一种发光二极管芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括DBR、衬底、氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、透明导电薄膜、P型电极和N型电极；DBR设置在衬底的第一表面上，氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层依次层叠在衬底的第二表面上；P型氮化镓层的边缘区域设有延伸至N型氮化镓层的第一凹槽，N型电极设置在第一凹槽内的N型氮化镓层上，透明导电薄膜设置在P型氮化镓层上，P型电极设置在透明导电薄膜上；透明导电薄膜的非边缘区域设有至少一个延伸至衬底的第二凹槽，侧面与底面之间的夹角为锐角，第二凹槽的底面的面积为25μm2～1000μm2。本发明专利技术提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有体积小、亮度高和能耗小的特点，被广泛地应用在显示屏、背光源和照明领域。芯片是LED的核心组件，现有的LED芯片包括分布式布拉格反射镜(英文：DistributedBraggReflection，简称：DBR)衬底、缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电薄膜、P型电极和N型电极。其中，DBR设置在衬底的一个表面，缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层依次层叠在衬底的另一个表面上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，透明导电薄膜设置在P型半导体层上，P型电极设置在透明导电薄膜上。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：发光层在电流的驱动下发出的光线中，射向衬底的光线会被DBR反射，射向芯片侧面的光线由于全反射而无法射出，加上P型电极和N型电极会吸收光线，因此大部分光线会从芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括分布式布拉格反射镜DBR、衬底、氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、透明导电薄膜、P型电极和N型电极；所述DBR设置在所述衬底的第一表面上，所述氮化铝缓冲层、所述N型氮化镓层、所述发光层和所述P型氮化镓层依次层叠在所述衬底的第二表面上，所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面；所述P型氮化镓层的边缘区域设有延伸至所述N型氮化镓层的第一凹槽，所述N型电极设置在所述第一凹槽内的N型氮化镓层上，所述透明导电薄膜设置在所述P型氮化镓层上，所述P型电极设置在所述透明导电薄膜上；其特征在于，所述透明导电薄膜的非边缘区域设有至少一个延伸至...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括分布式布拉格反射镜DBR、衬底、氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、透明导电薄膜、P型电极和N型电极；所述DBR设置在所述衬底的第一表面上，所述氮化铝缓冲层、所述N型氮化镓层、所述发光层和所述P型氮化镓层依次层叠在所述衬底的第二表面上，所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面；所述P型氮化镓层的边缘区域设有延伸至所述N型氮化镓层的第一凹槽，所述N型电极设置在所述第一凹槽内的N型氮化镓层上，所述透明导电薄膜设置在所述P型氮化镓层上，所述P型电极设置在所述透明导电薄膜上；其特征在于，所述透明导电薄膜的非边缘区域设有至少一个延伸至所述衬底的第二凹槽，所述第二凹槽的侧面与所述第二凹槽的底面之间的夹角为锐角，所述第二凹槽的底面的面积为25μm2～1000μm2。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽的数量为多个，多个所述第二凹槽的底面的面积之和为所述衬底的第二表面的面积的3％～5％。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型电极包括焊点和电极线，所述焊点设置在所述透明导电薄膜距离所述N型电极最远的边缘区域，所述电极线设置在所述焊点和所述N型电极之间的透明导电薄膜上，且所述电极线自所述焊点向所述N型电极延伸。4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽的数量为多个，多个所述第二凹槽沿所述电极线的延伸方向排列在所述电极线的两侧。5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述衬底的第二表面为长方形，...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹灵峰，陈淑贤，马磊，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33