板51可以为一板体结构，其上表面为平面。该衬底基板51的上表面可以划分有呈矩阵排布的多个小单元511，其中每一个小单元511用于包裹一颗芯片组件，并以此限定一颗芯片的所在区域。S42：在衬底基板上形成正向光阻层及包裹于正向光阻层的芯片组件，所述芯片组件呈矩阵排布方式包裹于正向光阻层上。以图5所示的具有上下连接的两个子电路的芯片组件50为例，其中，第二子电路522可以为具有引脚的芯片，对应地，第一子电路521为引线支架，该引线支架521的数量可以为图5所示的两个且两者之间相互间隔设置，引脚的数量与引线支架521数量相同，且引脚与引线支架521一一对应设置。当然，本实施例的芯片组件50也可以仅包括具有引脚的芯片，即仅设置第二子电路522。继续参阅图5，首先，在衬底基板51上形成呈矩阵排布的第一子电路521，每一第一子电路521形成于一个小单元511内，相邻第一子电路521之间独立间隔设置。然后，通过光阻涂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于芯片制造的光阻基板，其特征在于，所述光阻基板包括采用正向光阻形成的正向光阻层，所述正向光阻层上划分有多个小单元，所述多个小单元呈阵列排布，每一所述小单元用于包裹一颗芯片组件，其中，所述正向光阻层的位于相邻所述芯片组件之间的区域为可曝光及显影区域。

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片制造的光阻基板，其特征在于，所述光阻基板包括采用正向光阻形成的正向光阻层，所述正向光阻层上划分有多个小单元，所述多个小单元呈阵列排布，每一所述小单元用于包裹一颗芯片组件，其中，所述正向光阻层的位于相邻所述芯片组件之间的区域为可曝光及显影区域。2.根据权利要求1所述的光阻基板，其特征在于，所述芯片组件包括上下连接的第二子电路和第一子电路，所述光阻基板包括第一正向光阻层和第二正向光阻层，所述第二正向光阻层和第一正向光阻层上下层叠设置，所述第一正向光阻层包裹所述第一子电路且暴露所述第一子电路的下表面，所述第一正向光阻层还开设有跨接孔，所述跨接孔暴露所述第一子电路的上表面，所述第二子电路通过所述跨接孔与所述第一子电路连接，所述第二正向光阻层包裹所述第二子电路。3.根据权利要求2所述的光阻基板，其特征在于，所述第二子电路为具有引脚的芯片，所述第一子电路为引线支架，所述引脚倒装于所述跨接孔中，所述第一子电路和所述第二子电路通过所述引脚连接。4.根据权利要求1所述的光阻基板，其特征在于，所述芯片组件包括上下连接的第二子电路和第一子电路，所述光阻基板包括第一正向光阻层和第二正向光阻层，所述第二正向光阻层和第一正向光阻层上下层叠设置，所述第一正向光阻层和所述第一子电路同层设置，且所述第一正向光阻层暴露所述第一子电路的上表面及下表面，所述第二正向光阻层包裹所述第二子电路。5.根据权利要求4所述的光阻基板，其特征在于，所述第二子电路为具有引脚的芯片，所述第一子电路为引线支架，所述引脚倒装于所述第二子电路上表面，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢海伦，周锋，施陈，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32