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本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括DBR、衬底、氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、透明导电薄膜、P型电极和N型电极；DBR设置在衬底的第一表面上，氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层和P型...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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