装配薄膜光电子器件的工艺制造技术

本发明专利技术涉及装配薄膜光电子器件的工艺。所述工艺可包括：提供生长结构，所述生长结构包括具有生长表面的晶圆、牺牲层和器件区，其中所述牺牲层被置于所述晶圆与所述器件区之间，并且其中所述器件区具有最远离所述晶圆的表面；提供主基板，其中所述主基板包含金属箔；在所述器件区的表面上沉积第一金属层；在所述主基板上沉积第二金属层；通过在接合温度下将所述第一金属层和所述第二金属层压在一起来使所述第一金属层接合至所述第二金属层，其中所述接合温度高于室温且低于所述主基板的熔化温度和500℃中的较低者。

【技术实现步骤摘要】
装配薄膜光电子器件的工艺本申请是申请号为201480061763.5、申请人为“密歇根大学董事会”、申请日为2014年11月11日、专利技术名称为“装配薄膜光电子器件的工艺”的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求2013年11月11日提交的美国临时申请第61/902,775号的权益，将其全文以引用的方式并入本文中。关于联邦资助研究的声明在美国政府支持下在由美国陆军研究实验室授予的合同No.W911NF下进行了本专利技术。政府对本专利技术享有一定权利。联合研究协议本公开的主题是以代表和/或联合以下各方中的一方或多方达成联合大学-公司研究协议来进行：密歇根大学董事会(TheRegentsoftheUniversityofMichigan)和NanoFlexPower公司。该协议在本公开的主题准备日期当天及提前生效，并作为在协议范畴内所进行活动的成果制定。
本专利技术一般地涉及一种用于薄膜器件的接合工艺，且特别涉及一种热辅助冷焊接合工艺。
技术介绍
电子领域中需要诸如单晶半导体基器件的薄膜技术，因为它们具有柔性、轻重量和高性能特性。与直接在主基板上形成有源区的诸如化学气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装配薄膜光电子器件的工艺，包括：提供生长结构，所述生长结构包括具有生长表面的晶圆、牺牲层和器件区，其中所述牺牲层被置于所述晶圆与所述器件区之间，并且其中所述器件区具有最远离所述晶圆的表面；提供主基板，其中所述主基板包含金属箔；在所述器件区的表面上沉积第一金属层；在所述主基板上沉积第二金属层；通过在接合温度下将所述第一金属层和所述第二金属层压在一起来使所述第一金属层接合至所述第二金属层，其中所述接合温度高于室温且低于所述主基板的熔化温度和500℃中的较低者。

【技术特征摘要】
2013.11.11 US 61/902,7751.一种装配薄膜光电子器件的工艺，包括：提供生长结构，所述生长结构包括具有生长表面的晶圆、牺牲层和器件区，其中所述牺牲层被置于所述晶圆与所述器件区之间，并且其中所述器件区具有最远离所述晶圆的表面；提供主基板，其中所述主基板包含金属箔；在所述器件区的表面上沉积第一金属层；在所述主基板上沉积第二金属层；通过在接合温度下将所述第一金属层和所述第二金属层压在一起来使所述第一金属层接合至所述第二金属层，其中所述接合温度高于室温且低于所述主基板的熔化温度和500℃中的较低者。2.根据权利要求1所述的工艺，其中所述接合温度高于150...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬·R·弗里斯特，李圭相，
申请(专利权)人：密歇根大学董事会，
类型：发明
国别省市：美国,US