用于功率半导体芯片的检测方法技术
【技术实现步骤摘要】
用于功率半导体芯片的检测方法
本专利技术涉及一种半导体测试方法，具体涉及一种用于功率半导体芯片的检测方法。
技术介绍
在功率电子器件中，经常使用半导体芯片，在使用半导体芯片之前，需要知晓半导体芯片模块或各个半导体芯片的性能是否正常以及它们是否满足预定的性能标准。在功率半导体的实际封装工艺过程中，对芯片的正表面和边缘的结构完整性有较高的要求，不可能做到100％满足产品工艺要求，这样就导致出现一定比例的缺陷产品，比如芯片正表面划伤、芯片边缘缺损、金属引线焊接焊料外溢到芯片边缘和金属引线中部到框架底板的距离过低等，然而这些缺陷采用普通的半导体芯片检测方法是无法检测出来的。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种用于功率半导体芯片的检测方法，以解决现有技术存在的不能检测出带有芯片正表面划伤、芯片边缘缺损、焊料外溢和金属引线中部到框架底板的距离过低等缺陷的产品的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种用于功率半导体芯片的检测方法，包括如下步骤：(1)将被测产品在图示仪上进行反向击穿电压测试，测出被测产品能够承受的极限电流；(2)在被测产品能够承受的极限电流数值范围内选择测试电流；(3)在反向击穿电压测试程序中设定选择的测试电流，做小批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电流值；(4)采用被测产品的所述最终测试电流值对被测产品进行所述反向击穿电压测试。优选的，被测产品的所述最终测试电流值为常规反向击穿电压测试的电流的50-200倍。本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的技术方案在不影响半导体器件产品正常电性能的情况下，通过增加一项反...
【技术保护点】
1.一种用于功率半导体芯片的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将被测产品在图示仪上进行反向击穿电压测试，测出被测产品能够承受的极限电流；(2)在被测产品能够承受的极限电流数值范围内选择测试电流；(3)在所述反向击穿电压测试中设定选择的测试电流，做小批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电流值；(4)采用被测产品的所述最终测试电流值对被测产品进行所述反向击穿电压测试。
【技术特征摘要】
1.一种用于功率半导体芯片的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将被测产品在图示仪上进行反向击穿电压测试，测出被测产品能够承受的极限电流；(2)在被测产品能够承受的极限电流数值范围内选择测试电流；(3)在所述反向击穿电压测试中设定选择的测试电流，做小批量测试调...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄昌民，詹小勇，张站东，
申请(专利权)人：无锡昌德微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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